Adesto acquisisce la proprietà intellettuale di Qimonda sulle CBRAM

Adesto acquisisce la proprietà intellettuale di Qimonda sulle CBRAM

Oltre 30 brevetti di Qimonda, riguardanti le memorie Conductive-Bridging RAM sono stati acquisiti da Adesto Technologies

di pubblicata il , alle 12:08 nel canale Memorie
 

Adesto Technologies ha annunciato di aver acquisito da Qimonda AG la proprietà intellettuale e i brevetti relativi alle memorie Conductive-Bridging Random Access Memory (CBRAM), che la stessa Adesto sta sviluppando ed è pronta a portare nella fase di produzione sample per il primo trimestre del prossimo anno. L'accordo include 30 famiglie di brevetti CBRAM e le licenze per ulteriori brevetti che non sono stati rivelati.

Ricordiamo che Qimonda, ex-produttore di chip di memorie tedesco, è sotto amministrazione controllata sin dal mese di gennaio 2009. Durante il periodo di amministrazione controllata Qimonda ha provveduto alla rivendita dei suoi circa 10 mila brevetti e richieste di brevetto, provenienti da anni di di attività di ricerca e sviluppo nel campo dei semiconduttori.

Di Adesto ne abbiamo già parlato la scorsa settimana: si tratta di una startup che si è lanciata nel campo dello sviluppo e della (futura) produzione delle memorie CBRAM, particolari memorie che si basano sulla tecnologia denominata Programmable Metallization Cell - PMC e vengono realizzate con processo produttivo a 130 nanometri.

Le memorie CBRAM, soluzioni compatibili CMOS e a basso consumo, hanno tutte le carte in regola per essere considerate potenziali eredi delle attuali memorie flash oltre alla possibilità di essere impiegate per una vasta gamma di applicazioni in formato discreto od embedded.

Narbeh Derhacobian, Chief Executive Officer di Adesto, ha commentato: "Il nostro accordo con Qimonda permette ad Adesto di assumere il ruolo di leader nelle tecnologie di memoria CBRAM e migliora tremendamente la nostra attuale posizione IP in quest'area. Siamo colpiti dalla proprietà intellettuale sviluppata da Qimonda e crediamo che ci permetterà di accelerare il nostro time to market nella proprosta nostre soluzioni di memoria agli utenti finali, negli spazi applicativi discreti ed embedded".

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5 Commenti
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supertigrotto07 Ottobre 2010, 13:00 #1

In pratica sd e ssd?

Credo si riferisca a questo no????
O sbaglio?
supertigrotto07 Ottobre 2010, 13:02 #2

ricordo male o....

le cbram sono molto più veloci delle memorie flash e con tempo di accesso decisamente più basso?
Inoltre una maggiore durata nelle scritture.....
Correggetemi se sbaglio.....
SuperSandro07 Ottobre 2010, 17:35 #3
Originariamente inviato da: supertigrotto
Credo si riferisca a questo no????
O sbaglio?


Originariamente inviato da: supertigrotto
le cbram sono molto più veloci delle memorie flash e con tempo di accesso decisamente più basso?
Inoltre una maggiore durata nelle scritture.....
Correggetemi se sbaglio.....


Sì, va be', però: ci vuole tanto ad aggiungere una breve nota del genere: Le memorie cbram sono più / meno veloci, consumano di più / di meno, sono più belle / più brutte, costeranno di meno / di più. Eccheccacchio!
djfix1308 Ottobre 2010, 10:24 #4
ma c'è già il riferimento all'articolo precedente, cosa avete da brontolare...
djfix1308 Ottobre 2010, 10:27 #5

x chi vuole un sunto della CBram

La tecnologia Cbram (Conductive Bridging Ram) è stata sviluppata dalla Arizona State University e dal suo spinoff Axon Technologies. È basata sulle proprietà di un elettrolita solido (generalmente solfuro di germanio drogato con rame) posto tra un elettrodo relativamente inerte (ad esempio tungsteno) e uno elettrochimicamente attivo (ad esempio argento o rame). In queste condizioni l'applicazione di un campo elettrico tra i due elettrodi provoca uno spostamento di ioni metallici nell'elettrolita con la conseguente formazione di “nano-fili” conduttivi. L'operazione di scrittura, pertanto, provoca la diminuzione della resistenza sul percorso del segnale. I nano-fili rimangono stabili anche in assenza del campo elettrico che ne ha provocato la formazione; l'applicazione di un campo elettrico inverso, tuttavia, riporta gli ioni metallici verso le loro posizioni iniziali, rompendo così i nano-fili e aumentando nuovamente la resistenza. I principali vantaggi della tecnologia Cbram sono basso consumo, alta velocità di scrittura, lunga durata e la possibilità teorica di raggiungere dimensioni di cella pari a quelle di pochi ioni. Vari produttori di memorie hanno acquistato da Axon la licenza di questa tecnologia mentre Nec ha sviluppato una propria variante denominata “Nanobridge”.

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