ARM e Samsung, forte collaborazione su Cortex-X e nuovi transistor a 2 nanometri

Samsung e ARM hanno annunciato il prosieguo della loro collaborazione per ottimizzare la produzione del core ARM Cortex-X di prossima generazione attorno ai processi di Samsung Foundry che prevedono l'impiego di transistor Gate-All-Around (GAA), i successori dei FinFET.

La notizia giunge a poche ore dall'evento IFS Direct di Intel, dove la società statunitense illustrerà il suo piano per diventare la seconda fonderia entro il 2030, sopravanzando proprio la stessa Samsung nella rincorsa alla taiwanese TSMC.

In particolare, ARM e Samsung si concentreranno sul nuovo processo a 2 nanometri (SF2), facendo in modo che le realtà che si avvalgono delle architetture di ARM per confezionare i propri SoC possano recarsi da Samsung Foundry per la produzione con processi avanzati e senza intoppi.

Tempistiche di produzione rapide e sicure, ma soprattutto parametri PPA (Power, Performance, Area) competitivi con il resto del mercato sono le direttrici su cui si muove il rapporto tra le due realtà. "Progettazione e produzione non possono più essere ottimizzate separatamente", sottolinea Samsung. Ovviamente, sebbene l'annuncio citi in primis il core Cortex-X, il rapporto contempla anche l'ottimizzazione per le future soluzioni Cortex-A.

La casa sudcoreana ha iniziato ad adottare i transistor GAA, nell'implementazione proprietaria Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), con il processo a 3 nanometri annunciato nel 2022. I nuovi transistor nascono per migliorare flessibilità e scalabilità di progettazione, aumentando al contempo l'efficienza energetica e le prestazioni. Maggiori informazioni le trovate in questo articolo.

Secondo l'attuale roadmap di Samsung, il processo SF2 sarà disponibile dal 2025. Rispetto all'SF3 (3 nm), l'SF2 dovrebbe offrire prestazioni superiori del 12%, incrementare l'efficienza del 25% e ridurre l'area occupata dal chip del 5%.