LPDDR5T, SK hynix sforna memorie a 9,6 Gbps per i futuri smartphone top di gamma

Si chiamano LPDDR5T, acronimo di Low Power Double Data Rate 5 Turbo. Stiamo parlando delle nuove memorie ad alta velocità messe a punto da SK hynix e destinate in prima istanza al settore mobile. La società sudcoreana ha fornito i sample della DRAM ai clienti, in modo da spingerne l'adozione nei futuri smartphone top di gamma.

"Le LPDDR5T operano con un data rate di 9,6 gigabit al secondo, il 13% più velocemente rispetto alla precedente generazione di LPDDR5X svelata nel novembre 2022 (8,5 Gbps, ndr)", dichiara SK hynix. Ed è al fine di sottolineare la nuova velocità massima che la società ha decido di aggiungere Turbo al nome LPDDR5.

Le memorie LPDDR5T, che operano con una tensione tra 1,01 e 1,12 V come stabilito dalla JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), sono state fornite ai clienti in sample da 16 GB che prevedono più chip su un singolo package.

SK hynix prevede di iniziare la produzione in volumi di LPDDR5T nella seconda metà dell'anno avvalendosi del processo produttivo 1a (uno alpha) ovvero la quarta generazione della tecnologia a 10 nanometri. La società si è nuovamente servita di materiale High-K Metal Gate (HKMG) - con un'elevata costante dielettrica per impedire dispersione di corrente, con grandi benefici per velocità e consumi - per queste memorie.

"Con lo sviluppo delle LPDDR5T, la società ha soddisfatto la domanda dei clienti di prodotti ad altissime prestazioni", ha dichiarato Sungsoo Ryu, Head of DRAM Product Planning presso SK hynix. "Continueremo a lavorare sullo sviluppo tecnologico per guidare il mercato dei semiconduttori di nuova generazione e diventare l'elemento rivoluzionario nel mondo IT". Prossima fermata LPDDR6.