GlobalFoundries acquisisce da TSMC la tecnologia GaN per potenziare la produzione USA di chip di potenza

GlobalFoundries ha annunciato un accordo di licenza tecnologica con TSMC per l'adozione delle soluzioni al nitruro di gallio (GaN) a 650V e 80V, destinate a potenziare la propria offerta di semiconduttori di potenza realizzati negli Stati Uniti. L'intesa consentirà a GF di sviluppare una nuova generazione di dispositivi GaN pensati per applicazioni nei datacenter, nell'automotive e nei sistemi industriali, garantendo al contempo una capacità produttiva nazionale per un mercato globale.

La collaborazione segna un passo strategico per GlobalFoundries in un momento in cui le tradizionali tecnologie CMOS al silicio mostrano i propri limiti in termini di efficienza energetica e densità di potenza. Il GaN si sta affermando come materiale chiave per i futuri sistemi di conversione e gestione dell'energia, offrendo vantaggi in termini di prestazioni, miniaturizzazione e affidabilità.

L'azienda statunitense prevede di qualificare la tecnologia concessa in licenza presso il proprio impianto di Burlington, nel Vermont, già specializzato nella produzione di soluzioni GaN-on-Silicon ad alta tensione. Lo sviluppo inizierà nel corso del 2026, con l'avvio della produzione su larga scala previsto entro la fine dello stesso anno.

Secondo Téa Williams, vicepresidente senior del Power Business di GlobalFoundries, l'accordo rafforza l'impegno dell'azienda verso tecnologie differenziate e strategiche, destinate ad applicazioni critiche che spaziano dai data center ai veicoli elettrici fino ai sistemi industriali. GF intende così ampliare la propria offerta con chip GaN progettati per operare in condizioni ambientali estreme e con una particolare attenzione all'affidabilità complessiva del processo e del dispositivo.