Samsung Foundry aggiorna la roadmap: il processo SF1.4+ arriverà nel 2030

Samsung ha illustrato durante il SAFE Forum 2026 (Samsung Advanced Foundry Ecosystem), l'evento itinerante dedicato alla divisione semiconduttori del gruppo coreano, i propri piani futuri per la produzione di chip. In parte erano già trapelati nelle scorse. Tra le novità principali figura SF1.4+, un secondo processo a 1,4 nanometri che, secondo le previsioni dell'azienda, dovrebbe debuttare indicativamente nel 2030.

Non è la prima volta che Samsung rivede al ribasso la propria tabella di marcia: il processo a 1,4 nm era originariamente previsto per il 2027, poi slittato al 2029. L'arrivo di una versione ottimizzata (SF1.4+) appena un anno dopo, con miglioramenti su prestazioni, consumi energetici e densità (i tre parametri riassunti nell'acronimo PPA - Power, Performance, Area), rientra comunque nella prassi consolidata del settore, e rende la scadenza del 2030 plausibile.

Al forum è stato inoltre confermato il processo SF2X, destinato al segmento HPC (High Performance Computing) e pensato per completare il portfolio dei processi a 2 nanometri, che comprende già SF2, SF2P e SF2P+. Anche in questo caso, però, i tempi si sono allungati rispetto alle previsioni iniziali: SF2P+ è ora atteso nel biennio 2027-2028, e solo da esso verrà sviluppato SF2X, che manterrà comunque piena compatibilità con SF2P e SF2P+. In origine SF2P era programmato per il 2026, con SF2X in parte parallelo ad esso.

Più critica la situazione di SF2Z, il primo processo Samsung dotato di Backside Power Delivery (alimentazione posteriore), annunciato già nel 2024. Di questa tecnologia, al momento, non vi è alcuna traccia nelle comunicazioni ufficiali, e Samsung non ha ancora diffuso una roadmap aggiornata che ne chiarisca il destino.

Vale la pena ricordare cosa indicano effettivamente queste sigle: SF sta per Samsung Foundry, il numero successivo si riferisce al nodo produttivo espresso in "nanometri", mentre le lettere aggiuntive specificano la variante: P per Performance, A per Automotive, X per la versione più spinta, Z per il Backside Power Delivery.

Da tempo, tuttavia, queste denominazioni hanno perso ogni legame diretto con una reale misura fisica in nanometri, trasformandosi in etichette di marketing utilizzate per posizionare i prodotti rispetto alla concorrenza di TSMC e Intel, che a loro volta adottano convenzioni proprie e non direttamente confrontabili.

Il tema è tornato recentemente alla ribalta dopo l'intervento di IBM sull'argomento: il CTO di Intel, Pushkar Ranade, ha ribadito su X che queste denominazioni non riflettono le dimensioni reali dei transistor. Nella discussione è intervenuto anche Elon Musk, secondo cui bisognerebbe "passare a denominare i processi produttivi in base al numero di atomi che compongono la dimensione minima delle caratteristiche. Secondo me, sarebbe la soluzione più accurata".