Addio SRAM? La nuova tecnologia GCRAM promette 10 volte più efficienza

RAAAM Memory Technologies, startup israeliana con un centro di ricerca e sviluppo in Svizzera, ha annunciato la chiusura di un round di finanziamento Serie A da 17,5 milioni di dollari, portando il totale raccolto a oltre 24 milioni. Il round, sovrascritto rispetto alle previsioni, è stato guidato da NXP Semiconductors e ha coinvolto una multinazionale del networking, IAG Capital Partners, EIC Fund, LiFTT, Alumni Ventures e gli investitori già presenti nel capitale della società.

L'investimento consentirà a RAAAM di portare a piena qualificazione la propria tecnologia brevettata di memoria on-chip GCRAM (Gain-Cell RAM) con i processi produttivi più avanzati, collaborando con diverse fonderie di primo piano. La startup ha già dimostrato il funzionamento della propria soluzione su silicio reale e avviato una stretta partnership con NXP.

Secondo il CEO e cofondatore Robert Giterman, la fiducia degli investitori conferma il potenziale rivoluzionario di GCRAM, pensata per risolvere il collo di bottiglia della memoria nei chip AI di nuova generazione, offrendo maggiore densità e minore consumo energetico rispetto allo SRAM.

Dal punto di vista tecnico, la GCRAM è una memoria embedded che può essere realizzata con processi CMOS standard e utilizzata come sostituto diretto dello SRAM. Rispetto alle soluzioni convenzionali, consente una riduzione dell'area fino al 50% e un consumo energetico fino a dieci volte inferiore, grazie a una cella di memoria a bit unitaria proprietaria.

Questa architettura permette inoltre di separare le porte di lettura e scrittura, garantendo un funzionamento nativamente dual-port senza costi aggiuntivi e un significativo incremento della banda di memoria. La tecnologia offre anche la capacità di scalare la tensione operativa fino a 450 mV nei processi a 16nm FinFET, con un ulteriore abbattimento dei consumi.

Il vantaggio di densità e potenza rende GCRAM particolarmente interessante per applicazioni in machine learning, Internet of Things, automotive e realtà aumentata/virtuale, settori in cui la quantità di dati gestita cresce rapidamente. L'accesso alla memoria off-chip, come la DRAM esterna, comporta infatti latenze e consumi fino a 1000 volte superiori rispetto ai movimenti di dati interni al chip.

RAAAM punta così a mitigare questo limite strutturale offrendo una memoria integrata più efficiente, capace di ridurre o eliminare del tutto il ricorso alla DRAM esterna, migliorando la banda complessiva e riducendo i costi di produzione grazie alla minore superficie del die.

Il Vicepresidente di Front-End Innovation di NXP, Victor Wang, ha evidenziato come la collaborazione con RAAAM duri già da diversi anni e come la tecnologia GCRAM possa rappresentare una risposta concreta alle sfide di densità e consumo nei chip di nuova generazione.

Anche l'EIC Fund - il braccio finanziario dello European Innovation Council - ha sostenuto l'iniziativa, sottolineando come il progetto contribuisca al rafforzamento della leadership tecnologica europea nella catena del valore dei semiconduttori.

Con una validazione già ottenuta su nodi produttivi compresi tra 16nm e 180nm, e con test riusciti anche su tecnologie FinFET a 5nm, RAAAM si prepara ora a portare GCRAM verso l'adozione industriale su larga scala.