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Originariamente inviato da @Liupen
Micron G9
https://www.micron.com/products/stor...76M-upcoe6lGdN
Si parlava qualche giorno fà dell'uso del molibdeno per le nuove nand
Notizie da...
TechInsights ha scoperto l'uso industriale di ALD Mo nella nostra analisi tecnica in corso di Micron 2yyL (G9) TLC 3D NAND Flash [1].
Il Mo è altamente conduttivo e può essere incorporato senza uno strato barriera. L'utilizzo di un elettrodo di gate in Mo senza barriera per la NAND 3D offre un vantaggio di 3-4 nm rispetto alla barriera convenzionale in nitruro di titanio (TiN) con uno schema di elettrodo di gate in tungsteno (W).
La notizia dell'ALD Mo [2, 3] è disponibile dallo scorso anno e, sorprendentemente, Micron Singapore, con la sua capacità ALD Mo fornita da Lam, l'ha adottata per prima per la produzione ad alto volume. Micron ha rivelato che Micron G9 è il primo nodo a introdurre la metallizzazione della linea di parola (WL) Mo per una migliore resistenza WL e che è stata effettuata un'attenta selezione del passo WL insieme al rapporto ossido/nitruro per una riduzione ottimale dei costi senza compromettere affidabilità e prestazioni [4].
Questo indica che Samsung e SK Hynix si stanno concentrando maggiormente su DRAM (e HBM)? Micron è più o ugualmente aggressiva sia sul fronte NAND che su DRAM?
Samsung e SK Hynix sono più attente al costo, rispettivamente per le loro memorie NAND 3D da 286L e 321L. L'adozione tempestiva di ALD Mo da parte di Micron dimostra la loro fiducia nel mercato e nella redditività delle memorie NAND 3D e la loro ambizione di superare la concorrenza.
Per coincidenza, Micron ha annunciato i suoi die flash 3D NAND QLC 2yyL (G9) da 2 Tb per il suo SSD Micron 2600 [5], dimostrando la loro fiducia nel loro processo flash 3D NAND 2yyL (G9), il primo nel settore ad adottare ALD Mo per 3D NAND WL. |
Nei giorni scorsi mi sono fatto un giro su Google Scholar e IEEE Xplore e ho trovato diversi paper che parlano dell'uso di WL di molibdeno e di WL di rutenio.
Questo paper di Kioxia (di cui si può trovare il riassunto
qui), per esempio, mostra nella
Figura 2 che adesso anche le loro attuali NAND flash usano una WL fatta di molibdeno anziché tungsteno. La struttura attuale del transistor è quella a destra, cioè:
- silicio (Si);
- ossinitruro di silicio (SiON), cioè una miscela di silicio, ossigeno e azoto che funge da ossido del tunnel;
- Si₃N₄ che immagazzina gli elettroni;
- SiO₂ che funge da ossido di bloccaggio tra lo strato in cui si tengono gli elettroni e il control gate;
- Al₂O₃, secondo strato di bloccaggio che è ad alta costante dielettrica;
- MoN (nitruro di molibdeno) utile per "migliorare l'adesione con il sottolayer";
- WL in molibdeno.
Questi paper, purtroppo, sono parecchio tecnici e richiedono tanto tempo per esser studiati e attualmente sto leggendo altri studi interessanti come
Emerging Nonvolatile Memory Technologies in the Future of Microelectronics e
NAND Flash Memory Scaling and Process Technology Modeling. Appena finisco questi due vado alla lettura degli studi su WL in rutenio e molibdeno.
Per il poco che so, comunque, posso dire che si è deciso di adottare questi materiali perché sono meno resistivi e permettono di migliorare lo scaling verticale (cioè l'incremento del numero di WL) riducendo il passo tra le WL e aiuta anche nello scaling orizzontale perché riduce il passo tra i fori di memoria (che in letteratura vengono chiamati "memory hole (MH)").