Russia, roadmap fino al 2037 per sistemi di litografia EUV alternativi a quelli di ASML

Russia, roadmap fino al 2037 per sistemi di litografia EUV alternativi a quelli di ASML

L'Istituto di Fisica delle Microstrutture dell'Accademia delle Scienze russa ha pubblicato una roadmap fino al 2037 per sistemi di litografia EUV a lunghezza d'onda a 11,2 nm. Il progetto, alternativo ai macchinari ASML, mira a supportare processi fino a 9 nm con costi ridotti, ma restano dubbi sulla fattibilità.

di pubblicata il , alle 09:01 nel canale Processori
 

L'Istituto di Fisica delle Microstrutture dell'Accademia delle Scienze russa ha illustrato un ambizioso piano di sviluppo per strumenti di litografia a ultravioletti estremi (EUV), che copre il periodo 2026-2037. L'obiettivo è sostituire progressivamente le tecnologie DUV con una piattaforma interamente domestica, capace di supportare processi produttivi sotto i 10 nm.

I macchinari previsti non cercano di replicare l'architettura consolidata dell'industria, come quella di ASML. Verranno adottati laser a stato solido ibridi, sorgenti luminose basate su plasma di xeno e specchi riflettenti in rutenio e berillio, ottimizzati per una lunghezza d'onda a 11,2 nm. La scelta del plasma di xeno, in particolare, riduce la produzione di detriti rispetto all'uso di goccioline di stagno, abbattendo i costi di manutenzione. Inoltre, l'assenza di fluidi ad alta pressione e di multipatterning punta a contenere la complessità complessiva del processo.

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La roadmap prevede tre fasi:

  • 2026-2028: sistema per processi a 40 nm, con obiettivo a due specchi, precisione di overlay di 10 nm e produttività di oltre 5 wafer/ora.
  • 2029-2032: scanner per 28 nm (con potenziale per 14 nm), configurazione a quattro specchi, overlay da 5 nm e capacità superiore a 50 wafer/ora.
  • 2033-2036: piattaforma destinata a nodi sotto i 10 nm, sei specchi ottici, allineamento a 2 nm e produttività oltre 100 wafer/ora.

In termini di risoluzione, gli strumenti dovrebbero coprire un intervallo compreso tra 65 nm e 9 nm, sufficiente per i layer critici della produzione di semiconduttori attuale e futura. I progettisti sostengono inoltre che la nuova architettura possa offrire vantaggi in termini di costi di produzione, con un modello più accessibile rispetto alle piattaforme Twinscan NXE ed EXE di ASML.

Rimangono tuttavia diversi interrogativi. L'uso della lunghezza d'onda a 11,2 nm non è standard nell'industria EUV e richiede ottiche, rivestimenti, sorgenti luminose e resist completamente dedicati. Inoltre, la capacità di eseguire un salto tecnologico di tale portata senza il supporto della supply chain globale resta da dimostrare.

Il progetto sembra più orientato a fornire soluzioni economiche e scalabili per fonderie di dimensioni ridotte, magari dedicate al comparto militare, piuttosto che a competere con i colossi del settore. Tuttavia, se realizzato, potrebbe garantire a Mosca una maggiore autonomia nel campo della produzione di chip.

4 Commenti
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Ginopilot29 Settembre 2025, 09:15 #1
Dovrebbero prima uscirsene dal vicolo cieco delle guerre. Risorse per fare altro non ne hanno.
jepessen29 Settembre 2025, 09:29 #2
Al contrario, sicuramente buona parte di questi finanziamenti sono dovuti a spese militari, dove maggiore miniaturizzazione significa maggior potenza di calcolo per eventuali armamenti.
Ginopilot29 Settembre 2025, 09:31 #3
Originariamente inviato da: jepessen
Al contrario, sicuramente buona parte di questi finanziamenti sono dovuti a spese militari, dove maggiore miniaturizzazione significa maggior potenza di calcolo per eventuali armamenti.


Eh, ma prima vengono bombe e carri armati. Questi sono investimenti a lunghissimo termine.
UtenteHD29 Settembre 2025, 10:15 #4
Non so se sia vero e non posso saperlo ovviamente, ma in una trasmissione si era detto che gran parte della produzione Loro e quindi degli introiti per la Loro economia e' bellica.

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