Toshiba: importanti sviluppi per la produzione a 16nm

Toshiba: importanti sviluppi per la produzione a 16nm

Toshiba annuncia lo sviluppo di strutture gate stack con l'impiego di germanio: un importante passo avanti in direzione della produzione a 16 nanometri

di Andrea Bai pubblicata il , alle 11:54 nel canale Processori
Toshiba
 

Toshiba Corporation ha recentemente annunciato un significativo passo avanti nello sviluppo di un interlayer per strutture gate stak con un'elevata mobilità di carica che può essere impiegato per la realizzazione di MISFET (metal-insulator-semiconductor field effect transistor) per i chip delle future generazioni. L'azienda dichiara che questi nuovi passi avanti permetteranno lo sviluppo di tecnologie di produzione a 16 nanometri e oltre.

Per la realizzazione del canale dei MISFET viene attualmente impiegato il silicio, i cui limiti fisici lo rendono però poco adatto per ottenere una sufficiente quantità di corrente guida nei futuri MISFET prodotti con processi più affinati. L'alternativa principale al silicio, per questo tipo di impiego, è il germanio per via di una più elevata mobilità elettronica, ma vi sono sifde tecniche non indifferenti nell'implementazione del germanio all'interno dei chip e proprio lo svluppo di strutture gate stack per MISFET basati sul germanio è una di queste sfide. Ricerche di laboratorio dimostrano come sia possibile ottenere un'elevata mobilità di lacune utilizzando diossido di germanio nello strato isolante del gate. Tuttavia a causa della costante dielettrica troppo bassa resta il problema di dover ridurre lo spessore del gate stack a 0,5nm, un punto necessario per poter procedere verso le tecnologie di processo a 16 nanometri.

Toshiba ha sviluppato una tecnologia in grado di superare entrambe le sfide, ovvero la produzione di un gate stack sottile con elevata mobilità di lacune, grazie all'impiego di un composto di stronzio e germanio, interposto tra il canale di germanio e lo strato isolante High-K. La nuova tecnologia permette di ottenere una mobilità di lacune di 481cm2/Vsec, un record elevato per le strutture High-k/Ge-MISFET con canale drogato-p. Questo valore è più del doppio della mobilità che può essere raggiunta se una struttura simile fosse realizzata con il silicio.

Toshiba ha inoltre confermato che una struttura gate stack con spessore prossimo a 1nm è già stata realizzata con successo, e che l'incremento dello spessore inserendo lo strato di stronzio-germanio è stato solamente di 0,2 nanometri al massimo. Questo suggerisce la possibilità di poter scalare ulteriormente lo spessore complessivo a 0,5 nanometri, sia riducendo lo spessore dello strato high-k, sia adottando uno strato isolante con una più elevata costante dielettrica.

Toshiba continuerà a sviluppare la tecnologia come opzione verso l'implementazione di Ge-MISFET nei processi 16nm e oltre, grazie anche al supporto del New Energy and Industrial Tecnology Development Organization (NEDO).

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20 Commenti
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Pat7717 Giugno 2009, 11:56 #1
Interessante, ma poi la tecnologia la potranno usare terze parti per cpu e gpu?
g.luca86x17 Giugno 2009, 12:54 #2
no, la terranno lì, chiusa nei loro laboratori come trofeo per aver speso milioni di dollari in ricerca senza venderla mai a nessuno o senza realizzarci nulla se non ua741... Ma che razza di domande sono? Secondo te si sbattono per ridurre il limite della lunghezza del gate dei transistor per sport?
User11117 Giugno 2009, 12:56 #3
come corrono però
Defragg17 Giugno 2009, 12:59 #4
Useranno il germanio mosconio?
Angelonero8717 Giugno 2009, 13:04 #5
Originariamente inviato da: Defragg
Useranno il germanio mosconio?


Potrebbe aumentare la mobilità degli elettroni a suon di inprecazioni

La possibilità di raggiungere dimensioni inferiori al nm è parecchio interessante
g.luca86x17 Giugno 2009, 13:17 #6
se però continuano ad usare il silicio come base si dovranno fermare! il passo reticolare del silicio dovrebbe essere 4,29 Angstrom se non ricordo male (0,429nm) perciò pensate voi cosasignifica smanettare col mezzo nanometro: significa giocare con due singoli atomi adiacenti nel cristallo...
Neo81Na17 Giugno 2009, 13:18 #7
in pratica la soluzione è quello stronzio di germanio

scusate non ho saputo resistere...
Danckan17 Giugno 2009, 13:25 #8

CVD

Come al solito, prima si dice che non si potrà più scendere oltre nella miniaturizzazione per anni e anni e dopo qualche mese esce bello pronto il modo per farlo... Non la smetteranno mai.
Luca6917 Giugno 2009, 14:00 #9
La cosa fondamentale é poter scendere di dimensioni con piccole modifiche alle attuali tecnologie di produzione! Se devono fare una fabbrica nuova da zero .... hai voglia!
King8317 Giugno 2009, 14:00 #10
bè veramente Dankan è da tempo che sono allo studio soluzioni di miniaturizzazione e hanno messo l'asticella a 11nm anche se x ora appunta come dice l'articolo la soluzione ai 16nm è stata trovata ora

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