Memoria DDR3: Samsung sviluppa il primo prototipo
Attese al debutto solo nel 2006 le nuove memorie DDR3, capaci di velocità raddoppiate rispetto a quelle DDR2
di Paolo Corsini pubblicata il 18 Febbraio 2005, alle 09:21 nel canale MemorieSamsung
Attese al debutto solo nel 2006 le nuove memorie DDR3, capaci di velocità raddoppiate rispetto a quelle DDR2
di Paolo Corsini pubblicata il 18 Febbraio 2005, alle 09:21 nel canale Memorie
29 Commenti
Gli autori dei commenti, e non la redazione, sono responsabili dei contenuti da loro inseriti - info15-15-20-38-40T
si... ma un prototipo da 512 non dice nulla.
considerato che nel 2009 512mb saranno nella cache L1
512MB di cache L1 ci saranno forse nel 12009...
Forse tutto questo, come la diffidenza per tecnologie che promettono miracoli, è segno che finalmente gli utenti si svegliano e non danno peso a tutte le sparate delle grand case "finalmente"
...ha capacità di 512 Mbit e opera a 1.5 volt...
se non è un errore di battitura qui si parla di Megabit, non MegaByte... inoltre si parla di componente, non di banco completo, per come ho inteso io dovrebbe trattarsi del singolo chip di memoria, e un chip da 64MB non mi sembra così piccolo...la latenza di questo sample quant'è?
15-15-20-38-40T
Le latenze non sono importanti per le schede video...
le dd3 per memorie video esistono già
Re: ...ha capacità di 512 Mbit e opera a 1.5 volt...
se non è un errore di battitura qui si parla di Megabit, non MegaByte... inoltre si parla di componente, non di banco completo, per come ho inteso io dovrebbe trattarsi del singolo chip di memoria, e un chip da 64MB non mi sembra così piccolo...
appunto... il piccolo dettaglio è che quel componente, all' atto pratico verrà impiegato quasi sicuramente assieme a 7 esemplari uguali... per formare un banco da 512 MByte
sulle rambus, io sono ancora convinto che, soprattutto per l'epoca in cui uscirono, siano una tecnologia dal valore non indifferente, ... obiettivamente:
canali a 800-1200 mhz, a 16 bit ognuno , ma aggregabili fino a 4 od 8 come adesso si fa col pci express
una 30ina di piste per canale, invece delle 200 che servono per un singolo ddr channel a 64 bit
protocollo di comunicazione: i segnali di indirizzamento di righe e colonne vengono mandati assieme, seguiti da un unico segnale di STrobe (convalida) (piuttosto che Colonna- e poi STrobe, Riga - e poi di nuovo STrobe), per poi riutilizzare le piste per i dati in arrivo/uscita: in questo modo il valore scritto sui moduli (45 ns sui primi , su quelli successivi si arriva a 30) corrisponde alla latenza totale di transito attraverso il modulo (trattandosi appunto di CANALE e non di un BUS, i segnali devono propagarsi, e attraversare tutti i device che sul canale si trovano)
il problema delle rambus stava essenzialmente nel prezzo dei moduli in confronto alle DDR , nelle royalties, e nel fatto che, data la costruzione dei moduli di qualche anno fa, mettendone assieme più di uno per canale (cosa più che probabile sui server e le workstation), le latenze di attraversavento si sommano, e si passa da valori in nanosecondi tutto sommato paragonabili al totale di un canale DDR CAS3, si arriva a uno svantaggio che si avverte di più in ambiti in cui gli accessi in ram siano "sparsi" (DB...)
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