SSD: thread generale e consigli per gli acquisti

[megthebest]

Originariamente inviato da gabmac2

non mi sembra purtroppo
un A55 però non migliora la situazione (per le cose più "importanti")?
NM100 hai avuto esperienze dirette con problematiche varie?
grazie

Però intanto fai una cosa, togli il Lexar dal miniPC, rimuovi l'adesivo e fai la foto macro alle nand e controller così da leggere eventuali sigle... almeno si riuscirebbe a dare qualche info in più e non solo "supposizioni" basate sul poco che circola sul web riguardo a questo Lexar NM100

[giovanni69]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Scritture sequenziali ovviamente, quelle randomiche con blocchi da 4kB e QD1 non toccano neanche i 400 MB/s.

Sì, come puoi forse intuire, cercavo di capire se quel sequenziale è tipo clonazione (è lì davvero le scritture sequenziali possono essere corpose e durare a lungo) o caricamento di sporadici grossi file...

Spero che @makka possa chiarire.

[gabmac2]

@megthebest

non vorrei piantino storie con la garanzia smontandolo
alla fine è un dispositivo per uso mediacenter, praticamente
tra un NM100 e un A55 non ci saranno probabilmente grosse differenze a livello di affidabilità
tenerlo d' occhio con Crystal e nel caso sostituirlo (ha comunque 3 anni di garanzia)?
inserire due ssd in una spazio così piccolo mi sembra troppo
voi lo fareste?
la preoccupazione c' è
grazie

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da gabmac2

@megthebest

non vorrei piantino storie con la garanzia smontandolo
alla fine è un dispositivo per uso mediacenter, praticamente
tra un NM100 e un A55 non ci saranno probabilmente grosse differenze a livello di affidabilità
tenerlo d' occhio con Crystal e nel caso sostituirlo (ha comunque 3 anni di garanzia)?
inserire due ssd in una spazio così piccolo mi sembra troppo
voi lo fareste?
la preoccupazione c' è
grazie

L’A55 non penso sarebbe un grosso problema ma l’NM100 secondo me sì, o comunque potrebbe esserlo leggermente (non ho idea di quanto scaldino i controller SATA III scoperchiati però).

[gabmac2]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

L’A55 non penso sarebbe un grosso problema ma l’NM100 secondo me sì, o comunque potrebbe esserlo leggermente (non ho idea di quanto scaldino i controller SATA III scoperchiati però).

quindi secondo Te un A55 non scalda, mentre NM100 si?
ovviamente sarebbero quasi sempre in idle (come accennavo è un mediacenter)
sia un A55 che un NM100 nello stesso piccolissimo case, per Te non sarebbe un problema?
grazie

[megthebest]

Originariamente inviato da gabmac2

quindi secondo Te un A55 non scalda, mentre NM100 si?

ovviamente sarebbero quasi sempre in idle (come accennavo è un mediacenter)

sia un A55 che un NM100 nello stesso piccolissimo case, per Te non sarebbe un problema?

grazie

Ma puoi provare tu stesso, monitora le temperature con Crystaldiskinfo ora che hai solo NM100 sia in idle che facendo in test di velocità con crystaldiskmark.
Poi metti A55 e verifichi la differenza di temperatura di entrambi con gli stessi test.
Riguardo alla garanzia, l'adesivo su NM100 mica lo devi rimuovere tutto/buttare, lo riattacchi dopo aver visionato i chip, l'adesivo è riutilizzabile non inficia la garanzia (in genere è così)

Inviato dal mio Xiaomi 14 utilizzando Tapatalk

[makka]

Ti posso dire che anche il mio mini-pc ha "spazio" per un disco 2280 (nel mio caso nvme) e per un sata 2.5", io l'ho tenuto qualche mese con il suo ssd di serie affiancato da un crucial mx 500 per avere più spazio e non ho notato problemi di calore. Anche il mio è ad uso "mediacenter" con Serviio quindi non carichi pesanti.
Poi ho approfittato di un giorno di sconto e ho preso un ediloca da 1Tb e ora ho solo quello.
Gli nvme scaldano più dei sata (o msata) anche se il mio pc ha poche linee pci-ex quindi l'ssd come performance viene castrato alla fonte.
Secondo me puoi provare a mettere entrambi e vedere come va, installi un sw di monitoraggio temperature per essere sicuro e via.
Dipende anche da quanto è "mini" il tuo pc, il mio è circa 10x10x4 cm, quindi abbastanza piccolo.
Aggiungo che l'ssd "di serie" era un modello molto strano, avevo chiesto info anche qui e dai codici sembrava un "oem Dell" che in un pc della Beelink non si capisce cosa ci faccia !!
Ora è in un box usb ma ultimamente mi sta dando un sacco di problemi, se copio roba grossa il dissipatore del box si scalda moltissimo ma la velocità di trasferimento scende a valori infimi.....

[gabmac2]

grazie per i consigli e le esperienze dirette
il problema è uno solo
il pc verrà utilizzato solo per media center (al limite lettura posta e lettura pdf, quindi.....)
Lexar è una marca discreta in teoria, poi sul modello specifico.....(non scalda molto comunque)
la domanda brutale è:
secondo la Vostra esperienza, un A55 è molto più affidabile di un NM100 (nel medio-lungo periodo)?
la garanzia del pc è stata estesa a 6 anni (Lexar dovrebbe dare 3 anni)
nel caso, backup frequenti e si si pianta.....garanzia.....

[@Liupen]

Originariamente inviato da makka

Aggiungo che l'ssd "di serie" era un modello molto strano, avevo chiesto info anche qui e dai codici sembrava un "oem Dell" che in un pc della Beelink non si capisce cosa ci faccia !!
Ora è in un box usb ma ultimamente mi sta dando un sacco di problemi, se copio roba grossa il dissipatore del box si scalda moltissimo ma la velocità di trasferimento scende a valori infimi.....

Vuol dire che il controller scalda troppo ma anche che il dissipatore funziona.
Andrà in TT.

Purtroppo con la stagnazione della tecnologia (le nand sono quelle da anni), ci sono produttori la qualunque che si inventano fabbricatori di ssd e lo fanno anche per marchi blasonati. E poi.. difetti, rallentamenti, si disconnettono. Il web comincia ad essere sempre più pieno di questi "casi".


Black un argomento che hai trattato e che riprendo grazie a TechInsights.

- L'introduzione del bonding ibrido nei prodotti NAND 3D consente di risparmiare spazio sul die, spostando i circuiti di controllo periferici dal bordo del die a un die CMOS dedicato e bonded. Tuttavia, questo die logico CMOS dedicato richiede ulteriore silicio ed è destinato a diventare più complesso nel tempo, aumentando l'impatto ambientale complessivo.

- Con l'avvicinarsi dei 1000 piani di NAND 3D, l'impatto delle emissioni di Scope 1* diventa più pronunciato a causa della necessità di incidere accuratamente questi strati. L'efficienza di abbattimento sarà ulteriormente messa a fuoco.

*emissioni dirette di gas serra (GHG) del processo produttivo

A fronte di questo, nuove tecniche sono allo studio:

- Innovazioni promettenti, come l'incisione criogenica che utilizza composti chimici gassosi con un potenziale di riscaldamento globale (GWP) molto più basso, sono all'orizzonte per la futura produzione di NAND 3D. Tuttavia, la NAND 3D, come la logica avanzata, è destinata a passare a nuovi materiali di interconnessione on-die (come il molibdeno), e l'uso di una tecnologia a celle multilivello più densa solleva interrogativi sulla durata utile del dispositivo.

l'articolo chiude con:

Anche se l'abbattimento potesse essere spinto vicino al 100%, il contributo delle emissioni di Scopo 2 non sarebbe trascurabile. Essere più efficienti dal punto di vista energetico e utilizzare più fonti di energia rinnovabili diventeranno fondamentali per un futuro sostenibile in termini di costi ed emissioni, come nel caso dell'intera industria dei semiconduttori.


Mi sembra chiaro che dalla tecnologia di produzione delle nand ci si debba aspettare sempre più "inquinamento" e che l'eventuale "compensazione" ambientale si avrà solo se i paesi produttori attueranno a livello nazionale delle leggi apposite.. cosa che non faranno per il vile denaro.

Insomma: Nand is not green!

[@Liupen]

Originariamente inviato da gabmac2

la domanda brutale è:
secondo la Vostra esperienza, un A55 è molto più affidabile di un NM100 (nel medio-lungo periodo)?
la garanzia del pc è stata estesa a 6 anni (Lexar dovrebbe dare 3 anni)
nel caso, backup frequenti e si si pianta.....garanzia.....

Non si può sapere, per due motivi:
1) nessuno ha esperienza diretta sui due modelli
2) il Lexar (ma anche l'A55 attuale) hanno componenti sconosciuti.

In questo caso la cosa logica da fare è lasciare il Lexar e realizzare un backup regolare dei dati.
Se in un futuro troverai a prezzo conveniente un MX500 o un 860 EVO (M.2) lo sostituirai.

[gabmac2]

Originariamente inviato da @Liupen

Non si può sapere, per due motivi:
1) nessuno ha esperienza diretta sui due modelli
2) il Lexar (ma anche l'A55 attuale) hanno componenti sconosciuti.

In questo caso la cosa logica da fare è lasciare il Lexar e realizzare un backup regolare dei dati.
Se in un futuro troverai a prezzo conveniente un MX500 o un 860 EVO (M.2) lo sostituirai.

quindi secondo Te un A55, in teoria non può essere assolutamente (e sicuramente) migliore di un NM100 (certamente non in prestazioni)
ovviamente se dovesse saltare di netto NM100, i dati comunque non possono essere recuperati?
(non piace a nessuno che dati personali finiscano in mano ad altri se si dovesse riconsegnare il pc)
grazie

[@Liupen]

Originariamente inviato da gabmac2

quindi secondo Te un A55, in teoria non può essere assolutamente (e sicuramente) migliore di un NM100 (certamente non in prestazioni)
ovviamente se dovesse saltare di netto NM100, i dati comunque non possono essere recuperati?
(non piace a nessuno che dati personali finiscano in mano ad altri se si dovesse riconsegnare il pc)
grazie

Non posso dirlo secondo me se: un A55, in teoria non può essere assolutamente (e sicuramente) migliore di un NM100, proprio per il motivo che ti ho detto sopra (che controller hanno? Che nand? Chi li stà producendo/assemblando?)
Posso dirti, e ti ho detto che mi fido di più della taiwanese Silicon Power che di Lexar.
Ma è una preferenza personale.

Il recupero dei dati da un ssd è difficile ma non impossibile a certe condizioni. Cripta i dati se non lo sono già dalla fabbrica.
Se usi Windows hai Bitlocker.
A meno che non ci sia motivo, dubito che un negozio o il produttore del pc, ci perda tempo: fuori l'ssd difettoso, dentro quello nuovo!

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da @Liupen

Black un argomento che hai trattato e che riprendo grazie a TechInsights.

Ammazza oh, sono usciti due articoli (di cui solo uno accademico) e adesso l'LCA delle NAND flash e degli SSD è diventato un trend.
Se vai a vedere su Google Scholar ci sono pochi paper e la maggior parte sono più vecchi di 10 anni, quasi come se il problema fosse sorto ora.

Sai linkami l'articolo comunque? Ho cercato brevemente ma non ho trovato (hai per caso un account TechInsights?).

Originariamente inviato da @Liupen

- L'introduzione del bonding ibrido nei prodotti NAND 3D consente di risparmiare spazio sul die, spostando i circuiti di controllo periferici dal bordo del die a un die CMOS dedicato e bonded. Tuttavia, questo die logico CMOS dedicato richiede ulteriore silicio ed è destinato a diventare più complesso nel tempo, aumentando l'impatto ambientale complessivo.

Chiaro, hybrid bonding significa "unire" due substrati di silicio tramite legami chimici, ovviamente ci sono due die e wafer diversi che raddoppiano - teoricamente - le emissioni. Sarebbe interessante anche sapere se l'azione in sé di creazione e uso dei legami di rame per i due substrati aumenti le emissioni. In questo paper che ho preso in considerazione per studiare un po' la tecnologia Xtacking non c'è scritto ma potrei documentarmi meglio sicuramente.

Originariamente inviato da @Liupen

- Con l'avvicinarsi dei 1000 piani di NAND 3D, l'impatto delle emissioni di Scope 1* diventa più pronunciato a causa della necessità di incidere accuratamente questi strati. L'efficienza di abbattimento sarà ulteriormente messa a fuoco.

Anche questa mi sembra ovvia come cosa, come ho scritto in questo commento più layer equivalgono ad un maggior numero step di produzione quindi per una NAND flash da 1.000L il numero non sarebbe indifferente (circa 4.479... ).

Originariamente inviato da @Liupen

A fronte di questo, nuove tecniche sono allo studio:

- Innovazioni promettenti, come l'incisione criogenica che utilizza composti chimici gassosi con un potenziale di riscaldamento globale (GWP) molto più basso, sono all'orizzonte per la futura produzione di NAND 3D. Tuttavia, la NAND 3D, come la logica avanzata, è destinata a passare a nuovi materiali di interconnessione on-die (come il molibdeno), e l'uso di una tecnologia a celle multilivello più densa solleva interrogativi sulla durata utile del dispositivo.

Teoricamente con "incisione criogenica" si intende incisione con il plasma di fluoruro di idrogeno visto che qui scrivono:

L'incisione cryo con il plasma di fluoruro di idrogeno ha mostrato un significativo aumento nella velocità di incisione in confronto agli scorsi processi di incisione cryo dove si usano separatamente le fonti di fluoro e idrogeno

Ma la frase "in confronto agli scorsi processi di incisione di cryo" non mi torna, le attuali NAND flash usano l'incisone ionica reattiva, non incisione criogenica. Magari i ricercatori si riferiscono a qualche tipo di incisione criogenica in studio da un po' di tempo.

Devo studiare di più questa incisione e quello che propongono i ricercatori, in questi giorni se riesco mi metto sotto.

Originariamente inviato da @Liupen

Anche se l'abbattimento potesse essere spinto vicino al 100%, il contributo delle emissioni di Scopo 2 non sarebbe trascurabile. Essere più efficienti dal punto di vista energetico e utilizzare più fonti di energia rinnovabili diventeranno fondamentali per un futuro sostenibile in termini di costi ed emissioni, come nel caso dell'intera industria dei semiconduttori.


Mi sembra chiaro che dalla tecnologia di produzione delle nand ci si debba aspettare sempre più "inquinamento" e che l'eventuale "compensazione" ambientale si avrà solo se i paesi produttori attueranno a livello nazionale delle leggi apposite.. cosa che non faranno per il vile denaro.

Sì, mi sembra di capire che TechInsights ci stia dicendo: "attualmente le emissioni delle NAND flash non sono un problema ma all'aumentare dei layer (specialmente avvicinandoci ai 1.000L) lo saranno se non vengono scoperti nuovi metodi per l'abbattimento delle emissioni. Visto che i nuovi metodi di incisione sono ancora in studio è meglio iniziare la produzione delle NAND flash tramite energia sostenibile".

Intano ho trovato questo paper, mo' me lo leggo un po' e se ci trovo qualcosa di interessante lo scrivo.

[Black (Wooden Law)]

@Liupen giusto per aggiungere al tema "difficoltà future e attuali delle NAND flash 3D": ho appena finito di leggere questo interessantissimo paper del 2023 che parla dei trend, delle attuali e future sfide che questo tipo di memoria sta affrontando/dovrà affrontare e i punti più interessanti per le attuali sfide sono:
1. difficoltà nell'incisione ad alto allungamento (HAR) per la riduzione della velocità di incisione a seguito dell'aumento dell'allungamento dello stack NAND flash;
2. dal momento che all'aumentare dei layer sono necessari più X-decoder (selettori di pagine) e WL pad le dimensioni nella direzione X (quindi in lunghezza) stanno aumentando sempre di più. In parole povere la lunghezza delle scale sta aumentando;
3. Deformazione del wafer NAND flash. A seguito dei processi di produzione delle NAND flash 3D il die viene deformato sempre di più specialmente per il fatto che c'è una deformazione della "sella" causata da un'asimmetria del chip nelle direzioni X e Y (quindi sia orizzontalmente e verticalmente).

Attuali soluzioni che si stanno mettendo in atto per i 3 problemi:
1. incisione criogenica. So di aver detto prima che il tipo di incisione che viene effettuato per le NAND flash 3D è a ioni reattivi (che è un tipo di incisione a secco) ma a quanto pare Samsung la sta già usando dalle NAND flash V8 sfruttando una maggiore la velocità di incisione di 1,5 volte e ottenendo anche il più piccolo pitch ("distanza" diciamo) di sempre tra i fori dei canali. Se usata in futuro questo tipo di incisione può anche mitigare la necessità di dover impilare continuamente layer data la sua capacità di incisione (e questo, secondo lo studio, abbassa i costi di produzione);
2. struttura multifori, ossia l'incisione di più fori negli spazi WL. Siccome c'è una certa distanza in nm tra una WL e l'altra la struttura multifori prevede di incidere più fori per ogni "porzione" di WL migliorando lo scaling laterale. Per migliorare la scalatura orizzontale è stato anche tenuto in conto la riduzione del pitch dei fori e del pitch delle BL (punto sul quale la ricerca è ferma dall'inizio della produzione delle NAND flash 3D, nel senso che il pitch delle BL non viene ridotto al di sotto dei 40 nm da sempre) ma ciò non è possibile visto che aumenterebbe l'interferenza cella a cella e la perdita di carica;
3. "tecnologie di gestione dello stress" come "film stress change", deposizione posteriore (BSSCC teoricamente) e la ricottura (le ultime due sono già in uso da YMTC).

Per il resto, sulle sfide del futuro il paper non mostra altre problematiche, piuttosto offre soltanto soluzioni sotto studio. Una novità per migliorare lo scaling verticale (quindi per l'implicazione dei layer) è "trap-cut" che consiste nel tagliare alcuni layer di intrappolamento delle cariche (quindi alcuni layer di Si₃N₄) per curare maggiormente le perdita di carica. Quindi quando guardi il canale in verticale vedi che ci sono delle celle "staccate" tra di loro (ricordando, a mio parere, le celle floating gate) anziché il solito strato di Si₃N₄ bello condiviso con le cariche.

Ultima cosa è l'uso di uno stack ferroelettrico anziché CTF. In poche parole anziché usare uno strato di Si₃N₄ per l'intrappolamento degli elettroni viene usato un materiale ferroelettrico che è in grado di mantenere della carica grazie al campo elettrico prodotto dalla polarizzazione ferroelettrica. Utilizzando una polarizzazione ferroelettrica si riesce ad avere delle tensioni operative e applicative (cioè quelle di programmazione e cancellazione) inferiori visto che non c'è iniezione di carica come nelle celle CTF convenzionali che usano l'effetto tunnel Fowler-Nordheim.

Mi scuso per il commento più tecnico del solito, comunque. Spero di esser stato chiaro e di facile comprensione.

[unnilennium]

Leggo con interesse, anche se capisco poco, però non capisco cosa sia "...abbadando anche i costi di produzione..."

Inviato dal mio 23127PN0CG utilizzando Tapatalk

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da unnilennium

Leggo con interesse, anche se capisco poco, però non capisco cosa sia "...abbadando anche i costi di produzione..."

Inviato dal mio 23127PN0CG utilizzando Tapatalk

Volevo dire "abbassando" ma dopo una certa ora sono abbastanza cotto e scrivo male. Scusami per l'errore e grazie della correzione Unnilennium.

[frafelix]

Qualche aggiornamento sul secure erase: confermo che con parted magic si crea una chiavetta usb avviabile e tra i vari software c'è anche il secure erase per ssd.

Invece per quanto riguarda trim e gc segnalo che su mac (Mac studio con Sequoia 15.5, quindi l'ultimo so) ho provato con software di recupero dati a recuperare dei documenti e ci sono riuscito. Tra l'altro controllando quello che potevo recuperare, ci sono cose anche vecchie di anni!
Ma il trim non dovrebbe entrare in funzione appena si cancella un file?
Idem il gc, non dovrebbe entrare in funzione negli stati di idle di sistema/ssd?

Dai vostri ultimi commenti avevo letto che entravano in gioco in fase di riscrittura delle celle, ma io sapevo che per esempio che il trim agiva "subito" e non solo in fase di riscrittura se la cella è piena

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da frafelix

Invece per quanto riguarda trim e gc segnalo che su mac (Mac studio con Sequoia 15.5, quindi l'ultimo so) ho provato con software di recupero dati a recuperare dei documenti e ci sono riuscito. Tra l'altro controllando quello che potevo recuperare, ci sono cose anche vecchie di anni!
Ma il trim non dovrebbe entrare in funzione appena si cancella un file?
Idem il gc, non dovrebbe entrare in funzione negli stati di idle di sistema/ssd?

Dai vostri ultimi commenti avevo letto che entravano in gioco in fase di riscrittura delle celle, ma io sapevo che per esempio che il trim agiva "subito" e non solo in fase di riscrittura se la cella è piena

Magari molto semplicemente il TRIM ha informato il garbage collection su altri blocchi che non contenevano questi dati vecchi di anni che dici tu. Se mi dici che questi dati sono qualche centinaia di MB o al massimo qualche unità di GB potrei pensare a questo caso ma se mi dici che la quantità di dati è ingente allora potrei pensare che il TRIM e/o il GC non funzioni bene con l'SSD/il SO. Comunque sì, il TRIM ogni qualvolta che riceve una richiesta di cancellazione informa immediatamente il GC che ci sono dei blocchi da cancellare. Tieni però conto che il GC prende alcuni dati "buoni" del blocco, li copia e li incolla in altri blocchi, quindi non cancella completamente tutto il blocco teoricamente.

Leggendo molto velocemente questo paper mi sembra di capire che il funzionamento del TRIM e del GC dipenda dal file system, dal SO e dell'SSD (anche se purtroppo hanno testato soltanto vecchi SSD SATA):

Nonostante le diverse differenze tra i Solid State Drives selezionati, 18 iterazioni hanno mostrato che il Gabrgae Collection e il TRIM hanno agito rispettivamente il 67% e il 61%. [...] Sia il Garbage Collection che il TRIM hanno preso di mira i dati cancellati senza eccezioni. Tuttavia, il Garbage Collection non si verifica dopo l'eliminazione dei dati e può essere distinta da TRIM.

Questa la conclusione. C'è però da dire che questo paper ha testato soltanto Windows 10, Ubuntu 18.04 e Debian 9.4 con rispettivamente NTFS, EXT4 e XFS, non macOS con APFS.

Quest'altro studio, invece, mi sembra più completo visto che usa anche macOS (Catalina). Qui i ricercatori hanno indagato sul recupero dei dati a seguito del TRIM e del GC con diversi SSD SATA (due NS100, un BX500, un A400 e un 870 EVO). Con macOS Catalina è stato scoperto che indipendentemente dall'uso dell'SSD (25%, 50% e 75%) la probabilità del recupero dei dati dopo 24 ore è di circa del 52-54%. Il problema è che sono 24 ore, non anni (anche se il primo paper è arrivato fino a 84 ore).

In conclusione ti direi che non siamo in conoscenza dell'efficienza del TRIM sul lungo termine ma che a rigor di logica, non essendo un algoritmo perfetto, alcune pagine da cancellare possano anche non esser toccate per molto tempo. Ti direi anche che dipende molto dalla quantità di file di cui si parla, dal tipo di file, dalle loro dimensioni, dall'SSD specifico, ecc.

[frafelix]

La dimensione totale dei file recuperabili era di qualche gb. I Mac sono sempre stati noiosi dal punto di vista degli ssd, le prime versioni dei so che supportavano gli ssd erano compatibili solo con quelli montati di fabbrica, se lo sostituivi o lo aggiungevi ad un Mac che ne era sprovvisto avevi il trim non funzionante e dovevi installare programmi di terze parti per abilitarlo (all'epoca c'era Trim Enabler). Mi pareva di aver letto che non so da quale versione di so in poi avevano aperto a tutti gli ssd il pieno supporto.

Il gc è gestito solo a livello firmware dell'ssd. Il trim invece è un comando che parte da so e poi gestito dal firmware. La domanda per il trim è: teoricamente viene lanciato appena di cancella un file oppure viene lanciato nel momento in cui si tenta di scrivere su una cella (semplificando) che è piena di dati vecchi (cioè cancellabili)?

[sbaffo]

ho un'ipotesi un po strana ma magari... in caso di "incidente" cioè crash/bsod/salta corrente l'SSD si ferma così com'è senza portare a termine il trim/gc. Al riavvio si ricorda di farlo o dimentica tutto e la roba vecchia resta lì per anni finchè non viene sovrascritta per caso?
Idem se all'inizio è stato usato con un un S.O. senza trim, ma è improbabile.
Edit: leggo ora il commento di frafelix che su Mac in effetti era così...