IBM e TDK, progetto congiunto per memorie MRAM

Sì secondo il modello standard che non contempla la gravità e non è un modello completo in accordo con la relatività generale...
Il senso della frase infelice voleva essere che lo spin è una proprietà che si può considerare al di là del modello preso in esame, visto che il concetto è stato inizialmente introdotto (col termine spin) già nella meccanica classica e poi trasposto in quantistica e fisica delle particelle, mea culpa comunque... mi sono espresso male... tutta la questione dello spin transfer e della spintronica in generale, riguarda lo spin dell'elettrone, da qui l'esempio.

Dunque, su Wikipedia inglese c'e' qualche informazione sul trasferimento di spin:

http://en.wikipedia.org/wiki/Spin_Transfer_Switching
http://en.wikipedia.org/wiki/MRAM#Description

A quanto ho capito la cosa e' "semplice". Se una cella di memoria passa da uno stato 0 ad uno stato 1 o viceversa, ad esempio cambiando magnetizzazione lungo la direzione positiva di un asse Z dalla direzione positiva a quella negativa, lo spin degli elettroni cambia.

Cio' e' abbastanza facile da capire, se si considera l'elettrone come una particella carica sferica che gira intorno al proprio asse (dite una cosa del genere ad uno studioso di fisica quantistica e vi uccide... :P). La rotazione genera un momento magnetico che puo' cambiare grazie ad un campo magnetico esterno (ossia gli strati ferromagnetici della MRAM).

Naturalmente, il cambio di spin genera un momento torcente, che puo' essere trasmesso alle celle di memoria vicine. Questa energia trasmessa permette di poter utilizzare meno energia, e quindi meno corrente, per cambiare lo stato delle celle, e cioe' per scrivere sulla MRAM. Questo permette quindi di ridurre le dimensioni stesse delle celle. Infatti una corrente elettrica troppo intensa potrebbe casualmente influire anche su celle di memoria vicine su cui non si vuole scrivere.