IBM, nuovo record di velocità del silicio: 500 GHz

IBM, nuovo record di velocità del silicio: 500 GHz

IBM annuncia importanti traguardi nel campo dei microchip basati su silicio con tecnologia SiGe, raggiungendo la ragguardevole velocità operativa di ben 500 GHz

di Alessandro Bordin pubblicata il , alle 15:23 nel canale Processori
IBM
 

IBM, in collaborazione con il Georgia Institute of Technology, ha realizzato un prototipo funzionante di chip basato su tecnologia SiGe (Silicio-Germanio) operante alla spaventosa velocità di circa 500 GHz, pur con qualche distinguo da fare. Tale frequenza, in assoluto elevatissima, è stata raggiunta facendo operare il chip alla temperatura di 4,5°K, ovvero -268.65° centigradi.

Siamo ovviamente di fronte ad una situazione limite che difficilmente troverà applicazione pratica in situazioni normali, sfruttata più che altro per battere il record precedente. Ciononostante, il suddetto chip opera a temperatura ambiente alla frequenza di ben 350 GHz, molto meno che a 4,5°K ma circa un centinaio di volte più velocemente rispetto ai miglior chip attualmente in commercio.

I risultati conseguiti da IBM sono frutto di più di 40 anni di studi, che hanno portato negli anni passati alla scoperta di molte nuove vie per i chip basati sul silicio. E' il caso infatti dei chip ad alta velocità in SiGe (Silicio-Germanio), tecnologia IBM che consente importanti miglioramenti in termini di frequenza operativa, tensione, rumore e alimentazione, in particolare nei moderni dispositivi portatili wireless (fonte: IBM).

L'applicazione pratica di tali chip saranno ovviamente i "soliti" settori eletti, come quello delle comunicazioni commerciali, l'ambito aerospaziale e quello militare. Ciò non esclude in ogni caso l' utilizzo di tale tecnologia in massa, una volta raggiunto un costo compatibile con il mercato. Prime applicazioni pratiche? Alcune voci parlano di circa due anni di attesa, un futuro nemmeno troppo lontano.

Ulteriori notizie ed informazioni sono reperibili sul sito EETimes, in lingua inglese.

Approfondimenti sulla tecnologia SiGe: IBM SiGe BiCMOS e SiGe

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63 Commenti
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Fl1nt20 Giugno 2006, 15:29 #1
Pensate un procio a 500 ghz
blog20 Giugno 2006, 15:30 #2

O_O

davvero impressionante.
IBM è un passo avanti a quanto pare...chissa un 100ghz fanless che figata
:lol:
Aryan20 Giugno 2006, 15:35 #3
Siamo passati dal Germanio, al Silicio, all'utilizzo congiunto...
Paganetor20 Giugno 2006, 15:35 #4
mmm... chissà come si comporta in overclock!

scherzi a parte, mi sembra un "esercizio stilistico" che può dare una ulteriore spinta allo sviluppo dei processori
davidon20 Giugno 2006, 15:36 #5
ecco l'occasione giusta per togliermi una curiosità:
perchè i record in overclock delle cpu normali (e il record di clock per questo chip) vengono ottenuti con temperature così basse?

ciaobye
Fx20 Giugno 2006, 15:37 #6
intel è da diverso tempo che sul suo sito parla del "terahertz transistor", qualcuno sa se ci sono anche sperimentazioni pratiche come nel caso di IBM?
LASCO20 Giugno 2006, 15:39 #7
Da quando sono in commercio i personal computer mi pare che grosso modo sia stata sempre rispettata la previsione di ... non ricordo, secondo cui la potenza delle cpu raddoppia ogni due anni. Probabilmente continuera' a valere ancora per un po' di anni, ma in tal caso a causa delle leggi di mercato.
XSonic20 Giugno 2006, 15:40 #8
Ma siamo matti? Entro un'anno credo che potrebbero benissimo sparare sul mercato un procio a 50Ghz a prezzi più o meno ragionevoli con raffreddamento passivo

Ora si parla di 3,8 Ghz come velocità massima mi pare, anche "solo" 50 farebbero schizzare i sistemi di ora
lowenz20 Giugno 2006, 15:42 #9
Per chi domanda il perchè delle temperature basse.....semplice a temperature basse si hanno fenomeni di superconduzione e in generale minore resistenza termica dovuto al moto dei protoni nel conduttore
Kuarl20 Giugno 2006, 15:46 #10
Originariamente inviato da: davidon
ecco l'occasione giusta per togliermi una curiosità:
perchè i record in overclock delle cpu normali (e il record di clock per questo chip) vengono ottenuti con temperature così basse?

ciaobye


per via di un semplice principio fisico, la resistenza di un materiale abbassando la temperatura diminuisce, questo significa che la dispersione termica diminuisce e la velocità di spostamento delle cariche elettriche aumenta, se le cariche si muovono più velocemente significa che i transistor commutano più velocemente, e quindi è possibile aumentare ulteriormente il clock


vista la temperatura di esercizio non mi stupirei se ibm avesse realizzato dei materiali superconduttori basati sul silicio e il germanio

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