Intel annuncia di aver sperimentato con successo a 0.065 micron

Intel annuncia di aver sperimentato con successo a 0.065 micron

I primi chip memoria SRAM a 0.065 micron sono stati ufficialmente annunciati da Intel. Per le prime cpu con questa tecnologia bisognerà però attendere almeno la fine del 2005

di pubblicata il , alle 17:35 nel canale Processori
Intel
 

Intel ha ufficialmente annunciato di aver completato la produzione utilizzando processo produttivo a 0.065 micron; il risultato non è un nuovo processore, ma dei chip di memoria SRAM (Static RAM). Come spesso accade quando si sperimenta con nuovi processi produttivi, Intel ha scelto di effettuare i primi esperimenti con chip relativamente semplici quali memorie SRAM.

In un secondo tempo l'affinamento delle tecniche di produzione porterà ad avere anche microprocesori costruiti con questo nuovo processo produttivo; la roadmap Intel prevede la produzione di processori con questo processo per la fine del 2005, con debutto nel mercato delle cpu attorno al 2006, esattamente 2 anni dopo il debutto dei primi processori costruiti con tecnologia a 0.09 micron.

E' comunque bene ricordare che il passaggio ad un nuovo processo produttivo è storicamente sempre stato difficoltoso per qualsiasi produttore di processori; non è difficile pensare che anche per gli 0.065 micron possano emergere problemi che generino dei ritardi rispetto a quanto originariamente pianificato.

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nuovi processi produttivi a seconda degli anni

L'obiettivo principale di Intel con il nuovo processo produttivo non è tanto quello di ottenere margini più elevati in termini di frequenza di clock dei processori, quanto tenerne a freno il consumo complessivo. Quello del consumo è un tema divenuto di forte attualità con i processori Pentium 4 basati su core Prescott, i primi prodotti con tecnologia a 0.09 micron; nonostante il più sofisticato processo produttivo questi processori soffrono di Leakage Power, un fenomeno per il quale il processore genera una notevole potenza durante il funzionamento al punto da renderne difficoltosa la dissipazione.

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Con il nuovo processo produttivo Intel ha introdotto una serie di tecnologie, che permettono di ridurre il consumo complessivo. Da segnalare in particolare una nuova tecnologia Strained Silicon, vista per la prima volta con i processori Prescott, che dovrebbe migliorare sensibilmente il power leakage. Anche la distanza tra i gate dei transistor è ridotta, passando dai precedenti 50 nanometri sino a 35 nanometri con conseguente riduzione del power leakage.

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39 Commenti
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Beppoland30 Agosto 2004, 17:47 #1
Sempre più piccoli.....un pò meglio invece no a.....
riva.dani30 Agosto 2004, 17:48 #2
Ma passando da 130nm a 90nm il calore prodotto è aumentato sensibilmente...speriamo che questa ulteriore riduzione di dimensioni non peggiori ulteriormente la situazione, ma che intel studi a fondo un sistema per dissipare tutto quel calore o almeno per ridurre al minimo quello prodotto...
junkye30 Agosto 2004, 17:52 #3
la riduzione della dimensioni delle piste non comporta un aumento delle temperature,anzi il completo contrario,nel caso del p4 l'aumento della temperatura e imputabile al nuovo core prescott che e diverso da nw,e dal fatto che passando a 90 e anche diminuita la superficie del core che risulta in questo modo piu difficile da dissipare adeguatamente
Apocalisse8430 Agosto 2004, 18:05 #4
Ma infatti non capisco una cosa... hanno ridotto sia la grandezza dei transistor sia la lunghezza dei canali ed hanno ottenuto come effetto l'aumento della potenza da dissipare... adesso proseguendo su questa strada cosa pretendono di ottenere? perchè adesso dovrebbe di colpo invertirsi questo trend?
Wonder30 Agosto 2004, 18:13 #5
il fatto è che rimpicciolendo i transistor, a parità di superficie di core ce ne stanno sempre di più, milioni in più e la temperatura sviluppata è direttamente proporzionale (tagliando corto) al numero di transistor presenti. DI transistyor ce ne sono di più, la superficie è lievemente ridotta quindi abbiamo + calore da dissipare con meno superficie di contatto per l'aletta.
Io dall'univeristà mi ricordo le lezioni di elettronica dove il prof ci diceva che prima o poi si sarebbe raggiunto il limite dimensionale per un gate funzionante e mi sembrafa fosse di 10nm...ma era un limite teeorico difficile da raggiungere..invece nella previsione vedo già un 18!!
cionci30 Agosto 2004, 18:20 #6
Wonder: il processo produttivo a 0.032 micrometri dovrebbe essere l'ultimo con la tecnologia attuale... Sotto non si può andare (anzi il mio prof dice che ci siano grossi problemi già al di sotto degli 0.040)...

La data prevista per lo stallo è circa il 2010... Il bello è che mancano 6 anni è nessuno ha ancora tirato fuori un transistor sperimentale valido con tecnologia nuova...
dwfgerw30 Agosto 2004, 18:22 #7
cosa si intende per power leakage ?
dwfgerw30 Agosto 2004, 18:25 #8
x cionci....

la litografia è in fase di sviluppo da anni ormai...
cionci30 Agosto 2004, 19:27 #9
Originariamente inviato da dwfgerw
x cionci....

la litografia è in fase di sviluppo da anni ormai...

Quale litografia ? Io sto parlando di transistor nuovi...in grado di garantire un grado di miniaturizzazione maggiore del limite imposto dagli effetti quantistici nella tecnologia attuale...
geppe7330 Agosto 2004, 19:27 #10
Non è vero che non ci sono novità all'orizzonte. Avete mai sentito parlare dei "transistor di plastica"? Non sono ancora efficienti come quelli al silicio ma ci stanno lavorando già da qualche annetto...

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