Samsung sviluppa il primo chip DDR DRAM a 50 nanometri

Samsung sviluppa il primo chip DDR DRAM a 50 nanometri

Samsung ha annunciato di aver sviluppato il primo chip di memoria DDR2 DRAM con processo produttivo a 50 nanometri, che fa uso di un particolare transistor tridimensionale

di pubblicata il , alle 16:30 nel canale Memorie
Samsung
 

Samsung Electronics ha annunciato nella giornata odierna di aver sviluppato il primo chip DDR2 DRAM con processo produttivo a 50 nanometri che permetterà così di incrementare l'efficienza produttiva del 55% rispetto a quanto attualmente possibile con il processo produttivo a 60 nanometri.

Il nuovo chip di memoria DDR2 DRAM è caratterizzato dalla presenza di transistor tridimensionali ed è stato progettato basandosi sulla tecnologia multi-layered dielectric che permette, almeno a detta di Samsung, di incrementare notevolmente la velocità operazionale e le capacità di stoccaggio dati.

Nam Yong Cho, executive vice president delle vendite e marketing per il comparto memorie di Samsung Electronics, ha dichiarato: "Grazie allo sviluppo delle memorie DRAM a 50 nanometri continuamo a mantenere il primato dal punto di vista tecnologico, preparando la strada ai nostri clienti che vogliono prodotti di qualità superiore."

Secondo quanto riferito da Samsung e riportato anche dal sito web Dailytech, la chiave per ottenere una elevata efficienza produttiva è proprio rappresentata dall'impiego di un particolare transistor SEG (selective epitaxial growth - a crescita selettiva epitassiale), caratterizzato da un canale esterno di elettroni che ottimizza la velocità degli elettroni di ciascun chip al fine di ridurre il conumo energetico e parallelamente ad incrementare le prestazioni.

La scelta di adottare una soluzione così complessa discende direttamente dall'inseguimento di un'integrazione sempre più spinta. La continua miniaturizzazione dei chip di memoria causa una riduzione della superficie utilizzabile e rende così difficile assicurare e mantenere un sufficiente volume di elettroni per il corretto funzionamento della cella di memoria. L'impiego di un transistor SEG introduce un dielettrico a più livelli che permette di risolvere i problemi sopra esposti. Il nuovo dielettrico può infatti sostenere un maggior volume di elettroni per incrementare la capacità di storage, garantendo una migliore sicurezza per i dati.

La nuova tecnologia sviluppata da Samsung può essere utilizzata per la realizzazione di un vasto numero di prodotti DRAM, anche per applicazioni grafiche e portatili. La produzione in volumi è prevista per il 2008.

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20 Commenti
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ThePunisher20 Ottobre 2006, 16:34 #1
Il reparto R&D di Samsung owna.
Cappej20 Ottobre 2006, 16:54 #2
... nel 2008... ? la tecnologia o le DDR2?
temo che nel 2008 le DDR2 in volumi serviranno a poco... nel 2007 avanzato hanno dichiarato l'avvento delle DDR3!
dsajbASSAEdsjfnsdlffd20 Ottobre 2006, 17:02 #3
mah, visto che si parla di tecnologia di transistor penso che ddr2, ddr3, ddrX cambi poco, se le prestazioni garantite sono adeguate allo standard per le quali le utilizzi.
se vedi parlano anche di soluzioni grafiche e portatili... quindi è una teconolgia abbastanza generica (penso) e riutilizzabile (spero).

Ratatosk20 Ottobre 2006, 17:19 #4
Originariamente inviato da: ThePunisher
Il reparto R&D di Samsung owna.


Di brutto, mi pare. Negli ultimi mesi si stanno vedendo frutti a iosa del lavoro fatto...
imayoda20 Ottobre 2006, 17:43 #5

:muro:

Peccato che il loro MEGABOSS sia stra-stra-stra-RICERCATO nei tribunali di mezzo oriente.. cmq i prodotti quto che siano poi eccellenti... mi ricorda qualcuno di qualche anno fa..ghhghg
capitan_crasy20 Ottobre 2006, 18:03 #6
Originariamente inviato da: Cappej
... nel 2008... ? la tecnologia o le DDR2?
temo che nel 2008 le DDR2 in volumi serviranno a poco... nel 2007 avanzato hanno dichiarato l'avvento delle DDR3!

per le DDR3 si parla di fine 2007, inoltre ci vorrà parecchio tempo prima che i chip DDR3 raggiungano volumi di produzioni ( e soprattutto prezzi ) uguali alle DDR2...
DevilsAdvocate20 Ottobre 2006, 18:43 #7
transistor SEG (selective epitaxial growth - a crescita selettiva epitassiale), caratterizzato da un canale esterno di elettroni che ottimizza la velocità degli elettroni di ciascun chip al fine di ridurre il conumo energetico e parallelamente ad incrementare le prestazioni.


Un canale esterno ridurrebbe il consumo? Non e' che mi torni molto 8)
Pozz20 Ottobre 2006, 18:57 #8
Originariamente inviato da: imayoda
Peccato che il loro MEGABOSS sia stra-stra-stra-RICERCATO nei tribunali di mezzo oriente.. cmq i prodotti quto che siano poi eccellenti... mi ricorda qualcuno di qualche anno fa..ghhghg



che ha fatto?

comunque brava samsung! era da un pò che non si vedevano cambiamenti interessanti nel mondo delle memorie ram.. (a parte ddr1-ddr2 etc etc che non è che fosserò chissà che balzo tecnologico)
Lelevt20 Ottobre 2006, 19:56 #9
Qui non c'entrano ddr1, 2 o ddr12, si parla di tecnologie in campo microelettronica che servono a produrre le celle di memoria, non degli standard di trasferimento dati.

Deschutes20 Ottobre 2006, 21:04 #10
Originariamente inviato da: Lelevt
Qui non c'entrano ddr1, 2 o ddr12, si parla di tecnologie in campo microelettronica che servono a produrre le celle di memoria, non degli standard di trasferimento dati.


OK
Ma c'è una cosa straimportante
"Samsung Electronics ha annunciato nella giornata odierna di aver sviluppato il primo chip DDR2 DRAM con processo produttivo a 50 nanometri che permetterà così di incrementare l'efficienza produttiva del 55% rispetto a quanto attualmente possibile con il processo produttivo a 60 nanometri"
speriamo questa efficienza produttiva si tradurrà in
un bel abbassamento di prezzi ed avere nel 2008 x es 4-8 GB di ram al prezzo di oggi 2 GB di ram.
Ciao

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