Samsung, la nuova linea V1 triplicherà la produzione di chip EUV a 7 nanometri quest'anno

Samsung, la nuova linea V1 triplicherà la produzione di chip EUV a 7 nanometri quest'anno

Samsung ha annunciato l'avvio della produzione in volumi di chip mobile a 7 e 6 nanometri realizzati con litografia EUV (ultravioletto estremo) presso la nuova linea V1. L'azienda prevede di triplicare la capacità produttiva EUV a 7 nanometri entro la fine dell'anno.

di pubblicata il , alle 13:21 nel canale Processori
Samsung
 

Samsung ha inaugurato una nuova linea per la produzione in volumi di semiconduttori avanzati a Hwaseong, in Corea del Sud. L'impianto, chiamato V1, è il primo dedicato alla produzione di chip mobile basati su litografia EUV - Extreme Ultraviolet - e si occuperà inizialmente di realizzare chip con processo produttivo a 7 e 6 nanometri, ma evolverà per arrivare fino alla realizzazione di soluzioni a 3 nanometri.

La creazione della linea V1 è iniziata nel febbraio 2018, ma la produzione dei primi wafer di prova è partita nella seconda metà del 2019. I primi chip saranno inviati ai partner entro la fine del primo trimestre.

Il colosso sudcoreano investirà entro fine anno un totale di 6 miliardi di dollari nella linea V1, triplicando così la sua capacità produttiva con i processi a 7 nanometri e successivi rispetto al 2019. Con l'operatività della linea V1, Samsung ha ora un totale di sei impianti in Corea del Sud e Stati Uniti: cinque producono wafer da 12 pollici e una da 8 pollici.

La litografia EUV è il passo successivo rispetto alla tradizionale litografia a immersione. Usa la luce ultravioletta con una lunghezza d'onda molto corta di 13,5 nanometri per esporre i wafer di silicio affinché sia possibile incidere circuiti sempre più miniaturizzati mediante l'uso di una singola maschera, laddove la tecnica precedente può richiedere fino a quattro maschere per creare lo stesso layer.

Quanto ai piani produttivi, Samsung ha spiegato per ora le intenzioni fino ai 3 nanometri, processo che segnerà il passaggio dei transistor dal progetto FinFET (Fin Field-effect) al Gate All Around FET (GAAFET), che nell'implementazione dell'azienda prenderà il nome di MBCFET, Multi Bridge Channel FET.

Samsung lavora ai transistor MBCFET dal 2002 con l'obiettivo di andare oltre le capacità dei transistor FinFET. Per farlo l'azienda aumenterà l'area di contatto tra canale e gate, assicurando che il gate "prosegua" anche sotto il canale, non solo sopra e ai lati. In questo modo Samsung potrà impilare i transistor verticalmente anziché lateralmente e avrà la libertà di implementare diversi form factor.

Il colosso asiatico, stando a quanto diffuso finora, punta a implementare il canale come un foglio orizzontale, aumentandone il volume e ottenendo vantaggi sia per quanto concerne le prestazioni che lo scaling. Ed è da questa scelta di design che è nato il design Multi-Bridge Channel FET, un progetto estremamente personalizzabile, che agendo sull'ampiezza del nanofoglio (nanosheet) permette di intervenire su consumi e prestazioni, adattando quindi il design a seconda del mercato.

Con i 3 nanometri, Samsung vuole garantire il 35% di prestazioni in più, consumi inferiori del 50% e un'area del die minore del 45% rispetto ai 7 nanometri. Particolarmente interessanti le tempistiche: i primi tapeout dei clienti sono attesi quest'anno, con la fase di risk production che prenderà il via nel tardo 2020 in vista di una produzione in volumi nel tardo 2021. Vi sarà anche una seconda generazione dei 3 nanometri, con la produzione in volumi prevista un anno più tardi.

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