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Originariamente inviato da dav1deser
Ti sbagli, non si è mai detto che il SOI era morto, tutt'altro, si diceva che sotto i 20nm il SOI sarebbe stato addirittura più economico da produrre rispetto al bulk (oltre alle altre migliorie prestazionali/consumi classiche del SOI rispetto al bulk). Forse era il PD-SOI (partially depleted SOI) ad essere al capolinea, difatti i 22nm di IBM globalfoundries li chiama FDX e FD sta quasi sicuramente per "Fully depleted" che è la normale evoluzione dei PD-SOI.
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Ciao,
guarda che si sta facendo un po' di confusione: i 22 FDX presentati da GF sono un pp ibrido basato sui 14 FD-SOI di STmicro. Ibridi perché usano il backend del 28 shp bulk e integrano parti del 14 fd-SOI. Così ho letto su bitandchips e se vi ricordate l'utente blindwrite già all'epoca mi rispose che non era più come una volta che l'indicazione nanomentrica indicasse le reali lunghezze del gate e delle altre parti componenti il pp. Lo si fa per abbattere i costi e raggiungere le prestazioni di un nodo completo, in questo caso degli stessi 14 FD-SOI di STmicro.
IBM invece per il power 8 ha continuato a sviluppare il processo PD-SOI nella variante conosciuta come ET-SOI (Extremely thin SOI) dove il substrato è più stretto che nel normale PD-SOI. Basta cercare su google e ti vengono presentazioni in pdf di IBM stessa che spiega le differenze tra PD-SOI e ET-SOI.
GF, data l'acquisizione delle fab di IBM, produce per lei i power8 con questo pp e può accedere al suo know-how per sviluppare in proprio varianti di questo pp (chi dice per x86 visto che il power8 è una cpu RISC molto evoluta?). Che lo faccia e che poi AMD decida per questo è tutto da vedere visto che GF negli ultimi anni si è spesa poco per sviluppare lei internamente. I 14 bulk finfet che ha attualmente sono di samsung, e i nuovissimi 22 FD.SOI sono di derivazione ST. In futuro probabilmente continuerà con i 14 FD-SOI di ST o di IBM, anche perché IBM sta studiando attualmente e utilizza sia ET-SOI (ex PD-SOI) che FD-SOI. Questi due rami del SOI sono stati sviluppati per necessità diverse, gli ET-SOI (che dal prossimo nodo di IBM, 10 nm, diventeranno pure FINFET) sono sviluppati per alte potenze mentre gli FD-SOI sono sviluppati per basse potenze. Questa è la differenza.
Per quanto riguarda l'utilizzo di germanio e altri materiali IBM, come altri, hanno già allo studio diverse diverse ricerche e implementazioni sui futuri nodi SOI. Tutto, come al solito, girerà attorno al costo/beneficio. Vedremo.
EDIT:
Il pp 22 FDX usa come frontend il 14 FD-SOI di ST e come backend il 28 FD-SOI sempre di ST (quindi non il 28 shp bulk come avevo scritto erroneamente, tradito dalla mia infida memoria).