Il problema comunque non esiste solo per la lunghezza del canale di gate; infatti contestualmente alla lunghezza viene talvolta ridotto anche lo spessore dell'ossido del gate. L'ossido e' Si02 quindi una molecola piu' grossa del semplice atomo di Si ed e' piu' difficile ridurre e rendere uniforme questo spessore (piu' sottile e' minoro sono gli effetti capacitivi e quidi piu' veloce puo' essere il transistor).
Lo strato di ossido diventera' uno dei fattori limitanti nei passsaggi a nuovi processi produttivi
Spero di non aver detto cose troppo imprecise
Ciao