Samsung presenta UFS 5.0 con velocità fino a 10,8 GB/s e prestazioni più che raddoppiate
Samsung ha presentato UFS 5.0, una nuova memoria mobile capace di raggiungere 10,8 GB/s in lettura e 9,5 GB/s in scrittura. Il nuovo standard promette prestazioni oltre doppie rispetto a UFS 4.1, maggiore efficienza energetica e supporto alle future piattaforme Snapdragon, MediaTek ed Exynos
di Francesco Messina pubblicata il 23 Giugno 2026, alle 10:41 nel canale MemorieSamsung
Samsung ha annunciato la nuova generazione di memoria UFS 5.0, una soluzione progettata per incrementare in modo significativo le prestazioni dei dispositivi mobili e favorire l'evoluzione delle applicazioni basate sull'intelligenza artificiale eseguite direttamente sul dispositivo. Secondo quanto dichiarato dall'azienda, il nuovo standard integra le più recenti specifiche JEDEC per le memorie embedded e raggiunge una larghezza di banda fino a 10,8 GB/s, un valore che rappresenta uno dei livelli più elevati disponibili nel settore.
Le prestazioni dichiarate includono velocità di lettura sequenziale fino a 10,8 GB/s e velocità di scrittura sequenziale fino a 9,5 GB/s. Samsung sottolinea che questi risultati superano di oltre due volte quelli ottenibili con il precedente standard UFS 4.1. Le prestazioni raggiunte si avvicinano inoltre a quelle di alcune soluzioni di memoria DRAM moderne, rendendo possibile una gestione più rapida di grandi quantità di dati.
Uno degli obiettivi principali della nuova tecnologia è migliorare le capacità dei modelli di intelligenza artificiale eseguiti localmente sugli smartphone. Grazie alla maggiore larghezza di banda, i dispositivi potranno elaborare contesti più ampi e gestire carichi di lavoro complessi in modo più efficiente, senza dover ricorrere continuamente ai servizi cloud.
I chip compatibili con la nuova memoria UFS 5.0 di Samsung
Oltre all'incremento delle prestazioni, Samsung evidenzia anche un miglioramento dell'efficienza energetica. La nuova memoria UFS 5.0 dovrebbe consumare circa il 40% in meno rispetto alla generazione precedente. Questo risultato sarebbe stato ottenuto grazie all'introduzione di nuove tecnologie dedicate alla gestione dell'alimentazione e alla riduzione degli sprechi energetici.
Anche il design è stato ottimizzato. Il nuovo modulo misura 7,5 x 13 x 0,9 millimetri, risultando circa il 16,7% più compatto rispetto al modello precedente. Questa caratteristica consente ai produttori di integrare la memoria in dispositivi sempre più sottili e complessi. La produzione di massa delle versioni con capacità fino a 1 TB dovrebbe iniziare nel quarto trimestre del 2026.
Nel frattempo, alcune indiscrezioni indicano che i futuri processori Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro e Snapdragon 8 Elite Gen 6 supporteranno il nuovo standard di archiviazione. Secondo le stesse informazioni, anche le prossime piattaforme MediaTek Dimensity 9600 Pro e Samsung Exynos 2700 potrebbero essere compatibili con la tecnologia UFS 5.0










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