[Beppoland]

Originariamente inviato da Bulfio

Il leakage aumenta perchè, restringendo la lunghezza di canale (cioè diminuendo la dimensione del transistor), il Suorce e il Drain arrivano ad essere così vicini da interagire. Perciò la barriera (per gli elettroni) diventa molto più piccola di una in un mos a canale lungo, con un conseguente aumento della corrente (gli elettroni hanno più energia della barriera, e quindi transitano con più facilità nel canale), il che si traduce in un abbassamento della tensione di soglia. Ma un abbassamento della tensione di soglia significa un aumento della corrente di leakage; quindi è per questo che non è sempre "bene" diminuire la tensione di soglia: il tutto è da valutare a seconda delle prestazioni che si vogliono ottenere. In ogni caso, senza una buona architettura (cioè sistemi in grado di compensare queste perdite), è dura scalare un transistore.