Globalfoundries procede sulla strada dei 22 nanometri

Globalfoundries procede sulla strada dei 22 nanometri

Lo spin-off produttivo di AMD dimostra una nuova tecnica produttiva che permette di affrontare il processo produttivo a 22nm ed inferiori

di Andrea Bai pubblicata il , alle 17:10 nel canale Processori
AMD
 

In occasione del VLSI Technology di Kyoto Globlfoundries ha annunciato la prima dimostrazione di una tecnica in grado di ridurre lo spessore EOT (equivalent oxide thinkness) in un transistor HKMG (high-k metal gate) per andare ben al di sotto del livello richiesto per la produzione a 22 nanometri, riuscendo comunque a mantenere la combinazione di bassa dispersione, bassi livelli di soglia ed elevata mobilità elettronica. La ricerca, condotta congiuntamente assieme ad IBM, consentirà di compiere importanti passi avanti per i processi produttivi oltre i 22 nanometri.

Per poter mantenere la precisione di switching di un transistor HKMG, è necessario ridurre lo spessore EOT dello strato di ossido High-K. Tuttavia la riduzione dell'EOT incrementa la corrente dispersione che può contribuire ad incrementare il consumo energetico di un processore. Globalfoundries ed IBM hanno sviluppato una nuova tecnica che ha permesso di realizzare n-MOSFET con EOT di 0,55 nanometri e di un p-MOSFET con EOT di 0,7nm.

"HKMG è un componente critico della roadmap tecnologica di Globalfoundries. Il nuovo sviluppo potrà mettere a disposizione dei nostri clienti un altro strumento per incrementare le prestazioni dei loro prodotti, in modo particolare nel mercato relativo alle soluzioni per notebook ultraportatili e gli smartphone con elevata autonomia. Assieme ad IBM e ai partner dell'alleanza abbiamo esteso la nostra conoscenza di base con lo sviluppo di tecnologie avanzate che permetteranno ai nostri clienti di rimanere all'avanguarda della produzione di semiconduttori" ha dichiarato Gregg Bartlett, senior VP of technology, research and development presso Globalfoundries.

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10 Commenti
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imperatore_bismark17 Giugno 2009, 17:19 #1
Ma secondo voi, è possibile che AMD salti un processo produttivo per poi arrivare prima su un altro.. quello successivo.? CIoè, ora stiamo sui 45 nm, se dovesse saltare quello a 32 nm e puntare proprio ai 22... si potrebbe fare, oppure è troppo difficile ed economicamente\concorrenzialmente improbabile?
MaxArt17 Giugno 2009, 17:39 #2
No, è improbabile. GF è già avanti con i 32 nm e quando i 22 nm saranno commercializzabili i 32 avranno una resa molto migliore, per cui non è plausibile che AMD rinunci a quello step.
alesc17 Giugno 2009, 17:42 #3
Non avrebbe molto senso. I 32nm bulk sono già avanti e programmati per inizio 2010. Ovvio poi che intanto studino e si preparino per i passi successivi. Nulla più.
Marko9117 Giugno 2009, 17:48 #4
Originariamente inviato da: imperatore_bismark
Ma secondo voi, è possibile che AMD salti un processo produttivo per poi arrivare prima su un altro.. quello successivo.? CIoè, ora stiamo sui 45 nm, se dovesse saltare quello a 32 nm e puntare proprio ai 22... si potrebbe fare, oppure è troppo difficile ed economicamente\concorrenzialmente improbabile?


La fabbrica GF a 22nm aprira' nel 2012. AMD lancera' processori a 32nm (architettura Bulldozer) nel 2011. GF sta rifinendo anche il processo produttivo a 28nm bulk, usato per la produzione di GPU (half node di un 32nm se non sbaglio). Ati potrebbe saltare i 32nm virtualmente, e dubito che le prossime GPU saranno TSMC (con tutti i problemi di sembra stiano avendo).
SwatMaster17 Giugno 2009, 17:54 #5
Certo che questa notizia fa proprio coppia con quella sulla legge di Moore.
filippo198017 Giugno 2009, 17:57 #6
Sbaglio o questa notizia collegata a quanto scritto sul processo produttivo di toshiba promette bene per l'abbattimento della barriera teorica sul processo produttivo che se non sbaglio è di 13 nm?
O non ci azzecca assolutamente nulla?
VEKTOR17 Giugno 2009, 18:13 #7
Per poter mantenere la precisione di switching di un transistor HKMG, è necessario ridurre lo spessore EOT dello strato di ossido High-K. Tuttavia la riduzione dell'EOT incrementa la corrente dispersione che può contribuire ad incrementare il consumo energetico di un processore. Globalfoundries ed IBM hanno sviluppato una nuova tecnica che ha permesso di realizzare n-MOSFET con EOT di 0,55 nanometri e di un p-MOSFET con EOT di 0,7nm.

Eh? Pronto che è successo?
Scusate ma è come se avessi avuto un "pacchero" elettronico
g.luca86x17 Giugno 2009, 18:18 #8
e con quella di toshiba sui 16 nm! Noto che c'è convergenza sullo spessore degli ossidi di gate...
imperatore_bismark17 Giugno 2009, 19:35 #9
Originariamente inviato da: MaxArt
No, è improbabile. GF è già avanti con i 32 nm e quando i 22 nm saranno commercializzabili i 32 avranno una resa molto migliore, per cui non è plausibile che AMD rinunci a quello step.


ok, grazie per la info e per la delucidazione!
L01CYL817 Giugno 2009, 21:25 #10
Figo. Ricapitolando, qual'è la data in cui i primi processori costruiti a 12nm prenderanno consapevolezza di sè stessi e decideranno che l'unico modo per evolversi sarà sterminare la razza umana? Sarà prima o dopo che Globalfoundries verrà ricapitalizzata e rinominata Cyberdyne?

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