Intel presenta il prototipo Z-Angle Memory: nuova architettura per sfidare HBM su efficienza e capacità

Intel ha mostrato pubblicamente il primo prototipo di Z-Angle Memory (ZAM), una nuova architettura di memoria sviluppata in collaborazione con SAIMEMORY, sussidiaria di SoftBank, con l'obiettivo dichiarato di affrontare alcuni dei limiti strutturali delle soluzioni HBM attualmente dominanti nel settore ad alte prestazioni. La collaborazione tra i due colossi era stato reso noto una decina di giorni fa.

La presentazione ufficiale è avvenuta durante l'evento Intel Connection Japan 2026, alla presenza di Joshua Fryman, Intel Fellow e CTO di Intel Government Technologies, e di Makoto Onho, CEO di Intel Japan. Fino a questo momento, ZAM era stata descritta principalmente attraverso documenti tecnici e comunicazioni istituzionali; l'esposizione di un prototipo segna quindi un passaggio concreto verso una possibile industrializzazione.

L'elemento distintivo della Z-Angle Memory risiede nella topologia delle interconnessioni interne allo stack di memoria. A differenza dell'approccio tradizionale, che prevede collegamenti verticali diretti tra i die DRAM sovrapposti (come nel caso delle TSV utilizzate nelle HBM), ZAM introduce una configurazione "sfalsata" con interconnessioni in rame inclinate diagonalmente attraverso lo stack.

Secondo quanto illustrato da Intel, questa soluzione consentirebbe di distribuire in modo più efficiente sia i segnali sia il carico termico, mitigando uno dei principali vincoli delle memorie ad alta densità: la gestione del calore generato in configurazioni 3D ad elevata integrazione.

Tra i benefici potenziali indicati nei materiali presentati figurano una riduzione dei consumi energetici nell'ordine del 40-50%, la semplificazione dei processi produttivi grazie alla diversa architettura di interconnessione e una capacità per chip fino a 512 GB.

Il dato relativo ai consumi è particolarmente rilevante in un contesto in cui le memorie HBM sono impiegate soprattutto in ambito AI e HPC, settori nei quali l'efficienza energetica rappresenta un fattore critico tanto quanto la larghezza di banda. Un miglioramento in questo ambito potrebbe tradursi in vantaggi sia per i datacenter sia per applicazioni governative e scientifiche ad alta intensità computazionale.

L'incremento della capacità per chip, inoltre, suggerisce un posizionamento diretto nei confronti delle attuali soluzioni HBM di fascia alta, oggi centrali nelle GPU per accelerazione AI e nei sistemi di calcolo ad alte prestazioni.

Al momento non sono stati comunicati dettagli su roadmap produttive, processi tecnologici o tempistiche di commercializzazione. È significativo che Intel, uscita dal business DRAM diversi decenni fa e da quello NAND Flash negli scorsi anni, torni ora a esplorare in modo diretto il mercato della memoria.

Resta da verificare se le promesse in termini di efficienza, capacità e semplificazione produttiva troveranno conferma in implementazioni concrete e competitive rispetto all'ecosistema HBM, oggi ampiamente consolidato. Per ora, Z-Angle Memory si presenta come un progetto ambizioso e dal futuro tutto da scrivere.