Snapdragon X2 Elite Extreme, dettagli su progetto e processi produttivi

Qualcomm ha confermato ulteriori dettagli sul nuovo Snapdragon X2 Elite Extreme, SoC di fascia alta per notebook che porta per la prima volta un processore ARM a raggiungere i 5 GHz di frequenza boost su alcuni core. Il risultato è stato ottenuto grazie a una scelta progettuale insolita: l'impiego combinato di due varianti del processo produttivo a 3 nanometri di TSMC, N3P e N3X, all'interno di un unico die monolitico.

La maggior parte del chip è realizzata in N3P, processo già adottato per Snapdragon 8 Elite Gen 5 e pensato per garantire un buon bilanciamento tra prestazioni e consumi. Tuttavia, per i Prime Core Oryon-3, destinati a spingersi oltre i limiti di frequenza, Qualcomm ha scelto di sfruttare N3X, processo ottimizzato per alte tensioni (fino a 1,2 V) e clock più elevati.

Grazie a questa combinazione, due dei dodici core Prime possono raggiungere 5 GHz, mentre gli altri si fermano a 4,4 GHz. Il chip integra anche sei Performance Core con frequenze fino a 3,6 GHz, offrendo così un'architettura bilanciata tra prestazioni e efficienza.

La scelta di Qualcomm rientra nella filosofia FinFlex di TSMC, che permette di modulare la configurazione delle alette FinFET all'interno di una stessa famiglia di processo.

Il compromesso principale resta la maggiore dispersione energetica del processo N3X, che porta inevitabilmente a una minore efficienza rispetto a N3P. Tuttavia, questa scelta permette al nuovo SoC di spingersi oltre quanto visto sinora su piattaforme ARM, posizionandosi al vertice della gamma Snapdragon X2 Elite.