TSMC adotterà la litografia EUV a partire dai 5 nanometri

TSMC adotterà la litografia EUV a partire dai 5 nanometri

La fonderia taiwanese adotterà interamente la litografia all'ultravioletto estremo entro il 2020 con la produzione a 5 nanometri. Intanto i primi frutti del nodo a 10 nanometri arriveranno nel corso della prima metà del prossimo anno

di Andrea Bai pubblicata il , alle 10:01 nel canale Processori
TSMC
 

La taiwanese TSMC ha dichiarato di voler implementare completamente la litografia all'ultravioletto estremo (EUV - Extreme Ultraviolet Litography) per la produzione dei processori a 5 nanometri entro il 2020.

Il co-CEO di TSMC, Mark Liu, ha affermato: "Abbiamo stimato che EUV sarà uno strumento economicamente vantaggioso per la produzione ad elevati volumi entro il 2020, in tempo per l'avvio della produzione a 5nm. Pianifichiamo di usare la litografia EUV estensivamente nella produzione a 5nm per migliorare la densità, semplificare la complessità del processo e ridurre i costi".

La società ha dichiarato di sfruttare i 7 nanometri come mezzo di sviluppo per l'EUV, raggiungendo ciò che viene definita come una buona integrazione tra scanner EUV, maschere e photoresist. TSMC ha inoltre affermato di operare quattro EUV scanner d'avanguardia per lo sviluppo di infrastrutture e per il quarto trimestre del 2017 c'è in programma l'impiego di altri due strumenti NXE:3400 EUV di ASML.

Fino ad ora la disponibilità commerciale di EUV è un tema piuttosto dibattuto e oscuro. I concorrenti di TSMC, primo fra tutti Samsung, sembrano più convinti della fruibilità della tecnologia rispetto alla fonderia taiwanese, e la stessa Samsung aveva dichiarato la possibilità di utilizzare la litografia all'ultravioletto estremo con il processo di produzione a 7 nanometri.

TSMC ha inoltre fornito alcuni aggiornamenti sui processi produttivi che ancora devono arrivare alla fase di produzione commerciale. Anzitutto la società ha osservato che potrà raccogliere i primi frutti, in termini di fatturato, della produzione a 10 nanometri nel corso del primo trimestre del 2017 e si aspetta che questo nodo di processo cresca rapidamente nel corso dell'anno. "Il processo a 10 nanometri è stato trasferito dalla fase di ricerca e sviluppo alla produzione. I primi prodotti per i nostri clienti sono stati realizzati con rese soddisfacenti. Fino ad ora abbiamo già ricevuto il tape out di tre prodotti" ha spiegato Liu.

Per quanto riguarda invece il nodo produttivo a 7 nanometri, TSMC afferma che il miglioramento delle rese su un chip di test SRAM a 256 megabit è superiore al previsto. "Crediamo che la PPA (Power, Performance, Area Density) del nostro processo a 7nm sia migliore rispetto alla concorrenza. Tutti i clienti hanno piani aggressivi per il tape out di chip per la prima metà del 2017 con la produzione in volumi pianificata per la prima parte del 2018" afferma Liu.

La società ha inoltre riconfermato le aspettative per il fatturato e gli utili operativi del 2016 con una crescita compresa tra il 5% e il 10%, un tasso di crescita che dovrebbe poter mantenere senza problemi fino al 2020. Liu precisa: "Ci aspettiamo che la domanda correlata al mercato smartphone vada a supportare la metà della nostra crescita nei prossimi cinque anni e verrà sia dalla crescita numerica degli smartphone sia dalla maggior presenza di chip al loro interno. Stimiamo che il fatturato semiconduttori, memorie escluse, generato dagli smartphone possa crescere del 7% quest'anno".

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3 Commenti
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Personaggio16 Luglio 2016, 19:37 #1
Originariamente inviato da: Redazione di Hardware Upgrade
Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/cpu/ts...etri_63664.html

La fonderia taiwanese adotterà interamente la litografia all'ultravioletto estremo entro il 2020 con la produzione a 5 nanometri. Intanto i primi frutti del nodo a 10 nanometri arriveranno nel corso della prima metà del prossimo anno

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Il problema è dopo i 5nm, cosa prevedono di fare?
LMCH17 Luglio 2016, 00:33 #2
Originariamente inviato da: Personaggio
Il problema è dopo i 5nm, cosa prevedono di fare?


Già nel 2013 i 3nm erano considerati raggiungibili (in termini di produzione di massa)
cambiando il tipo di FET utilizzati (c'erano tre possibili alternative).
Più in la di quello serviranno cambiamenti radicali di materiali e tecnologie.
OttoVon17 Luglio 2016, 14:13 #3
Questa tecnologia del 1947 ha stufato nee!

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