Micron spinge sulle DRAM con il processo 1-beta: LPDDR5X-8500 pronte a spiccare il volo

Micron ha annunciato di aver iniziato a spedire ad alcuni produttori di smartphone i primi sample di memoria DRAM prodotta con processo 1β (1-beta). In particolare, la società statunitense ha realizzato con la nuova tecnologia della memoria LPDDR5X-8500 (8,5 gigabit al secondo) con capacità di 16 Gbit per die che troverà applicazione oltre che nel mondo della telefonia anche in altri settori, ad esempio quello dell'automotive.

Il processo 1β, basato sulla seconda generazione della tecnologia high-K metal gate (HKMG), migliora l'efficienza energetica di circa il 15% e la densità di bit di oltre il 35% rispetto al nodo 1α (1-alpha) introdotto nel 2021. Si tratta, inoltre, dell'ultimo processo produttivo basato su litografia DUV (deep ultraviolet) di Micron prima dell'adozione, a vari livelli, di quella EUV (extreme ultraviolet).

"Abbiamo spinto sull'innovazione in tutti i campi, comprese le tecniche di multi-patterning", ha affermato Thy Tran, vicepresidente per l'integrazione dei processi DRAM di Micron. "1β include nuovi processi, materiali e macchinari avanzati per far progredire la nostra integrazione delle celle di memoria in modo da poter ridurre l'array. […] Al fine di massimizzare i vantaggi tecnologici e le innovazioni in termini di progettazione, stiamo anche scalando in modo aggressivo l'altezza della cella e il resto dei circuiti nel die per risparmiare spazio e offrire il ​​die più piccolo possibile per una data densità, ottimizzando al contempo consumi e prestazioni".

Per quanto riguarda la nuova LPDDR5X, Micron ha implementato tecniche eDVFSC per il controllo dinamico di tensione e frequenze, in modo da assicurare i minori consumi possibili in modalità idle. Quanto alla commercializzazione in volumi della LPDDR5X-8500, partirà non appena verrà superata la necessaria fase di qualificazione presso i partner selezionati.