Qui si dice che le memorie di questo 850 Pro sono progettate per 30000 cicli di scrittura (ed 1 anno di data retention residua suppongo. Dunque probabilmente il limite fisico di utilizzo è oltre i 100000 cicli):
http://www.tweaktown.com/reviews/647...ing/index.html
Quote:
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[...] Samsung's 3xnm V-NAND MLC flash has a rating of 30K P/E cycles, or 30x more than Samsung's 2D planar 19nm TLC flash. The end result is a TBW rating of 150TB, higher than some modern enterprise SSDs using eMLC flash. On a typical consumer workload, that means the flash in the 850 Pro may live longer than I will.
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Il dato dichiarato di endurance in in TBW,
almeno per quello che riguarda i drive consumer come l'850 Pro, però ha poco a che vedere con la resistenza fisica delle memorie, a differenza di quanto erroneamente lasciano intendere qui sopra i recensori di Tweaktown. Se fosse come dicono loro, gli 840 con memorie TLC avrebbero una endurance di soli 5 TB, ed ovviamente non è così.
Al netto della write amplification in ogni caso (quindi assunta essere 1.0x), con 30000 cicli la versione da 128 GB (capienza fisica 129 GiB - non è un refuso, è proprio così) arriverebbe a tale limite conservativo con 3.69 petabyte di scritture...