Vediamo se ho capito.
Prendiamo queste due RAM (ovviamente montate una alla volta):
- KHX1600C9D3k2/4GX
- KHX1600C9D3B1/4G
Hanno rispettivamente queste caratteristiche:
Codice:
9-9-9-27 @ 1600hz 1,65V
9-9-9 @ 1333hz 1,5V
tRC 49,5ns
tRFC 160ns
tRAS 36ns
Codice:
9-9-9-27 @ 1600hz 1,65V
11-11-11 @ 1600hz 1,5V
tRC 48,125ns
tRFC 260ns
tRAS 35ns
Possiamo quindi dire che con overvolt di 1,65V @ 1600hz :
- hanno le stesse identiche latenze per tCAS, tRCD, tRP e tRAS (numeri riportati come cicli appunto è non in ns);
- non è dato sapere per gli altri 2 timings (tRC, tRFC) quali siano i ritardi ad 1,65V in quanto nel datasheet i valori riportati si riferiscono alla tensione nominale di 1,5Volts. (Ma presumibilmente saranno gli stessi?)
Valutando i timings alla tensione nominale di 1,5V risulta invece che:
- il primo banco andrà di default a 1333hz e latenze 9-9-9-27
- l'altro banco terrà i 1600 ma con latenze maggiori (11-11-11-x)
In questo caso facendo due conti viene fuori che per la 1ª RAM tCAS=13,50ns, e per la seconda RAM tCAS=13,75ns . Quasi le stesse prestazioni, cioè non credo che 25 centesimi di nanosecondo siano percettibili. Magari misurabili in fase di test ma non percettibili.