TSMC ordina scanner EUV da ASML per prepararsi ai 7 nanometri

TSMC ordina scanner EUV da ASML per prepararsi ai 7 nanometri

La fonderia taiwanese ha già ordinato due scanner EUV che saranno però inizialmente convertiti alla produzione standard e successivamente potrebbero essere valutati per la produzione a 7 nanometri

di Andrea Bai pubblicata il , alle 11:07 nel canale Processori
 

ASML, la più importante azienda europea che realizza macchinari per la produzione di chip, afferma che TSMC ha intenzione di acquistare i primi scanner EUV (Extreme UltraViolet) il prossimo anno per estendere i confini della tecnologia di processo verso i 7 nanometri.

Frits van Hout, executive vice president di ASML, ha affermato: "Gli scanner EUV sono per i 10 nanometri. TSMC li utilizzerà per prepararsi alla produzione a 7 nanometri". La fonderia taiwanese non ha però voluto rilasciare alcun commento.

Il passaggio verso la litografia EUV potrebbe segnalare un cambiamento di paradigma nella concezione della prossima generazione di processo produttivo. Fino ad ora, infatti, si è sempre ipotizzato l'impiego della litografia tradizionale ad immersione per la produzione di chip a 10 nanometri invece dei sistemi EUV, a lungo rinviati.

ASML ha dichiarato lo scorso 24 novembre che TSMC ha ordinato due sistemi NXE:3350B EUV per la consegna nel 2015 con l'intenzione di usarli in produzione. In aggiunta ASML ha dichiarato che due sistemi NXE:3300B già consegnati a TSMC sono stati aggiornati alle prestazioni di NXE:3350B.

Osserva van Hout: "L'interrogativo è su quando EUV sia sufficientemente maturo da poter essere messo in produzione. TSMC fa la prima mossa e suppogno che tutti scopriranno che le leggi della fisica valgono in qualsiasi parte del mondo e giungeranno a simili conclusioni nel momento giusto per loro".

Intel nel corso dei mesi passati ha già dichiarato di vedere spiragli per poter proseguire sulla strada tracciata con la legge di Moore fino ai 7 nanometri senza dover mettere mano alla tecnologia EUV. L'azienda di Santa Clara ha comunque investito, nel luglio del 2012, 4,1 miliardi di dollari per velocizzare l'adozione della tecnologia EUV. Nel mese successivo TSMC ha investito 1,4 miliardi di dollari in ASML per assicurarsi le competenze produttive in ambito EUV. Riferendosi ad Intel, van Hout spiega: "Bisogna leggere attentamente ciò che dicono. Chiunque può affermare di avere una soluzione tecnica senza EUV, la possibilità è già stata dimostrata, ma tutti affermano anche di voler usare EUV il prima possibile per ridurre complessità, incrementare rese e abbassare i costi. Non è una questione di se; tutti ne hanno bisogno e non possono raggiungere risultati di rilievo senza di essa".

TSMC potrebbe iniziare a realizzare chip a 7 nanometri nel 2018 con gli scanner EUV acquistati da ASML. van Hout commenta a tal proposito: "Il co-CEO di TSMC Mark Liu ha affermato che vorrebbe rendere operativi i macchinari per la risk production entro la fine del 2015 e per la produzione nel 2016. Non hanno però fatto ancora alcun annuncio su quando sarà avviata la produzione a 7 nanometri. Di norma la cadenza è di due anni, forse poco di più".

Secondo le informazioni disponibili TSMC non vuole utilizzare la litografia EUV per i 10 nanometri, ma sta lavorando con ASML per sviluppare gli strumenti per la tecnologia di processo. La fonderia taiwanese sta cercando un punto d'ingresso successivo ai 10nm. Gli scanner EUV saranno inizialmente convertiti alla produzione standard, cui verranno aggiunte altre due unità il prossimo anno. A seconda dei risultati TSMC deciderà se proseguire al nodo successivo o se estendere l'impiego per i 10 nanometri.

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4 Commenti
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benderchetioffender09 Dicembre 2014, 11:47 #1
ma il limite non stava nel fatto che la molecola di silicio è grande 11nm?
bobafetthotmail09 Dicembre 2014, 11:59 #2
il silicio ha una struttura cristallina, non ha "molecole". gli spazi tra un atomo e l'altro nel blocco sono tipo 0,5 nm. (wikipedia per il numero)
coschizza09 Dicembre 2014, 12:08 #3
Originariamente inviato da: benderchetioffender
ma il limite non stava nel fatto che la molecola di silicio è grande 11nm?

ha scritto correttamente l'utente sopra, con una struttura a 11nm non sarebbe possibile fare nessuna cpu nemmeno a 22,32,40nm,65nm ecc altro che 7-10nm
Personaggio09 Dicembre 2014, 22:40 #4
quindi il limite sarà 4/5 nm?

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