Samsung mette nel mirino i moduli di memoria da 1 terabyte con nuovi chip DDR5

Samsung ha annunciato di aver messo a punto la prima memoria DDR5 da 32 gigabit (4 GB) usando un processo nella classe dei 12 nanometri. La società sudcoreana ha raddoppiato la densità rispetto alle soluzioni da 16 gigabit attuali, prodotte in volumi da maggio.

"Con la nostra DRAM da 32 Gb a 12 nm ci siamo assicurati una soluzione che consentirà moduli DRAM fino a 1 terabyte (TB), permettendoci di essere nella posizione ideale per soddisfare la crescente necessità di DRAM ad alta capacità nell'era dell'intelligenza artificiale e dei big data", ha affermato SangJoon Hwang, vicepresidente esecutivo della divisione DRAM Product & Technology di Samsung.

Nella sua nota stampa il colosso di Seul afferma di aver migliorato la capacità delle memorie DRAM di 500.000 volte rispetto al 1983, 40 anni fa, quando introduceva per la prima volta soluzioni da 64 kilobit.

"In precedenza, i moduli DDR5 da 128 GB prodotti usando DRAM da 16 Gb richiedevano il processo Through Silicon Via (TSV). Tuttavia, usando la DRAM da 32 Gb, il modulo da 128 GB può ora essere prodotto senza utilizzare il processo TSV, riducendo al tempo stesso il consumo energetico di circa il 10% rispetto ai moduli da 128 GB con DRAM da 16 Gb", aggiunge Samsung.

La produzione in volumi dei nuovi chip di memoria DDR5 da 32 gigabit è prevista entro la fine di quest'anno.