IBM e TDK, progetto congiunto per memorie MRAM

IBM e TDK Corporation hanno annunciato un programma di ricerca e sviluppo congiunto con l'obiettivo di realizzare memorie MRAM - Magnetic Random Access Memory che si basano sugli effetti del trasferimento del momento angolare di spin. I due colossi sono convinti che questo percorso permetterà di approdare alla realizzazione di celle di memoria notevolmente più compatte rispetto a quanto avviene con le attuali tecniche di produzione.

IBM ha occupato un posto di rilievo per ciò che concerne gli studi e gli sviluppi portati avanti nel campo della tecnologia MRAM, oltre ad essere pioniera nello sviluppo della giunzione a tunnel magnetico (MTJ) e nello studio degli effetti del trasferimento del momento angolare di spin sul quale si basa questo tipo di memoria. TDK, di contro, ha sviluppato una buona esperienza nell'applicazione sul campo della tecnologia MTJ per quanto riguarda la produzione delle testine di lettura/scrittura dei dischi rigidi.

Come già abbiamo avuto modo di illustrare in passato, le memorie Magnetic RAM presentano una serie di vantaggi rispetto agli altri tipi di memorie presenti sul mercato: minore consumo energetico, maggiore velocità di lettura/scrittura, più estesa durevolezza nel tempo e la non-volatilità delle informazioni (i dati vengono mantenuti in assenza di corrente).

L'adozione e la diffusione di queste memorie è tuttavia ostacolata dall'attuale impossibilità di incrementarne la capacità senza levitare esponenzialmente i costi di produzione. A tal proposito la tecnologia spin momentum transfer permetterà di ridurre la dimensione delle celle di memoria, consentendo così di incrementare la capacità in modo conveniente e conservando tutti i vantaggi precedentemente esposti.

Il percorso che IBM e TDK intendono seguire permetterà di arrivare alla realizzazione delle cosiddette Spin Torque Transfer RAM (STT-RAM), il cui principio di funzionamento è basato sulla variazione della direzione di campi magnetici tramite l'applicazione di una corrente elettrica. La direzione di un campo magnetico determina una resistenza, con la conseguente possibilità di interpetare come "0" oppure "1" le differenti intensità.

Secondo i piani di sviluppo delle due realtà, i primi prototipi funzionanti a 65 nanometri saranno realizzati nel corso dei prossimi quattro anni.

Fonte: Xbitlabs