Memorie PRAM da Intel entro fine 2007

Memorie PRAM da Intel entro fine 2007

Phase-change random access memory: le memorie che andranno a sostuire le soluzioni Flash al debutto sul mercato tra alcuni mesi

di pubblicata il , alle 09:05 nel canale Memorie
Intel
 

Intel ha anticipato l'intenzione di immettere in commercio, nel corso della seconda metà del 2007, memorie PRAM, phase-change random access memory, da 128Mbit di capacità, utilizzando tecnologia produttiva a 90 nanometri. La notizia è stata ripresa dal sito eetimes a questo indirizzo.

Intel ha affermato di aver raggiunto risultati interessanti con queste nuove tecnologie di memoria, con cicli di lettura e scrittura delle memorie sino a 100 milioni di volte e capacità di memorizzazione ben superiore ai 10 anni, senza alcun tipo di conseguenza sui dati memorizzati.

Questa tecnologia permetterebbe infatti di avere a disposizione memorie sino a 500 volte più veloci di quelle Flash, con un consumo complessivamente pari alla metà. In occasione dell'International Electron Devices Meeting, evento svolto lo scorso mese di Dicembre 2006, IBM, Matronix e Qimonda hanno mostrato le caratteristiche tecniche di questa tecnologia, delineandone gli sviluppi futuri che potranno portare alla produzione dei primi prodotti.

Le caratteristiche tecniche delle memorie PRAM sono simili a quelle delle soluzioni Flash, in quanto anche queste sono di tipo non volatile mantenendo i dati al loro interno anche nel momento in cui viene a mancare l'alimentazione. Stando a quanto anticipato dalle 3 aziende sviluppatrici, le memorie PRAM possono essere scritte e riscritte un numero infinito di volte, al contrario delle soluzioni Flash. Queste memorie dovrebbero venir sviluppate utilizzando tecnologia produttiva a 20 nanometri, la cui adozione è attesa solo tra vari anni. Al momento attuale l'adozione di questa tecnologia produttiva è attesa attorno al 2015.

Il materiale scelto per l'archiviazione dell'informazione è di tipo cristallino, una lega di Germanio e Antimonio che, opportunamente portato ad una temperatura adeguata, cambia di fase. La natura dei materiali vetrosi non porta però alla liquefazione immediata una volta superata di poco la temperatura di fusione, ma ad un "ammorbidimento", quanto basta per far mutare il comportamento degli atomi presenti nel materiale e avere così un materiale sfruttabile per avere in pochissimo tempo un substrato di memorizzazione. Il successivo raffreddamento, che potrà essere lento (10 ns!) o immediato, potrà fissare l'informazione o rendere il substrato adatto ad un nuovo processo di archiviazione.

Samsung ha annunciato negli scorsi mesi di voler avviare la produzione di memorie PRAM già dal 2008; in questo caso la tecnologia produttiva adottata non sarà quella a 20 nanometri, ma presumibilmente quella a 45 nanometri se non addirittura a 65 nanometri. Negli scorsi mesi Samsung ha mostrato un proprio prototipo di memoria PRAM, capace di una velocità di 30 volte superiore rispetto a quella delle soluzioni Flash.

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21 Commenti
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Solido08 Marzo 2007, 09:13 #1
Queste si che sono delle belle notizie...speriamo solo che riescano ad uscire il prima possibile e che riescano ad ottimizzarle bene col resto del sistema
hh6408 Marzo 2007, 09:16 #2
Già me lo immagino un HD allo stato solido con questa tecnologia ...
NickOne08 Marzo 2007, 09:19 #3
... da usare preferibilmente in hardisk a stato solido.
Dix 308 Marzo 2007, 09:19 #4
FINALMENTE...............

sperimo che qualcosa si muovi... anche in direzioni hd solidi...
gas7808 Marzo 2007, 09:35 #5
certo.. una figata.. ma si parla del 2015 !

mettiamo che per avere prezzi interessanti debbano passare altri 2-3 anni.. secondo me sara' gia' obsoleto prima di nascere.
megawati08 Marzo 2007, 09:35 #6
MMMMM... tagli? Costo per megabyte?
Mi sa che l'entusiasmo è prematuro...
homoinformatico08 Marzo 2007, 09:40 #7
finalmente novità interessanti sullo storage...

n.b. a primo impatto avevo letto una lega di germanio e ADAMANTIO
.Kougaiji.08 Marzo 2007, 09:42 #8
Molto interessante.
Opteranium08 Marzo 2007, 09:49 #9

mi piace il raffreddameto "lento"...

10 ns !!!! ^__^''
hh6408 Marzo 2007, 10:02 #10
ADAMANTIO ... XMAN 3? ;-)

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