Con capacità di carico intendevo proprio "quelle proprie dei transistor"... Differenze di notazione
, ma cmq le capacità parassite sono circa dello stesso ordine di grandezza: è per questo, che tra le altre cose si riduce il processo produttivo.
Per quello che riguarda il consumo statico, per quanto ne so io, le correnti di perdita delle giunzioni inverse sono estremamente piccole, dell'ordine dei uA fino alle decine di nA; similmente la ddp in un mos ON non è maggiore di 0,1 V, ma anche meno con correnti Ion dell'ordine delle dei uA (o delle decine di uA).
E' difficile poter dire a priori e soprattutto senza dei dati sicuri (di data sheet), se siano trascurabili o meno, cmq in genere sono ordini di grandezza inferiori al consumo dinamico.