Nuovi chip DDR3 4Gbit da Samsung

Samsung Electronics ha annunciato di aver ultimato lo sviluppo del primo chip DDR3 DRAM a 4 gigabit, realizzato impiegando il processo produttivo a 50 nanometri. Si tratta di una soluzione importante, soprattutto in ottica datacenter, dal momento che chip di questo tipo consentono di realizzare moduli di memoria di elevata capacità e, al contempo, permettono di contenere il dispendio energetico.

Kevin Lee, vicepresidente del marketing tecnico per Samsung Semiconductor, ha dichiarato: "Abbiamo fatto leva sulla nostra forza innovatrice per sviluppare il primo chip DDR3 a 4 gigabit. Con questa soluzione e grazie alla tecnologia a 50 nanometri consentiremo al settore di praticare risparmi significativi per server e per il mercato computer in genere".

I chip DDR3 da 4Gbit sono in grado di operare ad una tensione di 1,35 volt e sono caratterizzati da una velocità di 1,6 gigabit al secondo. Prendendo a riferimento un modulo da 16GB si ottiene, con i nuovi chip, un risparmio di energia nell'ordine del 40% circa rispetto a moduli realizzati con i chip a 2Gbit.

I chip di memoria DDR3 da 4 gigabit possono essere impiegati per la realizzazione di moduli RDIMM da 16GB per sistemi server, moduli unbuffered DIMM da 8GB per workstation e sistemi PC tradizionali oppure ancora in moduli SODIMM da 8GB per sistemi notebook. Impiegando inoltre la tecnologia di packaging dual-die sarà possibile realizzare anche moduli fino a 32GB complessivi, offrendo di fatto soluzioni con il doppio della capienza rispetto ai moduli di memoria realizzati con chip da 2 gigabit.

Samsung non ha comunque ancora comunicato per quale periodo è previsto l'avvio della produzione in volumi dei nuovi chip e, di conseguenza, dei moduli di memoria.