Intel cambia i piani? Il processo 14A2 può essere la risposta definitiva a TSMC

Intel starebbe pianificando un'evoluzione del proprio processo produttivo 14A, ancora prima del suo debutto commerciale. Secondo indiscrezioni provenienti dalla Corea del Sud, l'azienda starebbe infatti valutando l'introduzione di un nuovo processo denominato 14A2, destinato a rappresentare un affinamento della tecnologia a 1,4 nanometri con l'obiettivo di migliorare densità, prestazioni ed efficienza produttiva, così da competere più efficacemente con le future soluzioni di TSMC e Samsung.

La principale novità riguarderebbe il sistema di distribuzione dell'alimentazione. Il processo 14A è stato progettato attorno alla tecnologia PowerDirect, che utilizza una rete di alimentazione sul retro del wafer (Backside Power Delivery Network, BSPDN). Per il successivo 14A2, Intel starebbe invece considerando una configurazione Dual Side, nella quale l'alimentazione verrebbe distribuita sia dal lato posteriore sia da quello frontale del chip.

La modifica sarebbe legata soprattutto all'ulteriore miniaturizzazione del processo. Le fonti indicano che il pitch M0, ovvero la distanza tra le linee metalliche del primo livello di interconnessione, dovrebbe passare dai 28 nanometri previsti per il 14A ai 21 nanometri del 14A2. Una riduzione di questo parametro consente di incrementare il numero di transistor integrabili sulla stessa superficie, migliorando la densità del circuito, ma introduce anche nuove criticità dal punto di vista elettrico.

A quanto pare il 14A2 sarebbe diverso dal 14A-E già inserito nella roadmap dei processi produttivi di Intel - Clicca per ingrandire

Interconnessioni più ravvicinate comportano infatti un aumento della resistenza dei conduttori, con conseguenti cadute di tensione che rischiano di compromettere il funzionamento del chip. In particolare, gli attuali nano Through-Silicon Via (nTSV) progettati per una distribuzione esclusivamente posteriore dell'alimentazione potrebbero non essere sufficienti a sostenere le nuove densità raggiunte dal 14A2.

Per superare questi limiti, Intel starebbe studiando una struttura ibrida nella quale la rete BSPDN continuerebbe a rappresentare il principale sistema di alimentazione, mentre una parte del carico verrebbe trasferita anche agli strati metallici frontali. Questa soluzione consentirebbe di mantenere elevata la densità del circuito riducendo al contempo gli effetti dell'aumento della resistenza elettrica.

L'adozione del pitch da 21 nanometri avrebbe inoltre un ulteriore vantaggio: migliorare lo sfruttamento economico delle costose apparecchiature High-NA EUV, fondamentali per la produzione dei nodi più avanzati. Secondo le indiscrezioni, il 14A offrirà già un incremento della densità dei transistor di circa il 30% rispetto alla generazione precedente, mentre il 14A2 dovrebbe spingersi oltre grazie all'introduzione del doppio patterning e alle ulteriori ottimizzazioni del layout.

Dopo anni di ritardi nei processi produttivi, il successo delle future tecnologie 18A-P, 14A e dell'eventuale 14A2 sarà determinante per dimostrare la competitività della società sia in termini di prodotti che per quanto riguarda la produzione per conto terzi, proprio mentre la crescente domanda di chip destinati all'intelligenza artificiale continua ad aumentare la pressione sull'intero settore dei semiconduttori.