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Originariamente inviato da the_joe
Appunto, nell'articolo si dice che in alcune zone dei processori costruiti in grafene si può osservare il fenomeno di "raffreddamento" e siccome il totale deve dare sempre 100, ci saranno zone che si riscaldano di più, resta da vedere se questo fenomeno può essere pilotato e quindi fare in modo da far coincidere le zone più calde con la parte esterna del processore in modo da poter essere raffreddata più facilmente, mentre la parte interna resta più fresca proprio grazie a questo fenomeno.......magari così si potranno raggiungere frequenze di funzionamento più alte.
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L'articolo parla di transitor non di processori. E se in un processore con milioni di transistor sposto il calore anche di un micrometro dalla giunzione (la dimensione del gate di un transistor da CPU e dell'ordine di qualche decina di nanometro) non ottengo particolari vantaggi.
I limiti sono altrove: a oggi con transistor silicio-germanio sono già arrivati a 500GHz di frequenza (100 volte quella di una CPU veloce).