[Thread Ufficiale] AMD Ryzen - Overclock/Benchmarking/Gaming

[Salvatopo]

Originariamente inviato da papugo1980

Ottimo quindi in parte è risolta la storia ram

Speriamo, ora voglio vedere come si comporta.

Originariamente inviato da Gianca90

Te lo avevo già scritto ma forse te lo sei perso... hai provato mettendo 60 ohm o 68 ohm per il procODT? In teoria dovresti risolvere i problemi di boot.

Si, me l'avevi scritto e mi sa che nel messaggio sparito ti avevo scritto che non ho quelle impostazioni nel BIOS.

MSI mi ha un po' deluso da questo punto di vista.

[Vega1978]

Originariamente inviato da Salvatopo

Speriamo, ora voglio vedere come si comporta.



Si, me l'avevi scritto e mi sa che nel messaggio sparito ti avevo scritto che non ho quelle impostazioni nel BIOS.

MSI mi ha un po' deluso da questo punto di vista.

Il vcldo ce l'ho io nella b350 tomahawk msi. In overclock pagina principale dovresti averla come voce è vicino al voltaggio ram se non ricordo male. Il proctodt e nei parametri avanzati della ram

[Terroncello86]

Qualcuno ha provato a undervoltare un r5 1600 a frequenza stock 3200mhz? A che vcore siete arrivati stabili?

[TheDarkAngel]

Originariamente inviato da Terroncello86

Qualcuno ha provato a undervoltare un r5 1600 a frequenza stock 3200mhz? A che vcore siete arrivati stabili?

0,9v mi pare

[Terroncello86]

Originariamente inviato da TheDarkAngel

0,9v mi pare

Grazie, potrei sapere che test hai utilizzato per verificarne la stabilità?

[papugo1980]

Fai 2 ore di occt

[TheDarkAngel]

Originariamente inviato da Terroncello86

Grazie, potrei sapere che test hai utilizzato per verificarne la stabilità?

occt in entrambe le modalità, prime95 in entrambe le modalità e aida64 con tutti i sottosistemi selezionati

[Salvatopo]

Originariamente inviato da Vega1978

Il vcldo ce l'ho io nella b350 tomahawk msi. In overclock pagina principale dovresti averla come voce è vicino al voltaggio ram se non ricordo male. Il proctodt e nei parametri avanzati della ram

Hai ragione, ti chiedo scusa.
I settaggi ora sono ad AUTO e la RAM sembra stabile a 3200 con 1,38V (non sono sceso di più per pigrizia).
Piuttosto sono poco convinto dei timings:

[Terroncello86]

massimo raggiunto in stabilità r5 1600 @3200mhz vcore 0.936 (-0.162), purtroppo ho fatto confusione con hwinfo e ho perso lo screen prima della fine del test.
Temp max di circa 40° dopo 2 ore può andar bene ad aria con un dark rock pro 3? non ho montato il dissy stock e non ho idea delle performance.

ecco screen QUI

[Spitfire84]

Originariamente inviato da Terroncello86

massimo raggiunto in stabilità r5 1600 @3200mhz vcore 0.936 (-0.162), purtroppo ho fatto confusione con hwinfo e ho perso lo screen prima della fine del test.
Temp max di circa 40° dopo 2 ore può andar bene ad aria con un dark rock pro 3? non ho montato il dissy stock e non ho idea delle performance.

ecco screen QUI

HWinfo visualizza un vcore di 1,1V, o sbaglio?
Impressionante però vedere un 6 core 12 thread con un consumo massimo di 30W sotto occt a 3,2 GHz!

[Terroncello86]

Originariamente inviato da Spitfire84

HWinfo visualizza un vcore di 1,1V, o sbaglio?
Impressionante però vedere un 6 core 12 thread con un consumo massimo di 30W sotto occt a 3,2 GHz!

il vcore lo vedi settato sotto nella mainboard, comunque immaginavo avrebbe fatto confuzione lo screen di hwinfo.....purtroppo quello è stato fatto a test terminato, quindi consumi e temperature sono quasi in idle.

[Gianca90]

Ragazzi lo scrivo anche qua:

Il bios 1201 per la X370-Prime Pro sembra essere realmente più stabile sul vcore.

Sono passato da 1.368v LLC3 con errore di OCCT dopo 40 minuti (superando invece 2 ore realbench) con il bios 0902/1001...

A 1.362v LLC3 senza errori ad OCCT 2h, realbench max ram 2 h, prime blend/custom max ram 6h, 1000% memtest-hci e 4h memtest84. Quindi RockSolid! (ho messo screen in vari post indietro).

Adesso sto provando 1.357v LLC3 (sempre @4050mhz) e ho già superato 2 ore OCCT e 10 run di IBT AVX Max ram. Stanotte faccio memtest 1000% e se lo supero domani mattina faccio 6 ore di prime95 blend/custom max ram. Infine realbench 2 ore e 4 ore di memtest64, che dovrei superare (se supero i 2 precedenti).

Se si dovesse confermare stabile, è un super passo avanti!!

Ho cambiato solo il vcore, resto tutto uguale!

[Vega1978]

Originariamente inviato da Salvatopo

Hai ragione, ti chiedo scusa.
I settaggi ora sono ad AUTO e la RAM sembra stabile a 3200 con 1,38V (non sono sceso di più per pigrizia).
Piuttosto sono poco convinto dei timings:

Figurati, non dovevi neanche chiedere scusa. Pensavo solo di fare un piacere. Penso che le tue ram siano b-die, se si puoi usare come base i timing di the stilt come riferimento di partenza. Altro non so

[Salvatopo]

Originariamente inviato da Vega1978

Figurati, non dovevi neanche chiedere scusa. Pensavo solo di fare un piacere. Penso che le tue ram siano b-die, se si puoi usare come base i timing di the stilt come riferimento di partenza. Altro non so

Beh, ho sbagliato e mi è sembrato naturale chiedere scusa.

Domani mi vado a cercare i timings e li provo (prevedo nottata ).

[SpongeJohn]

Vedo che chi segue il thread attivamente finalmente inizia a fare oc testati come si deve lato cpu e mem 8)

Come ho già scritto, molti di questi oc dovranno essere corretti all'avvicinarsi dell'estate per via delle temperature ambiebtali maggiori. Ricordatevi sempre che le temp maggiori vogliono piú vcore, piú vcore significa piú temp... é un circolo vizioso. quindi quando le temp aumenteranno, meglio cedere qualche mhz .

ultima nota, una rilevazione software occasionalmente sopra i 100gradi durante i bench (sui vrm) puó essere solo un errore temporaneo. Vero é che la stragrande maggioranza dei vrm regge oltre i 110. ma il resto dei componenti li intorno: no. per questo bisogna iniziare a consigliare a chi vuole fare oc duraturo di scegliere la giusta scheda madre con un comparto vrm robusto. purtroppo molte b350 sotto questo punto di vista sono carenti, sopratutto se si sorpassa 1.38v. l'importante é monitorare ( anche usando un termometro ad infrarossi da pochi euro, che non sarà precisissimo ma che un'idea la dà) il proprio hardware ed al limite per chi proprio non vuoke rinunciare, munirsi di una ventola da piazzare diretta sopra i vrm (occhio che alcune posizioni delle ventole non danno risultati, bisogna provare).

Insomma l'oc non é per tutte le configurazioni o le tasche.

[Gianca90]

Originariamente inviato da SpongeJohn

...

molti di questi oc dovranno essere corretti all'avvicinarsi dell'estate per via delle temperature ambiebtali maggiori. Ricordatevi sempre che le temp maggiori vogliono piú vcore, piú vcore significa piú temp... é un circolo vizioso. quindi quando le temp aumenteranno, meglio cedere qualche mhz .
...

Come si spiega questo fenomeno?

Cioè, perchè una temperatura ambientale più alta dovrebbe richiedere più vcore?
Ho provato a cercare ma non ho trovato nulla in merito.

[walter89]

Originariamente inviato da Gianca90

Come si spiega questo fenomeno?

Cioè, perchè una temperatura ambientale più alta dovrebbe richiedere più vcore?
Ho provato a cercare ma non ho trovato nulla in merito.

è dovuto a come il silicio reagisce alle temperature.

[Mister D]

Originariamente inviato da walter89

è dovuto a come il silicio reagisce alle temperature.

Esatto!
Quello che cita anche sponge è l'effetto della temperatura sulle correnti di dispersione (in inglese leakage current). Queste correnti sono INDESIDERATE perché si creano quando un elettrone "salta" dalla propria pista a quelle vicine e crea instabilità perché non porta più l'informazione che in transistor veicola.
Dalla chimica generale si sa che più alta è la temperatura più le molecole possiedono agitazione molecolare. Questo è valido anche per il silicio ergo più aumenta la temperatura più aumentano le correnti di dispersione. Per questo per salire di frequenza ad un certo punto ci sono i cosiddetti muri: in pratica i transistor non riescono più a commutare bene a causa del leakage che aumenta esponenzialmente e il ricorso all'aumento di potenziale (vcore) per tenere ferme le cariche sulle piste non sortisce più nessun effetto. Anzi aumenta a sua volta il calore che aumenta a sua volta la temp che a sua volta aumenta il leakage. Arrivati a questo punto si deve aumentare il potere dissipante:
-aria
-liquido (custom)
- phase change (cambio di fase, si usa il calore latente di un fluido per togliere più velocemente il calore)
- azoto
- elio

Aumentando il potere dissipante faccio fare dei salti alla mia curva leakage / temperatura, potendo così continuare la corsa all'aumento della frequenza via aumento del potenziale elettrico (tensione cpu o vcore).

Qua un riferimento:
https://en.wikipedia.org/wiki/Leakage_(electronics)
EDIT: aggiungo per i più volenterosi di sapere:
https://www.google.it/url?sa=t&rct=j...4g__b-8eUrGycn
è un articolo accademico sull'influenza delle temperatura sul leakage. A pagina 22 cito:
"Subthreshold leakage current Isub is exponentially dependent on temperature, as
shown in Fig. 2.5; a common rule of thumb is that leakage current doubles for every
10C increase in temperature [12]. When VGS ¼ 0, Isub may be represented by the
Shockley diode model"

Poi altro articolo su temp e tensione (vdd) sui 90 nm e 65 nm:
https://pdfs.semanticscholar.org/605...47989fb1e3.pdf
Notate come il comportamento peggiora a nanometrie più spinte e a tensioni più elevate oltre che a temperature più alte. Questo perché, come spiega il trafiletto su wiki, il leakage è inversamente proporzionale allo spessore della regione isolante nei transistor ed ecco perché nel tempo si sono usate tecniche diverse (SOI, strained silicon, low-k dielettric, ecc ecc) per ridurre queste correnti.

PS: mi scuso per aver semplificato il discorso ma così è facilmente "digeribile"

[capitan_crasy]

Originariamente inviato da Terroncello86

massimo raggiunto in stabilità r5 1600 @3200mhz vcore 0.936 (-0.162), purtroppo ho fatto confusione con hwinfo e ho perso lo screen prima della fine del test.
Temp max di circa 40° dopo 2 ore può andar bene ad aria con un dark rock pro 3? non ho montato il dissy stock e non ho idea delle performance.

ecco screen QUI

Semplicemente spettacolare...

Originariamente inviato da Mister D

Esatto!
Quello che cita anche sponge è l'effetto della temperatura sulle correnti di dispersione (in inglese leakage current). Queste correnti sono INDESIDERATE perché si creano quando un elettrone "salta" dalla propria pista a quelle vicine e crea instabilità perché non porta più l'informazione che in transistor veicola.
Dalla chimica generale si sa che più alta è la temperatura più le molecole possiedono agitazione molecolare. Questo è valido anche per il silicio ergo più aumenta la temperatura più aumentano le correnti di dispersione. Per questo per salire di frequenza ad un certo punto ci sono i cosiddetti muri: in pratica i transistor non riescono più a commutare bene a causa del leakage che aumenta esponenzialmente e il ricorso all'aumento di potenziale (vcore) per tenere ferme le cariche sulle piste non sortisce più nessun effetto. Anzi aumenta a sua volta il calore che aumenta a sua volta la temp che a sua volta aumenta il leakage. Arrivati a questo punto si deve aumentare il potere dissipante:
-aria
-liquido (custom)
- phase change (cambio di fase, si usa il calore latente di un fluido per togliere più velocemente il calore)
- azoto
- elio

Aumentando il potere dissipante faccio fare dei salti alla mia curva leakage / temperatura, potendo così continuare la corsa all'aumento della frequenza via aumento del potenziale elettrico (tensione cpu o vcore).

Qua un riferimento:
https://en.wikipedia.org/wiki/Leakage_(electronics)
EDIT: aggiungo per i più volenterosi di sapere:
https://www.google.it/url?sa=t&rct=j...4g__b-8eUrGycn
è un articolo accademico sull'influenza delle temperatura sul leakage. A pagina 22 cito:
"Subthreshold leakage current Isub is exponentially dependent on temperature, as
shown in Fig. 2.5; a common rule of thumb is that leakage current doubles for every
10C increase in temperature [12]. When VGS ¼ 0, Isub may be represented by the
Shockley diode model"

Poi altro articolo su temp e tensione (vdd) sui 90 nm e 65 nm:
https://pdfs.semanticscholar.org/605...47989fb1e3.pdf
Notate come il comportamento peggiora a nanometrie più spinte e a tensioni più elevate oltre che a temperature più alte. Questo perché, come spiega il trafiletto su wiki, il leakage è inversamente proporzionale allo spessore della regione isolante nei transistor ed ecco perché nel tempo si sono usate tecniche diverse (SOI, strained silicon, low-k dielettric, ecc ecc) per ridurre queste correnti.

PS: mi scuso per aver semplificato il discorso ma così è facilmente "digeribile"

[Mister D]

Originariamente inviato da capitan_crasy

cut..

Grazie Cap! Ogni tanto non so neanche io come posso scrivere certe cose, sarà il caffè e l'aria mattutina