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Originariamente inviato da @Liupen
SK Hynix (e Intel) pur avendo di tutto un po, sembra che si muova, circa le nand, sulla densificazione delle TLC, con una nand over 321 layer.
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Leggendo questo ho pensato: com’è possibile che SK hynix abbia prodotto una NAND flash da 321L (V9) - attualmente la più alta mai vista - facendo ~100 MB/s per die in meno delle 276L di Micron (B68S)? So bene che più layer non equivalgono per forza a maggior performance ma soltanto ad uno sviluppo tecnologico più recente, però mi sembrava strana come cosa, quindi mi son rivisito gli ISSCC e ho notato che le B68S hanno 6 piani invece che 4. Oltretutto hanno un I/O più veloce (3600 MT/s vs. 2400 MT/s), anche se questo non fa variare la velocità per die visto che è esterno…
Son curioso di vedere piuttosto come performano le V9 TLC di Samsung che sono da 280L e potrebbero esserci su un futuro PCIe 5.0 (serio, non come il 990 EVO che è “finto”). Le uniche informazioni che si sanno è che l’I/O è di 3200 MT/s, hanno un 10% di efficienza migliore rispetto alle V8 (176L) e il 50% di GBSD (gross bit storage density)¹ in più sempre rispetto alle V8 (le V8 segnano 11,55 Gb/mm², il 50% in più dovrebbe essere 17,3 Gb/mm², un numero non così alto vedendo le B68S e le SK hynix V9…), quindi il resto sta a tutto sulla velocità per die.
¹: rapporto tra la capacità memorizzabile del die espressa in gigabit e l’area espressa in mm².