Intel e Micron: chip di memoria flash da 34 nanometri

Intel e Micron: chip di memoria flash da 34 nanometri

I due colossi annunciano di aver realizzato il primo chip di memoria con un processo produttivo inferiore ai 40 nanometri

di pubblicata il , alle 08:57 nel canale Memorie
Intel
 

IM Flash Technologies, la joint venture partecipata da Intel e Micron, ha annunciato nel corso della giornata di ieri di aver ultimato lo sviluppo e la realizzazione di un chip di memoria NAND flash con processo produttivo a 34 nanometri.

Si tratta di un chip di tipo MLC, Multi-Level Cell, da 32 gigabit. Rappresenta il primo prodotto NAND al di sotto dei 40 nanometri ed è stato progettato in vista di una sempre più crescente produzione di dispositivi di storage a stato solido.

La tecnologia produttiva è stata sviluppata congiuntamente da Intel e Micron; i chip vengono realizzati su wafer da 300 millimetri di diametro, con il risultato che ciascun wafer è in grado di produrre un totale complessivo di 1,6 terabyte di memoria NAND.

Brian Shirley, vicepresidente di Micron, ha commentato: "Si tratta della maggiore densità di memoria disponibile attualmente nell'industria. Assieme ad Intel siamo orgogliosi di avere conquistato il primo posto nelle tecnologie dei processi produttivi".

Il nuovo chip NAND flash da 32 gigabit è l'unica soluzione "monolitica" di tale densità che può essere inserita in un package di tipo TSOP (thin small-outline package) per consentire il raggiungimento di elevate densità di memoria in form factor molto compatti.

L'impiego di questo tipo di chip consentirà di sorpassare nelle unità a stato solido l'attuale capienza massima di 256GB con un contenimento dei costi di produzione.

Nel corso dell'anno, inoltre, Micron e Intel hanno giò pianificato l'introduzione di altre soluzioni sia single-level cell, sia multi-level cell da 34nm con minore densità di memoria.

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8 Commenti
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za8730 Maggio 2008, 09:18 #1
ben venga la corsa all'aumento dei Gb.
alla fine siamo tutti qui ad aspettare che si abbassino a prezzi competitivi
Paganetor30 Maggio 2008, 09:18 #2
speriamo che questo traguardo abbia più effetti:
- il raggiungimento di elevate capacità dei supporti
- disponibilità di supporti di capacità contenuta (nell'ordine delle poche decine di giga) ma di dimensioni veramente piccole (per i dispositivi mobile)
- calo dei prezzi
DevilsAdvocate30 Maggio 2008, 09:42 #3
Qualcosa non mi torna... solo 1,6 terabyte ? Non mi pare molto di piu' delle precedenti generazioni.
gas7830 Maggio 2008, 09:44 #4
ciascun wafer è in grado di produrre un totale complessivo di 1,6 terabyte di memoria NAND


A me un wafer
firestormrudy30 Maggio 2008, 13:45 #5
mmm mi immagino gli ipoddoli senza hdd con un paio di sti chip...
ci carichi su un os da fantascienza... se poi monta pure il proiettorino di cui si parlava i giorni scorsi e si collega in wifi e wimax...
sto sognando... sarebbe la fine della mia vita sociale^^
bjt230 Maggio 2008, 17:50 #6
Speriamo che si convertano a wafer da 450mm come sta per fare TSMC...
l'arcangelo31 Maggio 2008, 00:09 #7
Originariamente inviato da: bjt2
Speriamo che si convertano a wafer da 450mm come sta per fare TSMC...


ho pensato la stessa cosa...ovviamente il tutto per far risparmiare l'tente finale...ma credo che pasera un po di tempo prima che diventino economicamente appetibili
kl31n03 Giugno 2008, 19:38 #8
Uhmmm, 1.6TB = 400 chips. Supponendo che sprechino (PI - 3) * r^2 del wafer, sono (3 * 225/4) mm^2 a chip, ossia, se li fanno quadrati, un affare con uno spigolo di circa 1.7 * 7.5 mm. Non è male per 32Gbit.

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