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Originariamente inviato da DAni82
Il problema che hanno cercato di risolvere è che il germanio, pur essendo un ottimo semiconduttore, non era adatto alla costruzione dei laser per il fatto che è bandgap indiretto.
Con le due tecniche proposte sono riusciti in quest'intento, con la prima (il drogaggio) hanno cercato di aumentare la concentrazione di elettroni nel punto a minor energia della banda di conduzione e con la seconda (lo strained) sono riusciti ad adattare la struttura cristallina del germanio a quella del silicio.
In questo modo possono integrare direttamente i laser negli attuali chip al silicio ovviando ai problemi (di costi e tecnologici) descritti nella prima parte dell'articolo.
dani
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Sí sí, chiaro. Avevo solo commentato suil fatto che i costi non credo siano cosí impossibili visto che si tratta di film sottili.
Per quanto riguarda strain e drogaggio, é una cosa ben nota che si puó far emettere anche a semiconduttori a gap indiretta con queste tecniche, il punto é quanto stabile e spesso é il film che riesci a crescere. Mi pare che il lattice-missmatch tra Ge e Si sia piuttosto grande, quindi immagino che abbiano cresciuto solo pochi layers. Se hai qualche informazione al riguardo, sarei curioso.