SK hynix, arrivano i soldi del CHIPS Act statuntense per l'impianto in Indiana

La sudcoreana SK hynix ha annunciato di aver firmato un memorandum preliminare non vincolante con il Dipartimento del Commercio degli Stati Uniti per ricevere fino a 450 milioni di dollari di finanziamenti diretti e l'accesso a prestiti proposti per 500 milioni di dollari nell'ambito del CHIPS and Science Act.

SK hynix, inoltre, intende richiedere al Dipartimento del Tesoro degli Stati Uniti un beneficio fiscale equivalente fino al 25% delle spese di capitale qualificate attraverso il programma di credito d'imposta sugli investimenti.

La società asiatica è tra le realtà che stanno investendo in nuove Fab produttive di semiconduttori negli Stati Uniti, in particolare la società ha messo in cantiere un impianto per il packaging avanzato delle memorie e un centro di ricerca e sviluppo per prodotti destinati all'intelligenza artificiale in quel di West Lafayette, Indiana, per un esborso stimato di 3,87 miliardi di dollari.

Il focus di quell'impegno è tutto sulle prossime generazioni della memoria HBM, la DRAM che muove gli acceleratori di intelligenza artificiale: l'impianto di West Lafayette avrà un ruolo fondamentale nella produzione (quella in volumi è prevista per la seconda metà del 2028), mentre la ricerca e sviluppo verrà portata avanti insieme alla Purdue University. La società prevede la creazione di oltre mille nuovi posti di lavoro nella regione.