Nuove memorie a 60 nanometri da Hynix

Il nuovo processo produttivo prmetterà di abbattere i costi di produzione e realizzare moduli più convenienti per l'utente finale
di Andrea Bai pubblicata il 18 Dicembre 2006, alle 10:13 nel canale MemorieHynix Semiconductor ha presentato nel corso della giornata odierna una nuova serie di moduli di memoria assemblati con chip da 1Gbit DDR2 realizzati con processo produttivo da 60 nanometri.
La produzione in volumi prenderà il via nel corso della prima metà del 2007. I moduli da 1GB e 2GB di memoria unbuffered DIMM operano alla frequenza di 800MHz e sono già stati certificati da Intel. Una volta che la produzione a 60 nanometri entrerà a pieno regime, il costo di produzione di chip da 1Gbit sarà destinato ad andare incontro ad una flessione del 50% rispetto alla produzione ad 80 nanometri.
Grazie ai costi di produzione più contenuti, Hynix avrà la possibilità di realizzare moduli da 4GB di memoria Registered DIMM e Fully Buffered DIMM più convenienti per l'utente finale. Grazie ad un nuovo processo di assemblaggio, inoltre, sarà possibile realizzare moduli con un packaging ancor più ridotto che consentirà di eliminare la necessità di dover impilare i chip in alcuni moduli, abbattendo ulteriormente i costi di produzione.
Fonte: Digitimes
16 Commenti
Gli autori dei commenti, e non la redazione, sono responsabili dei contenuti da loro inseriti - infoStavo gia pensando ai 4 giga per vista.
Ma dai...
ottimo.
Stavo gia pensando ai 4 giga per vista.
[/QUOTE]
... era una piccola "
Ma dai...
alludeva a Windows Fiji
Ne metto due e sono a posto.
Si... 8 GIGABYTES.
E poi un bel crollo dei prezzi, perfetto.
ciao
PS: presix? ma che stai a d
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