Quote:
Originariamente inviato da rockroll
Sarà l'ennesimo uovo di Colombo che propongo, ma mi sembra che il futuro integrato costruito con questa tecnologia e quindi immerso in elio a pressione ambientale come indicato nell'articolo, potrebbe trarre ulteriore notevolissimo vantaggio se tale gas fosse rarefatto quanto basta per ottenere i miglioramenti prestazionali voluti. Tanto l'integrato deve essere comunque incapsulato in un miniinvolucro per evitare la dispersione dell'elio, a quel punto prima di sigillare poco costa succhiarne via gas quanto basta, senza necessità di arrivare a rarefazioni estreme, per raggiungere una probabilità di collisione del flusso elettronico con gli ioni di elio bassa quanto si vuole.
Strano non abbiano pensato ad una cosa così banale, a meno che non ci siano motivazioni fisiche o tecnologiche che ostacolino quanto ho detto e che dalle argomentazioni riportate nell'articolo non traspaiono proprio.
|
La butto lì anch'io come risposta al tuo quesito...
Per mantenere l'elio a pressione ambientale non è necessario il vuoto spinto, basta solo una tenuta ermetica. Quindi si evitano problemi dovuti alla dispersione.
Inoltre il problema della ionizzazione viene risolto utilizzando tensioni ridotte che non permettono al flusso di elettroni di ionizzare l'elio.
Quindi, dato che il vuoto spinto può dar luogo ad inefficienze di tenuta si riempie tutto con elio a pressione ambiente in maniera tale da consentire:
1) Niente vuoto, quindi lo si utilizza come se ci fosse aria, ma...
2) Elio migliore di aria per via del "mean free path" maggiore che consente di mantenere distanze più elevate a parità di collissioni (o collissioni ridotte a parità di distanze)