Samsung, parte la produzione della memoria LPDDR5 da 16 gigabit per i prossimi smartphone

Samsung, parte la produzione della memoria LPDDR5 da 16 gigabit per i prossimi smartphone

Samsung ha annunciato l'avvio della produzione in volumi di memoria LPDDR5 da 16 Gb con processo produttivo a 10 nanometri di terza generazione (1z) EUV. Fondamentale per sostenere la richiesta di mercato la nuova linea 2 di Pyeongtaek.

di pubblicata il , alle 11:21 nel canale Memorie
Samsung
 

Samsung ha annunciato l'avvio della produzione in volumi di memoria LPDDR5 da 16 gigabit usando un processo produttivo a 10 nanometri di terza generazione, chiamato 1z, impiegando tecnologia litografica EUV (ultravioletto estremo). La memoria LPDDR5 sarà impiegata non solo per gli smartphone di prossima generazione, ma anche i portatili e i dispositivi affini, nonché nel settore dell'automotive.

La nuova memoria, oltre ad assicurare una capacità superiore (2 GB), si presenta con prestazioni maggiori del 16% rispetto alla precedente generazione di LPDDR5 da 12 gigabit (1,5 GB): vi è infatti un salto da 5500 Mb/s a 6400 Mb/s. Secondo Samsung la nuova memoria, inserita in un package da 16 GB grazie all'unione di 8 chip, è in grado di trasferire dieci video Full HD da 5 GB o 51,2 GB di dati in un secondo.

Grazie al nuovo processo 1z, il package della nuova LPDDR5 è il 30% più sottile rispetto al passato, permettendo quindi di realizzare dispositivi più sottili e con maggiori funzionalità (grazie al minor spazio occupato dalla memoria). Nel frattempo, per supportare la produzione sia di DRAM che di NAND, l'azienda sudcoreana ha annunciato l'espansione del complesso produttivo di Pyeongtaek, con una linea 2 che si estende per oltre 128.900 metri quadrati, equivalenti a 16 campi di calcio.

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