SSD: thread generale e consigli per gli acquisti

[Arrow0309]

Originariamente inviato da DOC-BROWN

cavoli SSD ben 4TB... a quel prezzo ????

Si, gli ho fatto un offerta che ha maturato dopo 30h
Vedo che da voi costa 245 euro min min su amazon. Questo verrebbe sui 200 quindi ottimo.
Ma temo che sia dramless, cmq andrà a sostituire il primo dei due P210 con prestazioni superiori e non di poco; il secondo cercherò di sostituire con un secondo Sa510 ma da 2Tb in quanto mi basta (devono stare accoppiati senno' si vedranno male)

[@Liupen]

Originariamente inviato da Arrow0309

Si, gli ho fatto un offerta che ha maturato dopo 30h
Vedo che da voi costa 245 euro min min su amazon. Questo verrebbe sui 200 quindi ottimo.
Ma temo che sia dramless, cmq andrà a sostituire il primo dei due P210 con prestazioni superiori e non di poco; il secondo cercherò di sostituire con un secondo Sa510 ma da 2Tb in quanto mi basta (devono stare accoppiati senno' si vedranno male)

Prova ad usare il software di Vlo http://vlo.name:3000/tmph/smi_nvme_flash_id.rar
Avvia come amministratore e dovrebbe leggerti le info del controller SM identificato quello, sai se è DRAMless.

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da @Liupen

Neanche escluso comunque che negli ssd non sample siano stati poi effettivamente usate le 86 Gbit... non ho trovato immagini di un samsung 850 PRO "normale" e su amazon ne ho trovato uno da 1TB a 500€ ...ehm, no, no...grazie.

Per forza di cose, però, le pMLC da 86Gb devono esser state utilizzate fin quando non hanno rilasciato le V2 MLC da 128Gb, cioè 2015 (teoricamente all’uscita dell’850 PRO da 2TB e dell’850 EVO da 2TB ma non mi sorprenderei se avessero utilizzate le V2 MLC prima di questi due modelli), semplicemente perché le V2 MLC non esistevano fisicamente fino al 2015.

Originariamente inviato da @Liupen

Ma ti lancio un altra ipotesi che potrebbe essere:

23 luglio 2015 presentati ufficialmente il Samsung 850 PRO ed EVO da 2TB (V2 32 piani 2 e 3 bit)
Agosto 2015 Samsung annuncia una nuova V-Nand V3 a 48 piani

..e se le celle contenute nel 850 PRO fossero già le V3 256Gbit?

Nello spreadsheet cinese ci sono scritte due versioni con le NAND flash V3 MLC (die da 256Gb) ma io non l’ho mai viste, né nelle recensioni né in foto. Le due versioni sarebbero da 256GB (MZ7KN256HMJP) e 512GB (MZ7KN512HMJP) ma questo non toglie che anche il 2TB possa avere le V3 MLC, o che addirittura tutti i "nuovi" 850 PRO le abbiano... Se ci sono scritte sullo spreadsheet, comunque, esisteranno sicuramente ma penso che siano state viste soltanto in foto e che non ci siano recensioni. Se poi vai a vedere le immagini dell'MZ7KN256HMJP e dell'MZ7KN512HMJP noti sul retro del packaging che sono stati prodotti da gennaio a giugno 2017 quindi 3 anni dopo il rilascio dell’850 PRO e questo penso possa alzare la probabilità dell'uso delle V3 MLC (l'850 PRO da 9,1PB di C't è un MZ7KE256, quindi penso V2 pMLC).

Non so quanto senso abbia implementare le V3 MLC su un SSD del genere, comunque. Avrebbe avuto più senso lasciarli con le V2 pMLC visto che non hanno mai fatto danni.

Originariamente inviato da @Liupen

Ci stà, ma sai perchè?
TechInsights ha eseguito almeno 3 esami sulle V2 in tempi diversi, può essere che i rilievi della grandezza del die intero e dell'array rilevato in questi esami (che a noi sono preclusi (ho poca speranza di averli, ma ci provo).

Non hai finito la frase Liupen ma immagino che intendi qualcosa tipo "hanno fatto confusione con 3 esami sulle V2 in tempi diversi".

Originariamente inviato da @Liupen

Quello che mi chiedo, se così fosse, è perchè dei recensori è studiosi attenti, non hanno anche DOPO (non dico subito, perchè come hai detto potevano essere ignoranti della emulazione) fatto le pulci a samsung che non ha usato celle MLC native (spiegare l'emulazione avrebbe anche comportato uno sciorinamento di bravura da parte del recensore che l'avrebbe scritto).

Mh, penso perché alcuni recensori non se ne siano mai accorti o magari l'hanno fatto troppo tardi e se ne sono fregati. Adesso, non so quando è stato fatto lo spreadsheet cinese e ammetto che non conoscevo assolutamente l'esistenza delle V2 pMLC nell'850 PRO fino alla prima volta in cui l'ho visualizzato (stessa cosa penso Gabriel Ferraz) ma non penso che qualcuno si sia mai spulciato per bene gli articoli di Samsung sulla produzione delle NAND flash nel 2014 come abbiamo fatto noi e che quindi abbia individuato le TLC al posto delle MLC. Aggiungi anche il fatto che noi ci siamo accorti dei package diversi sia nel tempo che nella configurazione in sé di ogni SSD, noi abbiamo fatto dei collegamenti logici grazie ai decoder e all'articolo di TechInsights, noi ci siamo accorti che il die K9ADGD8S0A è TLC e se n'è parlato fin da subito appena è uscita l'analisi di Chipworks (progetto di TechInsights per altro), ecc. Se devo pensare a tutte le fonti che siamo andati a vedere, leggere e studiare, a tutte la confusione che abbiamo fatto tra dimensione del die, S/N diversi, ecc. non penso che sia un lavoro da tutti quanti, ancor meno alcuni recensori che si fanno mandare l'SSD, lo aprono, fanno le veci di Samsung e fine, pubblicano la recensione senza indagare più di troppo (questo infatti è il motivo per il quale scriverei un intero PDF sulla nostra discussione e sulla verità dell'850 PRO ).

Fai comunque conto che a livello di performance e durata tra pMLC e MLC siamo assolutamente lì, specialmente in queste NAND flash dove la differenza la si sente ancor meno rispetto alle NAND flash planari in cui cambiava durata ogni due per tre per il rimpicciolimento del pitch delle wordline, quindi secondo me alcuni non se ne sono proprio accorti e basta. Tuttavia, ciò non vuol dire che Samsung potrebbe fare quello che ha fatto con l'850 PRO oggi e scamparsela per anni: ce ne accorgeremmo subito con tutti i mezzi e le conoscenze che abbiamo maturato nel tempo.

Originariamente inviato da @Liupen

Il resto diciamo che sono congetture perchè non si sà poi realmente cosa contengono gli ssd 850 PRO della produzione consumer.

Ho cercato qualche recensione russa post-uscita 850 PRO e ho trovato quella di 3DNews a settembre 2014, quella di fcenter.ru e quella di ferra.ru a dicembre 2014. Son tutte 2014 ma perché più tardi non se ne trovano, però è comunque qualcosa. Ovviamente tutti quanti con NAND flash pMLC...

Originariamente inviato da @Liupen

Ma proprio perchè qualcosa sembra non quadrare. Nello specifico che hai ragione e sembra che le 2-bit dii qualsiasi tipo (V2, V3) con le V-Nand non siano MAI stare create.

Mo' Liupen mi instilli troppa curiosità, non va bene...
L'ISSCC delle V3 che ho è TLC, non MLC. Il die è 256Gb, ha due piani e una dimensione di 97,6 mm². Il DB di TPU segna le V3 MLC esistenti e lo fa per diversi SSD come il 960 PRO, alcuni Teamgroup e dei Samsung OEM/enterprise ma non ci sono informazioni sulla dimensione del die, GSBD e altri parametri perché né io né Gabriel abbiamo l'ISSCC delle MLC (come penso nessuno). Vuoi che anche le V3 MLC siano delle TLC in pMLC? Non penso ma bisogna vedere la densità dei die del 960 PRO e le analisi di TechInsights se ci sono. Magari provo a dare un'occhiata.

@Arrow0309 oltre fare quello che ti ha detto Liupen dicci anche il firmware se riesci (lo vedi tramite CrystalDiskInfo), se inizia con "52" dovrebbe essere DRAM-less altrimenti se inizia con "53" no.

[Arrow0309]

@Liupen, @Black grazie raga, non appena mi arriva vi faccio sapere

[@Liupen]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Fai comunque conto che a livello di performance e durata tra pMLC e MLC siamo assolutamente lì, specialmente in queste NAND flash dove la differenza la si sente ancor meno rispetto alle NAND flash planari in cui cambiava durata ogni due per tre per il rimpicciolimento del pitch delle wordline, quindi secondo me alcuni non se ne sono proprio accorti e basta. Tuttavia, ciò non vuol dire che Samsung potrebbe fare quello che ha fatto con l'850 PRO oggi e scamparsela per anni: ce ne accorgeremmo subito con tutti i mezzi e le conoscenze che abbiamo maturato nel tempo.


Ho cercato qualche recensione russa post-uscita 850 PRO e ho trovato quella di 3DNews a settembre 2014, quella di fcenter.ru e quella di ferra.ru a dicembre 2014. Son tutte 2014 ma perché più tardi non se ne trovano, però è comunque qualcosa. Ovviamente tutti quanti con NAND flash pMLC...


Mo' Liupen mi instilli troppa curiosità, non va bene...
L'ISSCC delle V3 che ho è TLC, non MLC. Il die è 256Gb, ha due piani e una dimensione di 97,6 mm². Il DB di TPU segna le V3 MLC esistenti e lo fa per diversi SSD come il 960 PRO, alcuni Teamgroup e dei Samsung OEM/enterprise ma non ci sono informazioni sulla dimensione del die, GSBD e altri parametri perché né io né Gabriel abbiamo l'ISSCC delle MLC (come penso nessuno). Vuoi che anche le V3 MLC siano delle TLC in pMLC? Non penso ma bisogna vedere la densità dei die del 960 PRO e le analisi di TechInsights se ci sono. Magari provo a dare un'occhiata.

Proprio uguale non penso, almeno in base alle mie conoscenze.
Innanzitutto la cella emulata è nella maggior parte dei casi della generazione dopo (quella che dovrebbe essere "nativa") quindi generalmente più piccola e contenete meno silicio; di contro non è detto che la tecnologia che la compone sia più efficiente da compensare.
Secondo motivo, il range di rilevamento, la finestra di tensione di soglia che nativamente (per le 2-bit) è su alto/basso per i 4 valori rilevati in una MLC nativa è più definita (ampia), di quella di un TLC emulato MLC.



Di quest'ultima cosa ne sono relativamente sicuro ma non ci metto la mano sul fuoco. Penso che i range di tensione del gate della cella sono tarati nel CMOS e non stabiliti dal controller che emula. Penso che l'emulazione riguardi un comando a valle di questo.
Se realmente è così - mi piacerebbe sapere un parere di un newmaxx - il deterioramento di un segnale nel tempo è peggiore nelle TLC emulate MLC rispetto alle native.

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Ah bravo, io non ero riuscito a trovare neanche un ssd da vedere dentro... sono tutti con le stesse die, dunque.

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Un discorso esteso magari fino ai giorni nostri?
BICS...



E' nato prima l'uovo o la gallina (QLC or TLC)?

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da @Liupen

Proprio uguale non penso, almeno in base alle mie conoscenze.
Innanzitutto la cella emulata è nella maggior parte dei casi della generazione dopo (quella che dovrebbe essere "nativa") quindi generalmente più piccola e contenete meno silicio;

Di questo ne avevo già parlato qui: se la differenza tra le NAND flash emulate e quelle native è fisica (dimensioni delle celle diverse, dimensioni delle pagine diverse, ecc.) allora spesso i risultati sono simili, altrimenti le differenze dovrebbero essere pressoché nulle (ma comunque c'è sempre differenza). Emulando delle NAND flash TLC in pSLC non ottieni lo stesso risultato perché le NAND flash SLC 2D sono nettamente più grandi di quelle TLC (penso che non siano scesi al di sotto dei 50 nm mentre le SLC 3D sono teoricamente più piccole - guarda la seconda generazione delle Intel 3D XPoint che hanno una dimensione di ogni cella di 1.600 nm²/1F²) e quindi riescono a trattenere più elettroni portando a maggiore durata, poi le pagine sono molto più piccole (2-4kB vs. 16kB) e quindi si hanno dei tPROG e tR molto più bassi. Più nello specifico, solitamente pSLC non oltrepassa i 30.000-40.000 PEC con NAND flash TLC (anche se stiamo vedendo numeri ben più alti se questa tecnologia viene abbinata ad un buon codice e delle NAND flash enterprise) e non va al di sotto dei 200 μs mentre le Z-NAND di Samsung da 48L (SLC 3D) hanno un tPROG da 100 μs e una durata che non ci possiamo immaginare (sicuramente più di 100.000 PEC).

QLC e TLC, per esempio, dovrebbero avere le stesse dimensioni delle celle (sia perché il bitline pitch è lo stesso da anni e sia perché vedo che nelle ultime NAND flash la dimensione della cella è sempre sui 20.000 nm² anche se il volume delle celle cambia) e hanno le stesse dimensioni delle pagine (16kB) infatti qui NewMaxx dice che ha rilevato le QLC in pTLC con le stesse performance delle TLC:

Kioxia QLC supporta già simultaneamente le modalità pSLC e pTLC e ho rilevate quest'ultima essere veloce quanto TLC nativo.

Originariamente inviato da @Liupen

di contro non è detto che la tecnologia che la compone sia più efficiente da compensare.

Giusto, al netto di grandi differenze comunque. C'è differenza tra P-BiCS e BiCS, c'è differenza tra le NAND flash Samsung che usano replacement gate (RG) su charge trap flash (CTF) con quelle vecchie di Micron/IMFT che usavano floating gate (FG), ma c'è pochissima differenza tra le NAND flash Samsung e quelle recenti di Micron che usano la stessa architettura.

Originariamente inviato da @Liupen

Secondo motivo, il range di rilevamento, la finestra di tensione di soglia che nativamente (per le 2-bit) è su alto/basso per i 4 valori rilevati in una MLC nativa è più definita (ampia), di quella di un TLC emulato MLC.



Di quest'ultima cosa ne sono relativamente sicuro ma non ci metto la mano sul fuoco. Penso che i range di tensione del gate della cella sono tarati nel CMOS e non stabiliti dal controller che emula. Penso che l'emulazione riguardi un comando a valle di questo.
Se realmente è così - mi piacerebbe sapere un parere di un newmaxx - il deterioramento di un segnale nel tempo è peggiore nelle TLC emulate MLC rispetto alle native.

Questo è un punto interessante; come dici tu i valori di tensione di soglia (Vth) dovrebbero esser gestiti dalla NAND flash stessa e non dal controller ma proprio per questo mi viene da pensare che i valori Vth abbiano un'ampiezza maggiore se gli altri sono inesistenti. Della serie che se imposti una NAND flash TLC in pMLC togli 4 valori Vth e gli altri 4 (perché una NAND flash TLC ha 8 valori Vth) restanti possano "espandersi" nella finestra Vth riducendo i vari problemi legati sia all'affidabilità (data retention) che alla durata (PEC). Però queste sono solo mie deduzioni, non so di più, servirebbero dei test, specialmente sul data retention.

Originariamente inviato da @Liupen

Un discorso esteso magari fino ai giorni nostri?
BICS...



E' nato prima l'uovo o la gallina (QLC or TLC)?

NAND Flash Memory Technologies di Seiichi Aritome (ex ingegnere di Toshiba, Micron e SK hynix), a pagina 113 e 114, ci dice che la tecnologia QLC è stata presentata la prima volta con il processo 70 nm nel 2007 mentre il primo paper per la "produzione di massa" delle TLC è stato presentato in un ISSCC del 2008 con un nodo a 43 nm. Però il primo ISSCC delle QLC è uscito nel 2009, un anno dopo quello delle TLC.

[gabmac2]

avevo chiesto consiglio per un pc in formato mini
ad un NM100 presente è stato affiancato un A55 come consigliato
solo in alcuni contesti si nota un pò la differenza (com' era preventivabile)
per sostituire eventualmente anche NM100, cosa consigliereste?

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da gabmac2

avevo chiesto consiglio per un pc in formato mini
ad un NM100 presente è stato affiancato un A55 come consigliato
solo in alcuni contesti si nota un pò la differenza (com' era preventivabile)
per sostituire eventualmente anche NM100, cosa consigliereste?

Un SSD DRAM-based e di buona qualità come l'MX500 o l'870 EVO, non hai altre alternative migliori dell'A55 secondo me.

[gabmac2]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Un SSD DRAM-based e di buona qualità come l'MX500 o l'870 EVO, non hai altre alternative migliori dell'A55 secondo me.

per sostituire NM100?
non sata

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da gabmac2

per sostituire NM100?
non sata

E vuoi mettere un NVMe in un PC così piccolo? Devi guardare a qualcosa di davvero efficiente e con basse temperature: S880, T500, SN770, ecc.

[megthebest]

Originariamente inviato da gabmac2

per sostituire NM100?

non sata

Ma non ne avevamo già parlato? Se non riscontro male dovevi verificare se lo slot M2 supportava PCIe gen 3 o superiore, altrimenti non sta in piedi nessun consiglio ed è bene tenwre il mini pc così com'è con NM 100 e A55 che in ogni caso sarebbero più freschi in un pc così compatto. Non ricordo se avevi indicato le specifiche dello slot della sk madre o meno.

Inviato dal mio Xiaomi 14 utilizzando Tapatalk

[@Liupen]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Di questo ne avevo già parlato qui: se la differenza tra le NAND flash emulate e quelle native è fisica (dimensioni delle celle diverse, dimensioni delle pagine diverse, ecc.) allora spesso i risultati sono simili, altrimenti le differenze dovrebbero essere pressoché nulle (ma comunque c'è sempre differenza). Emulando delle NAND flash TLC in pSLC non ottieni lo stesso risultato perché le NAND flash SLC 2D sono nettamente più grandi di quelle TLC (penso che non siano scesi al di sotto dei 50 nm mentre le SLC 3D sono teoricamente più piccole - guarda la seconda generazione delle Intel 3D XPoint che hanno una dimensione di ogni cella di 1.600 nm²/1F²) e quindi riescono a trattenere più elettroni portando a maggiore durata, poi le pagine sono molto più piccole (2-4kB vs. 16kB) e quindi si hanno dei tPROG e tR molto più bassi. Più nello specifico, solitamente pSLC non oltrepassa i 30.000-40.000 PEC con NAND flash TLC (anche se stiamo vedendo numeri ben più alti se questa tecnologia viene abbinata ad un buon codice e delle NAND flash enterprise) e non va al di sotto dei 200 μs mentre le Z-NAND di Samsung da 48L (SLC 3D) hanno un tPROG da 100 μs e una durata che non ci possiamo immaginare (sicuramente più di 100.000 PEC).

QLC e TLC, per esempio, dovrebbero avere le stesse dimensioni delle celle (sia perché il bitline pitch è lo stesso da anni e sia perché vedo che nelle ultime NAND flash la dimensione della cella è sempre sui 20.000 nm² anche se il volume delle celle cambia) e hanno le stesse dimensioni delle pagine (16kB) infatti qui NewMaxx dice che ha rilevato le QLC in pTLC con le stesse performance delle TLC:

La differenza si, è fisica per forza, perchè sono (solitamente) generazioni diverse.
Stavo riferendomi, più che alle prestazioni ( tPROG e tR) alla durata delle celle, ma comunque le prestazioni, ne risentono alla lunga, sia perchè c'è meno silicio, sia perchè i range di rilevamento della tensione più piccolo nelle emulate, tende a far lavorare maggiormente l'ECC.
Credo... mi immagino, che il tempo di programmazione nelle celle emulate si mantenga sempre ottimale, e sia il tempo di lettura poi ad essere penalizzato con l'invecchiare dell'ssd.
Sono d'accordo con te che i P/E sono alti e soddisfacenti comunque anche nelle emulate, ma comunque - penso io - si tratta sempre di comprare qualcosa che poi è diversa a nostra insaputa. Questo lato consumer; lato pro e data center, direi che un pSLC o pTLC non è lontanamente paragonabile ad un ssd nativamente fatto per la endurance, MA, se il mercato offre a prezzi decenti solo quello, per forza ci si troverà server AI con pQLC.
Occhio a CrossPoint 3D che funziona su cambio di stato e non su base elettronica, anche se sempre di elettroni che si spostano si tratta.

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Questo è un punto interessante; come dici tu i valori di tensione di soglia (Vth) dovrebbero esser gestiti dalla NAND flash stessa e non dal controller ma proprio per questo mi viene da pensare che i valori Vth abbiano un'ampiezza maggiore se gli altri sono inesistenti. Della serie che se imposti una NAND flash TLC in pMLC togli 4 valori Vth e gli altri 4 (perché una NAND flash TLC ha 8 valori Vth) restanti possano "espandersi" nella finestra Vth riducendo i vari problemi legati sia all'affidabilità (data retention) che alla durata (PEC). Però queste sono solo mie deduzioni, non so di più, servirebbero dei test, specialmente sul data retention.

Se riesci, su questa cosa approfondisci; me lo sono sempre chiesto.

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

NAND Flash Memory Technologies di Seiichi Aritome (ex ingegnere di Toshiba, Micron e SK hynix), a pagina 113 e 114, ci dice che la tecnologia QLC è stata presentata la prima volta con il processo 70 nm nel 2007 mentre il primo paper per la "produzione di massa" delle TLC è stato presentato in un ISSCC del 2008 con un nodo a 43 nm. Però il primo ISSCC delle QLC è uscito nel 2009, un anno dopo quello delle TLC.

Originariamente inviato da gabmac2

per sostituire NM100?
non sata

Ma quindi è compatibile anche con un m.2 nvme?

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da @Liupen

MA, se il mercato offre a prezzi decenti solo quello, per forza ci si troverà server AI con pQLC.

Immagina dire "sì, il mio forum è ospitato in un datacenter fatto di SSD con NAND flash pQLC". Forse non mette molta sicurezza...

Comunque ci siamo persi due news e una recensione :
1. Kioxia vuole fare sul serio e annuncia che ha in progetto un SSD (chiamato "AI SSD") con NAND flash XL-Flash (MLC in pSLC) che fornisce 10 milioni di IOPS sia con blocchi da 4kB che da 512B (byte) dove quest'ultimi sono particolarmente usati nei sistemi large language model (LLM) e retrieval-augmented generation (RAG). Un altro motivo per il quale Kioxia si sta focalizzando sui blocchi da 512B, secondo Tom's Hardware, è che "Le GPU operano tipicamente internamente su linee di cache da 32, 64 o 128 byte e i loro sottosistemi di memoria sono ottimizzate per gli accessi burst a molte piccole zone di memorie indipendenti per mantenere tutti i flussi dei processori impegnati in ogni momento. Per questo le lettura da 512 byte si allineano meglio con i design delle GPU.";
2. annunciato un nuovo form factor che appartiene alla famiglia form factor per gli SSD enterprise e data center (ESDF): E2. Questo form factor è capace di arrivare fino a 1PB di capacità;
3. recensione del BIWIN X570 di ComputerBase.

Sulla recensione dell'X570 spendo due parole in più visto che è un interessantissimo MAP1806 con le Micron B58R da 232L TLC. Il MAP1806 è il controller PCIe 5.0 DRAM-less che abbiamo visto sull'Hikvision C5000 e per ora è l'unico a non andare in thermal throttling sotto stress. La recensione di ComputerBase non è molto distante da quelle cinesi che vedemmo appena uscì questo controller in Cina: il tallone di Achille rimane tuttora la lettura randomica (fa 20 MB/s in meno in Q1T1 rispetto all'SN8100) e come dissi dovrebbe risolversi in futuro tramite aggiornamenti del firmware, la cache SLC è sempre di circa 300GB con una velocità direct-to-TLC di 3.000 MB/s e un folding 1.000 MB/s e le temperature sono sempre sotto gli 80 °C anche sotto stress (e senza dissipatore specifico), il problema è un leggero TT da circa 1.000 MB/s.

Il mio verdetto è che questo controller ha le potenzialità per essere il migliore in termini di rapporto performance-temperatura ma che ha bisogno di NAND flash più performanti (come le YMTC 267L o le Micron B68S da 276L) e di un aggiornamento che alzi le performance randomiche sia in MB/s che in IOPS.

[Arrow0309]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Immagina dire "sì, il mio forum è ospitato in un datacenter fatto di SSD con NAND flash pQLC". Forse non mette molta sicurezza...

Comunque ci siamo persi due news e una recensione :
1. Kioxia vuole fare sul serio e annuncia che ha in progetto un SSD (chiamato "AI SSD") con NAND flash XL-Flash (MLC in pSLC) che fornisce 10 milioni di IOPS sia con blocchi da 4kB che da 512B (byte) dove quest'ultimi sono particolarmente usati nei sistemi large language model (LLM) e retrieval-augmented generation (RAG). Un altro motivo per il quale Kioxia si sta focalizzando sui blocchi da 512B, secondo Tom's Hardware, è che "Le GPU operano tipicamente internamente su linee di cache da 32, 64 o 128 byte e i loro sottosistemi di memoria sono ottimizzate per gli accessi burst a molte piccole zone di memorie indipendenti per mantenere tutti i flussi dei processori impegnati in ogni momento. Per questo le lettura da 512 byte si allineano meglio con i design delle GPU.";
2. annunciato un nuovo form factor che appartiene alla famiglia form factor per gli SSD enterprise e data center (ESDF): E2. Questo form factor è capace di arrivare fino a 1PB di capacità;
3. recensione del BIWIN X570 di ComputerBase.

Sulla recensione dell'X570 spendo due parole in più visto che è un interessantissimo MAP1806 con le Micron B58R da 232L TLC. Il MAP1806 è il controller PCIe 5.0 DRAM-less che abbiamo visto sull'Hikvision C5000 e per ora è l'unico a non andare in thermal throttling sotto stress. La recensione di ComputerBase non è molto distante da quelle cinesi che vedemmo appena uscì questo controller in Cina: il tallone di Achille rimane tuttora la lettura randomica (fa 20 MB/s in meno in Q1T1 rispetto all'SN8100) e come dissi dovrebbe risolversi in futuro tramite aggiornamenti del firmware, la cache SLC è sempre di circa 300GB con una velocità direct-to-TLC di 3.000 MB/s e un folding 1.000 MB/s e le temperature sono sempre sotto gli 80 °C anche sotto stress (e senza dissipatore specifico), il problema è un leggero TT da circa 1.000 MB/s.

Il mio verdetto è che questo controller ha le potenzialità per essere il migliore in termini di rapporto performance-temperatura ma che ha bisogno di NAND flash più performanti (come le YMTC 267L o le Micron B68S da 276L) e di un aggiornamento che alzi le performance randomiche sia in MB/s che in IOPS.

Grazie ma no grazie

[@Liupen]

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Comunque ci siamo persi due news e una recensione :
1. Kioxia vuole fare sul serio e annuncia che ha in progetto un SSD (chiamato "AI SSD") con NAND flash XL-Flash (MLC in pSLC) che fornisce 10 milioni di IOPS sia con blocchi da 4kB che da 512B (byte) dove quest'ultimi sono particolarmente usati nei sistemi large language model (LLM) e retrieval-augmented generation (RAG). Un altro motivo per il quale Kioxia si sta focalizzando sui blocchi da 512B, secondo Tom's Hardware, è che "Le GPU operano tipicamente internamente su linee di cache da 32, 64 o 128 byte e i loro sottosistemi di memoria sono ottimizzate per gli accessi burst a molte piccole zone di memorie indipendenti per mantenere tutti i flussi dei processori impegnati in ogni momento. Per questo le lettura da 512 byte si allineano meglio con i design delle GPU.";

NAND flash XL-Flash?


Vogliono tutti creare qualcosa per lo storage AI.

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

2. annunciato un nuovo form factor che appartiene alla famiglia form factor per gli SSD enterprise e data center (ESDF): E2. Questo form factor è capace di arrivare fino a 1PB di capacità;

Questa l'avevo letta e mi avevano incuriosito i 300TB stipati in quel piccolo (relativamente...più o meno un 3 volte un 2,5") formato. Non ho trovato subito un immagine e allora ho lasciato perdere.
Qui si fatica a far stare 80TB figurarsi 300!
Voli di fantasia...come il cloud nell'orbita della Luna

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

3. recensione del BIWIN X570 di ComputerBase.

La vera anomalia è che il made in china usi Micron e non YMTC, chissà perchè?
Alla fine non è per le prestazioni che si comprano questi ma per il prezzo e penso costi meno un YMTC di qualche fab secondaria.

Originariamente inviato da Black (Wooden Law)

Sulla recensione dell'X570 spendo due parole in più visto che è un interessantissimo MAP1806 con le Micron B58R da 232L TLC. Il MAP1806 è il controller PCIe 5.0 DRAM-less che abbiamo visto sull'Hikvision C5000 e per ora è l'unico a non andare in thermal throttling sotto stress. La recensione di ComputerBase non è molto distante da quelle cinesi che vedemmo appena uscì questo controller in Cina: il tallone di Achille rimane tuttora la lettura randomica (fa 20 MB/s in meno in Q1T1 rispetto all'SN8100) e come dissi dovrebbe risolversi in futuro tramite aggiornamenti del firmware, la cache SLC è sempre di circa 300GB con una velocità direct-to-TLC di 3.000 MB/s e un folding 1.000 MB/s e le temperature sono sempre sotto gli 80 °C anche sotto stress (e senza dissipatore specifico), il problema è un leggero TT da circa 1.000 MB/s.

Il mio verdetto è che questo controller ha le potenzialità per essere il migliore in termini di rapporto performance-temperatura ma che ha bisogno di NAND flash più performanti (come le YMTC 267L o le Micron B68S da 276L) e di un aggiornamento che alzi le performance randomiche sia in MB/s che in IOPS.

Originariamente inviato da Arrow0309

Grazie ma no grazie

Bisogna rassegnarsi e prendere le cose per quello che realmente sono.

Dici "cinesi" ma poi alla fin fine:

Maxio è JMicron che comunque è sempre stata presente nel panorama dei controller https://en.wikipedia.org/wiki/JMicron un po come Asmedia e Marvell.

YMTC ha sviluppato tecnologie magari non loro ma certamente ad alto contenuto tecnologico e che poi sono state COPIATE da tutti gli altri produttori di nand.

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da @Liupen

La vera anomalia è che il made in china usi Micron e non YMTC, chissà perchè?
Alla fine non è per le prestazioni che si comprano questi ma per il prezzo e penso costi meno un YMTC di qualche fab secondaria.

Questo è vero e se vediamo SSD come il Fanxiang S900 Pro notiamo che le NAND flash Micron (in particolare le B58R) non sono più di troppo un'utopia o una novità. Purtroppo per esperienza personale non mi fido delle NAND flash di Micron negli SSD cinesi visto che sono spesso chip di scarto prodotti in Cina e che rimangono in Cina (motivo per il quale esistono in questi SSD), però chi lo sa, magari ora la cosa cambia. Dubito che comunque Micron sia un reale concorrente di YMTC in Cina/Asia.

Originariamente inviato da @Liupen

YMTC ha sviluppato tecnologie magari non loro ma certamente ad alto contenuto tecnologico e che poi sono state COPIATE da tutti gli altri produttori di nand.

La cosa divertente è questa: YMTC è entrata nel mercato copiando la tecnologia di Micron (o perlomeno queste erano le accuse), ha usato una tecnologia "prematura" per le NAND flash vista la bassa qualità di produzione del CMOS (non è normale usare WoW a 64L a mio modo di vedere), è stata copiata da Micron e infine ha firmato un accordo con Samsung per darle una mano a produrre le NAND flash. Un colosso come Samsung si fa dare una mano da un novellino che quando è entrato nel mercato a macinare le proprie 64L gli altri erano già alle 128L... letteralmente "l'allievo supera il maestro" .

[frafelix]

La cina sono anni che sta producendo cose valide in diversi ambiti e con il primo mandato di Trump hanno solo accelerato gli investimenti. Secondo me gli stati uniti hanno sbagliato nel tentare di fermarli mettendo blocchi di ogni genere, dato che li hanno solo spinti a fare da soli e non più a dipendere da loro! Ci metteranno anni, ma ci riusciranno, non sono arretrati come la russia...
Le migliori torce a led sono cinesi, i migliori droni sono cinesi, i migliori dispositivi di rete sono cinesi, le migliori batterie per auto sono cinesi, stanno guadagnando spazio anche nelle tv e nelle auto

Oramai roba cinese non è solo più cose copiate da pochi euro

[Arrow0309]

Originariamente inviato da @Liupen

[ ... cut ... ]



Bisogna rassegnarsi e prendere le cose per quello che realmente sono.

Dici "cinesi" ma poi alla fin fine:

Maxio è JMicron che comunque è sempre stata presente nel panorama dei controller https://en.wikipedia.org/wiki/JMicron un po come Asmedia e Marvell.

YMTC ha sviluppato tecnologie magari non loro ma certamente ad alto contenuto tecnologico e che poi sono state COPIATE da tutti gli altri produttori di nand.

No, ma questo già lo so, se vedi nella mia firma ho un bel S880 da 4Tb (come drive D) ma se devo pagare il premium price per un gen 5 mi aspetto prestazioni da gen 5 e non da 4.0 (+)

[Black (Wooden Law)]

Originariamente inviato da frafelix

La cina sono anni che sta producendo cose valide in diversi ambiti e con il primo mandato di Trump hanno solo accelerato gli investimenti. Secondo me gli stati uniti hanno sbagliato nel tentare di fermarli mettendo blocchi di ogni genere, dato che li hanno solo spinti a fare da soli e non più a dipendere da loro! Ci metteranno anni, ma ci riusciranno, non sono arretrati come la russia...
Le migliori torce a led sono cinesi, i migliori droni sono cinesi, i migliori dispositivi di rete sono cinesi, le migliori batterie per auto sono cinesi, stanno guadagnando spazio anche nelle tv e nelle auto

Oramai roba cinese non è solo più cose copiate da pochi euro

Condivido pienamente il tuo pensiero Frafelix, son cresciuto a sentire “è cinese fa schifo” ma adesso la Cina sta facendo passi da gigante nel settore terziario, che sia ricerca o tecnologie attuali. Tante persone c’hanno ancora il bias “made in China” ma sicuramente si sta riducendo giorno dopo giorno. Il programma Made in China 2025 sta giocando un ruolo fondamentale.

Originariamente inviato da Arrow0309

No, ma questo già lo so, se vedi nella mia firma ho un bel S880 da 4Tb (come drive D) ma se devo pagare il premium price per un gen 5 mi aspetto prestazioni da gen 5 e non da 4.0 (+)

Non ha performance da Gen4, semplicemente non esprime il suo potenziale per le NAND flash e immaturità del firmware. Fa comunque 14 GB/s e la velocità dopo la cache SLC è ottima. Nel parallelo, secondo me, potremmo ottenere un prodotto anche migliore del MAP1602 rispetto ai suoi concorrenti DRAM-based.
Sembra che la Cina sappia costruire DRAM-less meglio dei taiwanesi (Phison e Silicon Motion).

[DOC-BROWN]

immagino ne avete gia parlato ?


Micron sta per spedire le sue prime memorie HBM4 da 2TB/s


Micron, la nota azienda americana attiva nel segmento informatico delle memorie, si prepara a distribuire i primi campioni dei suoi avanzati moduli HBM4, destinati all’utilizzo in ambito professionale e, nello specifico, per il calcolo ad alte prestazioni.

Questi moduli, che impilano 12 die DRAM per offrire una capacità di 36 GB per modulo, saranno presto inviati a partner selezionati, con la produzione di massa prevista per l’inizio del 2026.

Basati sul processo produttivo 1β di Micron, in uso dal 2022, i moduli HBM4 rappresentano un passo avanti significativo rispetto agli standard precedenti, come l’HBM3E.



https://www.punto-informatico.it/in-...m_medium=email