SK hynix presenta iHBM: raffreddamento integrato per le future memorie HBM5
SK hynix ha annunciato iHBM, una nuova soluzione per la gestione termica delle future memorie HBM5 dedicata ai carichi AI e HPC. La tecnologia integra elementi di raffreddamento direttamente nel package della memoria, riducendo la resistenza termica del 30% e migliorando stabilità, efficienza e compatibilità produttiva.
di Manolo De Agostini pubblicata il 26 Maggio 2026, alle 08:21 nel canale MemorieHBMSK hynix
SK hynix ha annunciato iHBM, una nuova soluzione di packaging progettata per migliorare la gestione termica delle future memorie destinate ai carichi AI e HPC. La tecnologia sarà introdotta nelle prossime generazioni HBM, incluse le future HBM5, in risposta alle crescenti difficoltà legate alla dissipazione del calore nei sistemi ad alta densità.
Con l'aumento del numero di stack e delle velocità operative delle memorie HBM, il controllo delle temperature è diventato uno degli aspetti più critici per garantire affidabilità e prestazioni. In particolare, uno dei punti più delicati riguarda il Die-to-Die Physical Layer (D2D PHY), ovvero l'interfaccia che collega la memoria HBM alla GPU o all'acceleratore AI. Si tratta di un'area caratterizzata da un'elevata concentrazione di calore e da densità energetiche sempre più difficili da gestire.

La soluzione iHBM introduce un approccio strutturale differente rispetto ai sistemi tradizionali. Le HBM attuali utilizzano infatti un metodo di dissipazione indiretta, nel quale il calore viene trasferito attraverso il die principale, o "core die". Nel nuovo design sviluppato da SK hynix vengono invece integrati elementi di raffreddamento, denominati ICE (Integrated Cooling Elements), direttamente nella zona del D2D PHY, creando un ulteriore percorso per la dispersione termica.
Secondo i dati diffusi dall'azienda, questa configurazione permette di ridurre la resistenza termica del 30%, contribuendo a mantenere stabile il funzionamento del chip anche in condizioni operative caratterizzate da temperature elevate e forti pressioni termiche.
Oltre all'aspetto progettuale, SK hynix sottolinea anche i vantaggi dal punto di vista produttivo. La società afferma che il proprio processo Wafer Level Packaging (WLP), basato sulla tecnologia proprietaria Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), consentirà la produzione in volumi elevati delle memorie equipaggiate con iHBM senza compromettere affidabilità e resa.
Un altro elemento evidenziato riguarda la compatibilità con le architetture System-in-Package (SiP) già esistenti. Secondo l'azienda, l'adozione della nuova soluzione termica richiederà modifiche limitate ai design attuali, facilitando così l'integrazione da parte dei clienti impegnati nello sviluppo di acceleratori AI e piattaforme HPC di nuova generazione.
Con iHBM, SK hynix punta a rafforzare ulteriormente la propria posizione nel mercato delle memorie per l'AI, un segmento in forte espansione grazie alla crescente domanda di infrastrutture per datacenter e sistemi dedicati all'intelligenza artificiale.









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