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confermo che la spiegazione e' un po' annacquata, per quanto riguarda le static ram il rapporto con le dram per il numero di transistor necessari per 1 bit di informazione e' di 6:1, la differente velocita' sta nel fatto che le dram devono caricare e scaricare un condensatore ad ogni lettura il che, per correnti non infinite, impiega il suo bel tempo. Per accorciarlo una via e' ridurre la capacita' del condensatore ma cosi' facendo bisogna avere degli amplificatori di segnale molto + sensibili come appunto viene detto nell'articolo di sopra "three-stage-sensing"
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