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Old 18-06-2025, 16:05   #23301
frafelix
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Tornando ai dati recuperabili su mac, qualcuno conosce programmi free per mac per il secure erase dello spazio vuoto? (Secure erase inteso come cancellazione sicura dei dati in questo caso)

Perché ho provato:
- con programmi di terze parti, ma sono tutti a pagamento
- da terminale con il comando diskutil, ma funziona solo su dischi non di avvio o comunque non va con le ultime versioni di mac os
- con la chiavetta che avevo fatto con parted magic, ma non si avvia su mac
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frafelix è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
Old 19-06-2025, 19:35   #23302
Black (Wooden Law)
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Originariamente inviato da @Liupen Guarda i messaggi
Se riesci, su questa cosa approfondisci; me lo sono sempre chiesto.
L'altro giorno stavo rivedendo la lezione numero 3 del corso "P&S Modern SSDs (Spring 2024)" su "Onur Mutlu Lectures" (lezione molto interessante ma basata su un paper che propone una tecnica che probabilmente non verrà mai utilizzata) e al minuto 32:32 mostra la slide 22 "Enhanced SLC-Mode Programming (ESP)" in cui parla di questa tecnologia che aumenta il margine tra lo stato programmato e cancellato di una NAND flash in cache SLC per aumentare l'affidabilità. Ora, ESP è relativamente interessante visto che anch'esso probabilmente non verrà mai utilizzato (il contro è che palesemente aumenta il tPROG e quindi riduce le performance) però la cosa da notare è che nella slide c'è scritto come prima riga "La programmazione SLC-mode fornisce un margine largo di tensione tra gli stati programmati e cancellati" volendo dire che le NAND flash in cache SLC hanno una finestra della tensione di soglia come quella in una NAND flash caratterizzata da soltanto 2 stati di tensione di soglia (ossia una NAND flash SLC). Ergo, delle NAND flash TLC in pMLC (per esempio) avranno una finestra della tensione di soglia grande quanto quella di una NAND flash MLC e gli stati della tensione di soglia saranno 4 anziché 8.

Questo è il motivo per il quale delle NAND flash x-level cell (XLC) impostate per memorizzare uno o più bit in meno di quelli che memorizzano normalmente hanno una durata maggiore. Poi la durata potrebbe non essere uguale per i motivi detti nei commenti di prima, come dimensione delle celle diverse e quindi quantità di elettroni inferiore (dico "potrebbe" perché non ho dati di durata su NAND flash QLC in pTLC, per esempio).
Black (Wooden Law) è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
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