Addio Robert Heath Dennard, morto il papà della memoria DRAM

Il 23 aprile 2024 è deceduto Robert Heath Dennard, pioniere dell'ingegneria elettronica e padre della memoria DRAM, la memoria volatile che ancora oggi è fondamentale per i nostri computer, ma non solo. La notizia si è diffusa solo in queste ore.

Nato nel 1932 a Terrell, in Texas, Dennard trascorse i suoi primi anni di vita in una fattoria senza elettricità, frequentando le lezioni in una scuola con una sola aula. Il suo talento come suonatore di corno francese gli valse una borsa di studio alla Southern Methodist University, dove decise di studiare ingegneria elettrica.

Nel 1958, completato il suo dottorato di ricerca in ingegneria elettrica presso il Carnegie Institute of Technology, l'attuale Carnegie Mellon, Dennard si unì a IBM come ricercatore - azienda in cui rimase fino a fine carriera.

Dopo aver studiato la progettazione di transistor a effetto di campo (MOSFET) e le applicazioni dei circuiti per semiconduttori a ossido di metallo, nel 1964 Dennard entrò in un team intento a progettare un sostituto per la memoria a nucleo magnetico. Inizialmente svilupparono una soluzione alternativa che usava sei transistor MOS per stoccare 1 bit d'informazione, ma la tecnologia era troppo lenta.

"Una notte, mentre era sdraiato sul divano e rifletteva su una presentazione tenuta dai suoi colleghi all'inizio della giornata, gli venne un'idea: e se fosse possibile memorizzare un po' di informazioni in un singolo transistor? Questa intuizione è stata il catalizzatore della DRAM, l'innovazione più importante di Dennard", spiega una pagina sul sito di IBM che gli rende onore.

La tecnologia DRAM ha spazzato via qualsiasi idea concorrente e ancora oggi domina il settore, ma non è l'unico lascito che Robert Dennard ha lasciato al mondo della tecnologia. Nel 1972, Dennard delineò una teoria, nota come Dennard Scaling, o legge di Dennard, che derivava dalla legge di Moore.

La legge di Moore afferma che il numero di transistor presenti in un determinato spazio raddoppia all'incirca ogni due anni. Secondo la teoria di Dennard, le prestazioni per ogni watt aumentano all'incirca allo stesso ritmo, il che significa più semplicemente che i transistor consumano meno con la miniaturizzazione. La teoria ha resistito fino ai primi anni 2000, quando problemi come la corrente di dispersione e la tensione di soglia hanno iniziato a impedire di alzare il clock e le prestazioni, senza causare un eccessivo aumento della temperatura.

Dennard ha ricevuto numerosi premi e riconoscimenti nel corso della sua carriera. Nel 1979 è stato dichiarato IBM Fellow e nel 1988 ha ricevuto dal Presidente Ronald Reagan la National Medal of Technology and Innovation. Nel 1997, Dennard è stato inserito nella U.S. National Inventors Hall of Fame e nel 2009 ha ricevuto la IEEE Medal of Honor. Infine, nel 2019, la definitiva consacrazione con il Robert N. Noyce Award conferito dalla Semiconductor Industry Association (SIA).