TSMC ha già pianificato l'arrivo dei chip a 1 nm: l'attesa non sarà lunga

TSMC ha già pianificato l'arrivo dei chip a 1 nm: l'attesa non sarà lunga

TSMC guarda al futuro e ha già in programma un importante salto generazionale per le sue attività con l'avvio del nodo a 1 nm. Serviranno alcuni anni, però, per poter avviare la produzione

di pubblicata il , alle 09:41 nel canale Processori
TSMC
 

TSMC guarda al futuro e punta già al prossimo step generazionale per i suoi processi produttivi. L'azienda, infatti, vuole accelerare lo sviluppo del nodo a 1 nm e sta lavorando alla realizzazione di diversi nuovi stabilimenti, in modo da poter incrementare la produzione nel lungo periodo.

Ancora qualche anno di attesa

Le ultime informazioni sui programmi di TSMC chiariscono quelle che dovrebbero essere le tempistiche che l'azienda seguirà per passare al nuovo processo produttivo a 1 nm, destinato a rappresentare un ulteriore salto generazionale per le attività del produttore di chip.

L'obiettivo è avviare la produzione dei nodi a 1 nm tra il 2030 e il 2031. Molto dipenderà dal completamento dei lavori per la realizzazione di nuovi stabilimenti. L'azienda, infatti, avrebbe 12 stabilimenti in costruzione e punta, quindi, a incrementare ulteriormente le sue attività nel corso dei prossimi anni.

Prima del passaggio al nodo a 1 nm, è previsto il passaggio a 2 nm, previsto per la seconda metà del 2026. Successivamente, ci sarà una serie di step intermedi compreso il già annunciato nodo a 1,6 nm che dovrebbe avere NVIDIA come unico cliente. In cantiere c'è uno step anche a 1,4 nm, destinato a vari produttori come Apple, Qualcomm e MediaTek.

I piani dell'azienda potrebbero cambiare in futuro. La situazione andrà analizzata anno dopo anno per capire quali saranno le tempistiche reali con cui TSMC andrà ad aggiornare le sue attività produttive. Ulteriori dettagli arriveranno già nei prossimi mesi, con il passaggio ai 2 nm ormai imminente.

6 Commenti
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LMCH20 Maggio 2026, 12:09 #1
Mi chiedo quando abbandoneranno queste denominazioni-farsa.

Un processo "20A" va inteso come "se utilizzassimo gate planari 'classici' questo gate avrebbe una feature size di 2 nanometri" ... il problema é che la radiazione EUV utilizzata per fotolitografare ha una lunghezza d'onda di 13,5 nanometri ed anche facendo ricorso a tutti i barbatrucchi con reticoli di diffrazione per fotolitografare ad 1/4 di lunghezza d'onda ... al massimo si arriverebbe a gate molto leaky con feature size da 3,375 nanometri.

In pratica cosa intendono per 10A (1 nanometro) ?
Nuove geometrie dei gate? Nuovi materiali? Nuovi processi di stacking dei layer ?
AlexSwitch20 Maggio 2026, 12:32 #2
Credo che intendano la dimensione del gate del nodo... Costruire un intero transistor a 2 o meno nanometri ci si ritroverebbe con gli elettroni che se andrebbero " a zonzo " per i circuiti a causa dell'effetto tunnel.
Oramai con la miniaturizzazione siamo al limite fisico, è tempo di pensare ad architetture più efficienti in termini di quantità di transistor.
mmorselli20 Maggio 2026, 12:32 #3
Originariamente inviato da: LMCH
Mi chiedo quando abbandoneranno queste denominazioni-farsa.


è brutto il fatto che abbiano mantenuto il termine nanometri, però ha una sua utilità pratica dal momento che ti permette di fare un confronto lineare anche con il passato, non solo con il presente.

Lato marketing è importante fornire una metrica chiara che fa capire cosa è il miglioramento di cosa. Immagina se le GPU si chiamassero 3764AB, 9871KR, 51232A ... diventa dura metterle in fila per prestazioni e caratteristiche.

Un processo costruttivo ha lo stesso problema, come faccio a rendere l'idea che il processo B è migliore del processo A con una metrica verificabile oltre che chiara?
Final5020 Maggio 2026, 13:29 #4
Tutto questo mi ha ricordato una cosa, ma l'intel 18A che fine ha fatto?
LMCH20 Maggio 2026, 21:02 #5
In risposta ad AlexSwitch e mmorselli:
Le denominazioni in nanometri ed angstrom utilizate per descrivere i processi di più avanzati sono essenzialmente realistiche come le mucche sferiche di certi vecchi esercizi di fisica e matematica.

In teoria si dovrebbere intendere come "feature size di un MOSFET planare che opera a qualsiasi dimensione in modo 'classico' senza risentire degli effetti quantistici dai limiti imposti dalle dimensioni degli atomi"
MA
l'equivalenza viene calcolata in modo diverso dai vari operatori del settore (in teoria perché cambiando la geometria dei gate ed i materiali utilizzati bisogna calcolare l'equivalenza in modo diverso, in pratica mica tanto).

Basta ricordare i processi produttivi di Intel che da "10nm Enhanced SuperFin" e "7nm" sono automagicamente diventati "Intel 7" ed "Intel 4".
mmorselli20 Maggio 2026, 21:08 #6
Originariamente inviato da: LMCH
In risposta ad AlexSwitch e mmorselli:
Le denominazioni in nanometri ed angstrom utilizate per descrivere i processi di più avanzati sono essenzialmente realistiche come le mucche sferiche di certi vecchi esercizi di fisica e matematica.


Le Mucche Sferiche A Densità Uniforme (MSADU) rivelano molto sulla tua età

Però rimane che servono denominazioni che consentono di capire in modo chiaro il progresso da un processo all'altro. Alla fine anche il petrolio lo misuriamo in barili, però mica viaggia nei barili, semplicemente continuando ad usare la stessa misura possiamo fare confronti nel tempo a partire dagli albori, quando appunto si trasportava in barili (che perdevano un po' di petrolio durante il trasporto, e questo ha determinato la sua capacità

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