Micron Technology consegna memorie PCM a Nokia

Micron Technology consegna memorie PCM a Nokia

Il cellulare Nokia Asha utilizzerà le memorie a cambiamento di fase prodotte da Micron a 45 nanometri

di pubblicata il , alle 09:09 nel canale Memorie
Nokia
 

Micron Technology ha rifornito la sua gamma di memorie a cambiamento di fase (PCM - Phase Change Memory) a 45 nanometri che saranno consegnati in volumi importanti alla finlandese Nokia per la produzione dei più recenti modelli di smartphone.

Micron, stando alle informazioni riportate dal sito EETimes, sta consegnando le soluzioni PCM da 1-Gbit in package multichip all'azienda finlandese e sta ora effettuando il sampling dele soluzioni PCM a 512-Mbit assieme alle soluzioni MCP LPDDR2 a 512-Mbit. Nokia sta usando le memorie a cambiamento di fase di Micron per arricchire le funzionalità di "dispositivi selezionati" del proprio catalogo.

Secondo le informazioni disponibili, Micron dovrebbe consegnare nel complesso circa 10 milioni di unità di memorie PCM da 1-Gbit nel corso del 2012, grazie in particolare alla capacità di aver spuntato alcuni importanti contratti di fornitura proprio per la costruzione di soluzioni smartphone.

Le soluzioni PCM di Micron saranno utilizzate per i cellulari Nokia della serie Asha. Dirk Didascalou, senior vice president per i mobiel phones per Nokia, ha commentato: "Nokia ha da sempre trovato modi per offrire dispositivi mobile innovativi per i propri clienti attorno al mondo e le memorie PCM di Micron per il mobile ci permettono di migliorare le prestazioni degli smartphone Asha".

Attualmente le memorie PCM a 45 nanometri di Micron sono indirizzate all'impiego con telefoni cellulari, ma nel futuro prossimo l'azienda realizzerà soluzioni specificatamente mirate per i dispositivi tablet.

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8 Commenti
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sster17 Dicembre 2012, 10:19 #1
Ma per l'utente finale quali vantaggi ci sarebbero con queste memorie? Minori consumi in standby?
jappilas17 Dicembre 2012, 10:42 #2
maggiore durata (si parla di 100 milioni di riscritture contro le migliaia di cicli che la flash può reggere),
maggiori prestazioni (specie in scrittura, potendo scrivere il singolo bit piuttosto che dover leggere, cancellare e riscrivere modificato, un blocco di svariati KiB, cosiddetto eraseblock appunto - cosa che si ripercuote sulla durata, visto che il dover cancellare e riscrivere ogni volta molte più celle di quelle effettivamente modificate è ciò che sugli SSD rende critici fattori come l' algoritmo di wear leveling o il TRIM..)
maggiore resistenza alla corruzione (una cella di memoria flash riesce a mantenere la carica al suo interno, ma non indefinitamente, dopo una decina circa d' anni lo stato del bit diviene incerto - una cella PRAM / PCM in cui lo stato 0/1 è identificato dallo stato cristallino/amorfo del materiale è molto più stabile in questo senso, almeno finchè la temperatura ambiente non sale sopra gli 85-90 gradi...)

lo svantaggio è - per ora almeno - una molto minore densità (chip da 128Mbit) e il fatto che le produca solo Micron ...
ares248117 Dicembre 2012, 12:05 #3
Lo diciamo che è un prodotto di concezione e produzione italiana? Na volta tanto...
simolaviz17 Dicembre 2012, 14:44 #4
Originariamente inviato da: ares2481
Lo diciamo che è un prodotto di concezione e produzione italiana? Na volta tanto...


Concordo! E rilancio: è molto di più di un prodotto, è una tecnologia!!
LMCH17 Dicembre 2012, 16:02 #5
Finalmente iniziano a vedersi in giro, e tra fine 2013 ed il 2014 dovrebbero arrivare sul mercato pure le memorie a memristori (in teoria molto più "robuste" e con maggiori margini di crescita).
calabar18 Dicembre 2012, 11:17 #6
Quindi la serie Asha punterà sugli smartphone? Symbian?
Ad oggi gli smartphone di questa serie non sono molti.

Piuttosto c'è da chiedersi perchè una tecnologia tanto innovativa non venga invece utilizzata per i top di gamma, forse perchè questi montano maggiori quantità di memoria e l'ingombro sarebbe eccessivo?
O forse una questione di supporto da parte del sistema operativo?
Baboo8519 Dicembre 2012, 10:01 #7
Originariamente inviato da: jappilas
maggiore durata (si parla di 100 milioni di riscritture contro le migliaia di cicli che la flash può reggere),
maggiori prestazioni (specie in scrittura, potendo scrivere il singolo bit piuttosto che dover leggere, cancellare e riscrivere modificato, un blocco di svariati KiB, cosiddetto eraseblock appunto - cosa che si ripercuote sulla durata, visto che il dover cancellare e riscrivere ogni volta molte più celle di quelle effettivamente modificate è ciò che sugli SSD rende critici fattori come l' algoritmo di wear leveling o il TRIM..)
maggiore resistenza alla corruzione (una cella di memoria flash riesce a mantenere la carica al suo interno, ma non indefinitamente, dopo una decina circa d' anni lo stato del bit diviene incerto - una cella PRAM / PCM in cui lo stato 0/1 è identificato dallo stato cristallino/amorfo del materiale è molto più stabile in questo senso, almeno finchè la temperatura ambiente non sale sopra gli 85-90 gradi...)

lo svantaggio è - per ora almeno - una molto minore densità (chip da 128Mbit) e il fatto che le produca solo Micron ...


Grazie, spiegazione esauriente. Manca solo una cosa, avendo la stessa dimensione della memoria (mettiamo, 4GB) il costo com'e'? Uguale, inferiore, superiore...?

Originariamente inviato da: ares2481
Lo diciamo che è un prodotto di concezione e produzione italiana? Na volta tanto...


Ah si'? Ennesimo gol italiano fatto pero' (penso) non in itaGlia, giusto?
John Wine24 Gennaio 2013, 17:10 #8
Ci lavorava una mia amica alla Micron...Hanno mandato a casa un casino di persone...che tristezza. Scusate l'ot

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